一种折叠式共源共栅运算放大器的准确设计方法 被引量：2

1

作者 王嘉奇 吕高崇 郭裕顺 《电子科技》 2023年第3期50-54,68,共6页

传统折叠式共源共栅放大器的人工设计流程只能得到近似的设计结果,优化方法获得的结果较好,但需耗费大量计算。文中针对这类放大器,给出了一种准确设计方法。通过SPICE仿真弥补传统设计流程各性能指标解析近似产生的误差,同时采用基于B... 传统折叠式共源共栅放大器的人工设计流程只能得到近似的设计结果,优化方法获得的结果较好,但需耗费大量计算。文中针对这类放大器,给出了一种准确设计方法。通过SPICE仿真弥补传统设计流程各性能指标解析近似产生的误差,同时采用基于BSIM模型的器件尺寸计算,反复执行这一设计流程,消除了传统设计过程存在的误差,得到准确的设计结果。文中所提方法相较于传统人工方法更精确,避免了设计时的反复调试;与优化方法相比,虽仍要通过一个迭代过程,但因收敛较快,故计算量较小。文中以0.18μm与90 nm实际工艺库下的电路设计为例,给出了仿真设计结果,证明了所提方法的正确性与有效性。 展开更多

关键词 模拟IC设计 运算放大器 模拟设计自动化 电路优化设计 器件尺寸 bsim模型 共源共栅放大器 迭代设计方法

下载PDF 职称材料

MOSFET集约模型的发展 被引量：2

2

作者 伍青青 陈静 +2 位作者 罗杰馨 肖德元 王曦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期192-198,共7页

MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vt... MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vth、反型层电荷Qi和表面势Φs这三类MOSFET集约模型的发展历程及其主要特征。 展开更多

关键词 场效应晶体管 集约模型 bsim模型 HiSIM模型 PSP模型

下载PDF 职称材料

基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究 被引量：2

3

作者 赵阳 Parke Stephen Burke Franklyn 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期841-844,共4页

本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL... 本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL效应 )等 .研究表明 ,实验数据和BSIM模型结果较好吻合 ,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景 . 展开更多

关键词 MOSFET器件 建模与特征提取 短沟道效应 bsim模型

下载PDF 职称材料

优化的BSIM3V3模型参数提取策略 被引量：5

4

作者 李海 王纪民 刘志宏 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期387-390,共4页

采用 Silvoca公司的 UTMOST模型参数提取程序对 BSIM3V3模型参数进行提取 ,得出了BSIM3V3模型参数随器件尺寸变化的规律 ,并将此方法应用于清华大学微电子所工艺线 1 .0 μm工艺 ,给出此工艺下的多尺寸器件的 BSIM3V3模型参数。同时 ,... 采用 Silvoca公司的 UTMOST模型参数提取程序对 BSIM3V3模型参数进行提取 ,得出了BSIM3V3模型参数随器件尺寸变化的规律 ,并将此方法应用于清华大学微电子所工艺线 1 .0 μm工艺 ,给出此工艺下的多尺寸器件的 BSIM3V3模型参数。同时 ,对该方法的准确性进行了分析。 展开更多

关键词 bsim3模型 模型参数提取策略 集成电路

下载PDF 职称材料

深亚微米CMOS电路漏电流快速模拟器 被引量：3

5

作者 徐勇军 陈治国 +1 位作者 骆祖莹 李晓维 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2004年第5期880-885,共6页

随着工艺的发展 ,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题 降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法 ,但为了保证系统性能 ,必须相应地降低电路器件的阈值电压 ,而这样又将导致静态功耗呈指数形式增长 ,进入深亚... 随着工艺的发展 ,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题 降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法 ,但为了保证系统性能 ,必须相应地降低电路器件的阈值电压 ,而这样又将导致静态功耗呈指数形式增长 ,进入深亚微米工艺后 ,漏电功耗已经能和动态功耗相抗衡 ,因此 ,漏电功耗快速模拟器和低功耗低漏电技术一样变得十分紧迫 诸如HSPICE的精确模拟器可以准确估计漏电功耗 ,但仅仅适合于小规模电路 首先证实了CMOS晶体管和基本逻辑门都存在堆栈效应 ,然后提出了快速模拟器的漏电模型 ,最后通过对ISCAS85& 89基准电路的实验 ,说明了在精度许可 (误差不超过 3% )的前提下 ,模拟器获得了成百倍的加速 。 展开更多

关键词 漏电功耗 深亚微米工艺 bsim漏电模型

下载PDF 职称材料

亚微米MOSFET的BSIM3模型参数提取 被引量：3

6

作者 夏增浪 胡贵才 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1999年第4期8-9,共2页

文章采用ＨＰ的ＩＣ－ＣＡＰ对亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型参数进行提取，给出了器件结构、测试系统及提取结果，并对提取模型的精确性进行了分析。

关键词 MOSFET bsim3模型 参数提取 亚微米

下载PDF 职称材料

超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型 被引量：2

7

作者 段成华 柳美莲 《微纳电子技术》 CAS 2006年第4期203-208,共6页

对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的... 对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。 展开更多

关键词 模拟IC MOSFET建模 bsim3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区

下载PDF 职称材料

基于表面电势的高压LDMOS晶体管直流模型改进 被引量：2

8

作者 孙玲玲 何佳 刘军 《电子器件》 CAS 2008年第4期1109-1112,共4页

针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提... 针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提取。在开放的PSP模型Verilog-A代码基础上完成改进代码的实现。最终的结果表明,采用改进后的模型,仿真曲线与测量的I-V曲线十分吻合,该模型大大提高了PSPI-V模型模拟高压LDMOS晶体管时的精确度,对于实用高压集成电路的设计和仿真有着重要意义。 展开更多

关键词 器件建模 高压LDMOS VERILOG-A 参数提取 bsim3模型 PSP模型

下载PDF 职称材料

高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进 被引量：1

9

作者 任铮 石艳玲 +4 位作者 胡少坚 金蒙 朱骏 陈寿面 赵宇航 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1073-1077,共5页

针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、... 针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻Rds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了Rds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vds参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3I V模型模拟HVMOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义. 展开更多

关键词 bsim3模型 SPICE HV MOS晶体管 参数提取 曲线拟合

下载PDF 职称材料

模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模

10

作者 段成华 柳美莲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期320-325,共6页

对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;... 对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较。结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;几种模型中,EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。 展开更多

关键词 模拟集成电路 MOSFET建模 bsim3模型 SP2001模型 EKV模型

下载PDF 职称材料

基于BSIM4模型的不对称性研究及改进

11

作者 李斌 潘元真 许跃彬 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期102-105,共4页

以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,给出了对称的沟道电荷密度公式、源漏有效电压公式和载流子速度饱和公式;同时通过在源端和漏端分别计算的... 以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,给出了对称的沟道电荷密度公式、源漏有效电压公式和载流子速度饱和公式;同时通过在源端和漏端分别计算的方法,抵消源/漏电压处理方式不同所带来的不对称性;最后推导出新的对称的沟道电流公式.模型验证表明:改进后的模型不但可以准确地模拟器件的特性,而且拥有更高的对称性.改进模型拓宽了BSIM4模型的运用范围,可以更有效地运用于RF集成电路设计和仿真. 展开更多

关键词 集成电路 bsim4模型 RF集成电路设计 对称性 仿真

原文传递

深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型

12

作者 童建农 邹雪城 沈绪榜 《计算机与数字工程》 2004年第5期4-7,共4页

深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。

关键词 MOSFET 玻耳兹曼传输方程 速度过冲效应 bsim3模型

下载PDF 职称材料

艰难困苦 玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士

13

作者 挽弓 《中国集成电路》 2010年第12期19-23,27,共6页

本期高端人士介绍：张锡盛，清华大学微电子专业博士，师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后，师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国... 本期高端人士介绍：张锡盛，清华大学微电子专业博士，师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后，师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国硅谷的著名Celestry Design Technologies，Inc．公司担任研发副总经理，领导团队成功开发了一系列的EDA软件工具，并在此期间申请了多个美国专利。张锡盛博士对SPICE仿真软件、器件模型、数值计算、器件测量等都有很深的研究。 展开更多

关键词 博士后 半导体器件模型 bsim3模型 锡 总裁 清华大学 美国硅谷 中科院院士

下载PDF 职称材料