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VDMOS器件制造中的湿法工艺与设备研究被引量：2: 1; 作者宋文超《电子工业专用设备》 2021年第6期16-20,共5页; 简述了VDMOS器件制造工艺流程,介绍了其中常用的RCA清洗、SPM去胶、BOE腐蚀、Al腐蚀等湿法工艺,并对相关湿法设备的配置以及工作原理进行了介绍。; 关键词 VDMOS器件湿法设备 RCA清洗 SPM去胶 boe腐蚀铝腐蚀; 下载PDF 职称材料

离子注入后氧化层BOE腐蚀工艺优化被引量：3: 2; 作者商亚峰《中国新技术新产品》 2018年第11期63-64,共2页; 半导体器件制备过程中,Si O2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭受离子轰击而产生缺陷,牺牲氧化层在注入完成之后,氧化层的性质和结构会发生较大变化,在被腐蚀去除过程中,腐蚀速率不确定性较大,本文研究了牺... 展开更多; 关键词牺牲氧化 boe腐蚀氧化; 下载PDF 职称材料

PECVD提高SiO_2薄膜致密性的研究被引量：7: 3; 作者郭文涛谭满清 +2 位作者焦健郭小峰孙宁宁《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期577-581,共5页; 为了在高功率980 nm激光器工艺中制备高质量、均匀性好、致密性高的SiO2薄膜,本文研究了PECVD的反应压强、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的沉积速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,采用傅里叶... 展开更多; 关键词 PECVD SIO2薄膜致密性 boe腐蚀速率; 下载PDF 职称材料

SiO_(2)湿法腐蚀速率分析和形貌控制被引量：1: 4; 作者武艳青张奇 +3 位作者车相辉于峰涛姚文港董风鑫《电子工艺技术》 2021年第6期334-337,共4页; 制备SiO_(2)腐蚀溶液BOE,对SiO_(2)湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析。首先分析了光刻工艺对SiO_(2)薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法。试验结果... 展开更多; 关键词 SiO_(2)薄膜 boe腐蚀液湿法腐蚀腐蚀速率腐蚀形貌; 下载PDF 职称材料

固结磨料研磨K9玻璃亚表面损伤层深度测量方法研究被引量：2: 5; 作者戴子华朱永伟 +2 位作者李军高平左敦稳《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2014年第5期6-12,共7页; 光学工件研磨后亚表面损伤层深度是确定其抛光加工余量的重要依据。采用三种典型的光学材料亚表面损伤层深度测量方法(BOE分步腐蚀法、BOE差动腐蚀法、磁流变抛光斑点法),测量比较了固结磨料研抛垫(FAP)研磨后K9玻璃的亚表面损伤层厚度... 展开更多; 关键词亚表面损伤研磨 boe分步腐蚀法 boe差动腐蚀法磁流变斑点法; 下载PDF 职称材料

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