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Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性
1
作者
李金华
林成鲁
竺士炀
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期51-53,共3页
在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ...
在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ）。实验表明，该结构埋层ＳｉＯ２的存在对器件的辐照性能影响不明显。
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关键词
besoi
器件
CMOS
器件
辐照
铝栅
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职称材料
CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究
2
作者
高剑侠
严荣良
+3 位作者
任迪远
竺士扬
李金华
林成鲁
《微细加工技术》
1995年第3期41-43,共3页
采用Ｉ－Ｖ测试技术，研究了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件的Ｉ－Ｖ亚阈特性与温度的关系。结果表明，随着温度的升高，Ｉ－Ｖ曲线的亚阈斜率减小，且阈电压漂移增加。
关键词
CMOS
器件
besoi
器件
电特性
温度依赖性
下载PDF
职称材料
题名
Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性
1
作者
李金华
林成鲁
竺士炀
机构
江苏石油化工学院功能材料实验室
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期51-53,共3页
文摘
在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ）。实验表明，该结构埋层ＳｉＯ２的存在对器件的辐照性能影响不明显。
关键词
besoi
器件
CMOS
器件
辐照
铝栅
Keywords
Radiation resistant,
besoi
, Integrated circuit
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究
2
作者
高剑侠
严荣良
任迪远
竺士扬
李金华
林成鲁
机构
中国科学院新疆物理所
出处
《微细加工技术》
1995年第3期41-43,共3页
文摘
采用Ｉ－Ｖ测试技术，研究了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件的Ｉ－Ｖ亚阈特性与温度的关系。结果表明，随着温度的升高，Ｉ－Ｖ曲线的亚阈斜率减小，且阈电压漂移增加。
关键词
CMOS
器件
besoi
器件
电特性
温度依赖性
Keywords
I-V tempercqture charateristics
subthreshold slope
drift
CMOS/
besoi
device
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性
李金华
林成鲁
竺士炀
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995
0
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职称材料
2
CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究
高剑侠
严荣良
任迪远
竺士扬
李金华
林成鲁
《微细加工技术》
1995
0
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职称材料
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