日趋成熟的SOI技术 被引量：5

1

作者 赵璋 文羽中 《电子工业专用设备》 2001年第1期15-22,共8页

SOI技术作为 2 1世纪的硅集成技术正在日益受到人们的青睐。从SOI技术的发展过程、制备工艺、开发应用及市场预测几个方面评述了SOI技术现状及前景。

关键词 绝缘体上硅 注氧隔离 硅集成技术 半导体

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薄膜全耗尽CMOS／SOI──下一代超高速Si　IC主流工艺 被引量：3

2

作者 张兴 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期139-143,共5页

本文较为详细地分析了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术的优势和国内外ＴＦＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路的发展状况，讨论了ＳＯＩ技术今后发展的方向，得出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术将成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。

关键词 CMOS/SOI 全耗尽 硅 集成电路 工艺

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WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析 被引量：1

3

作者 竺士炀 林成鲁 +1 位作者 高剑侠 李金华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期348-351,共4页

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线... 用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。 展开更多

关键词 高温特性 besoi CMOS 硅栅器件

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CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较

4

作者 竺士炀 林成鲁 +1 位作者 李金华 高剑侠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期277-283,共7页

用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，... 用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。 展开更多

关键词 SIMOX besoi CMOS 总剂量辐照 Γ射线

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CMOS／SOI的高温特性分析

5

作者 竺士炀 高剑侠 +1 位作者 林成鲁 李金华 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第3期146-149,共4页

采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５～２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线。实验结果显示，薄膜全耗ＳＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。

关键词 半导体材料 CMOS SIMOX besoi 倒相器

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绝压式BESOI负压传感器研制

6

作者 李金华 孙慷 +5 位作者 蒋美萍 周倜 冒建军 焦继传 陆德仁 王渭源 《传感技术学报》 CAS CSCD 1995年第2期50-54,共5页

采取BESOI技术形成带真空腔的绝压式结构,利用凸型梁使形变膜的应力放大,研制出在电源电压5V时,具有输出灵敏度为257.4mV/10~5Pa的绝压式负压传感器芯片.其非线性度约0.1%,未加负压时,输出电压的温漂约400×10^(-6)/℃(FS).

关键词 负压传感器 键合 besoi 传感器

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SOI技术进入工业开发时代 被引量：1

7

作者 王效平 苏德海 《微处理机》 1996年第1期11-14,共4页

本文叙述了SOI衬底材料的加工和检测技术，特别着重介绍了已取得惊人进展的SIMOX（separationbyimplantationofoxygen）和BESOI（BondingandetchbackSOI）技术。论述了SOI衬底在抗辐射电路、ULSI、高温器件、双极和BICMOS器件、微波器... 本文叙述了SOI衬底材料的加工和检测技术，特别着重介绍了已取得惊人进展的SIMOX（separationbyimplantationofoxygen）和BESOI（BondingandetchbackSOI）技术。论述了SOI衬底在抗辐射电路、ULSI、高温器件、双极和BICMOS器件、微波器件、高电压及功率器件、智能传感器、光电子器件的应用。最后讨论了SOI衬底材料和器件在工业开发阶段存在的问题，并展望SOI技术的前景。 展开更多

关键词 SOI SIMOX besoi 半导体器件

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CMOS／BESOI器件的电离辐照特性

8

作者 严荣良 高剑侠 《上海微电子技术和应用》 1996年第1期1-3,13,共4页

采用亚阀Ⅰ－Ⅴ技术，分析了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件在＾６０Ｃｏ－γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明，器件经辐照后产生了较严重的损伤。

关键词 CMOS besoi 电离辐照 微电子器件

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Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性

9

作者 李金华 林成鲁 竺士炀 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期51-53,共3页

在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ... 在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ）。实验表明，该结构埋层ＳｉＯ２的存在对器件的辐照性能影响不明显。 展开更多

关键词 besoi器件 CMOS器件 辐照 铝栅

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CMOS／BESOI电特性的温度依赖性研究

10

作者 高剑侠 严荣良 +3 位作者 任迪远 竺士扬 李金华 林成鲁 《微细加工技术》 1995年第3期41-43,共3页

采用Ｉ－Ｖ测试技术，研究了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件的Ｉ－Ｖ亚阈特性与温度的关系。结果表明，随着温度的升高，Ｉ－Ｖ曲线的亚阈斜率减小，且阈电压漂移增加。

关键词 CMOS器件 besoi器件 电特性 温度依赖性

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介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性

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作者 洪垣 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2001年第2期109-112,共4页

对硅厚膜 BESOI介质隔离横向高压 p- i- n器件的击穿特性作了分析 ,并用计算机进行了模拟 ,从器件的几何图形和隔离偏压方面 ,提出了改善击穿特性的方法 .

关键词 高压p-i-n器件 介质隔离 厚膜besoi 击穿电压 功率集成电路 几何图形 隔离偏压

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BESOI薄膜的缺陷分析和应力研究 被引量：1

12

作者 蒋美萍 黄宜平 李金华 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第3期156-159,共4页

用机械减薄和氧化剥层法获得表层硅厚度约０．４μｍ的ＢＥＳＯＩ薄膜。对这种薄膜用Ｓｅｃｃｏ腐蚀液腐蚀并分析了缺陷种类，计量了缺陷密度。用波长为０．５１４５μｍ的激光Ｒａｍａｎ谱测量了ＢＥＳＯＩ薄膜和界面附近的应力密度。... 用机械减薄和氧化剥层法获得表层硅厚度约０．４μｍ的ＢＥＳＯＩ薄膜。对这种薄膜用Ｓｅｃｃｏ腐蚀液腐蚀并分析了缺陷种类，计量了缺陷密度。用波长为０．５１４５μｍ的激光Ｒａｍａｎ谱测量了ＢＥＳＯＩ薄膜和界面附近的应力密度。结果表明，该薄膜的主要缺陷为氧化层错，密度约１．８×１０３／ｃｍ２，总的缺陷密度为２．６×１０３／ｃｍ２，张应力密度δ≤５×１０３Ｎ／ｃｍ２。 展开更多

关键词 半导体材料 SOI 硅片粘合 缺陷 besoi薄膜

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