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掺杂Ba(Zr_(0.15)Ti_(0.85))O_(3)陶瓷的结构与电性能研究
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作者 熊彩莲 孙国斌 +1 位作者 李恒 邢峰 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期60-66,共7页
采用固相烧结法制备了不同氧化钬掺杂量的Ba(Zr_(0.15)Ti_(0.85))O_(3)(BZT)陶瓷,对比分析了未掺杂和掺杂不同含量氧化钬的BZT陶瓷的物相组成、显微组织、介电性能和铁电性能。结果表明:未掺杂或氧化钬掺杂量较小(质量分数≤2%)的BZT陶... 采用固相烧结法制备了不同氧化钬掺杂量的Ba(Zr_(0.15)Ti_(0.85))O_(3)(BZT)陶瓷,对比分析了未掺杂和掺杂不同含量氧化钬的BZT陶瓷的物相组成、显微组织、介电性能和铁电性能。结果表明:未掺杂或氧化钬掺杂量较小(质量分数≤2%)的BZT陶瓷主要以单相固溶体形式存在;当氧化钬质量分数增加至3%及以上时,BZT陶瓷中形成新的Ho_(2)Ti_(2)O_(7)相;掺杂氧化钬的BZT陶瓷晶粒尺寸明显小于未掺杂氧化钬的BZT陶瓷,且随着氧化钬掺杂量的增加,BZT陶瓷的平均晶粒尺寸逐渐减小。此外,随着氧化钬掺杂量的增加,BZT陶瓷的ε_(r RT)和tan δ_(RT)先增加后减小,当氧化钬质量分数为2%时可以得到高ε_(r RT)、低tan δ_(RT)的BZT陶瓷。掺杂氧化钬的BZT陶瓷具有弛豫铁电陶瓷特征,氧化钬质量分数为2%~7%的BZT陶瓷的剩余极化强度均低于未掺杂氧化钬的BZT陶瓷,且剩余极化强度随着氧化钬掺杂量的增加逐渐减小;掺杂氧化钬的BZT陶瓷的矫顽电场均小于未掺杂氧化钬的BZT陶瓷,且矫顽电场随着氧化钬掺杂量的增加逐渐减小;BZT陶瓷剩余极化强度和矫顽电场的变化主要与BZT陶瓷内部相变、晶粒尺寸等有关。 展开更多
关键词 ba(zr_(0.15)ti_(0.85))o_(3)陶瓷 氧化钬掺杂 结构 弛豫铁电 介电性能
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