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B4C-PE复合材料中子屏蔽性能研究 被引量:2
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作者 孟宪芳 孙超 +2 位作者 张龙 曹可 秦培中 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2019年第3期260-264,共5页
利用252Cf中子源产生快中子场和热中子场,对系列不同B4C含量B4C-PE复合材料的中子宏观截面进行了实验研究和MCNP模拟计算.结果表明:热中子宏观截面在±5%内相符,快中子宏观截面在±10%内相符;B4C-PE复合材料对热中子的屏蔽效果... 利用252Cf中子源产生快中子场和热中子场,对系列不同B4C含量B4C-PE复合材料的中子宏观截面进行了实验研究和MCNP模拟计算.结果表明:热中子宏观截面在±5%内相符,快中子宏观截面在±10%内相符;B4C-PE复合材料对热中子的屏蔽效果明显好于聚乙烯.研究结果可为中子屏蔽材料研发和工程设计提供参考. 展开更多
关键词 252cf中子源 中子宏观截面 Mc模拟 b4c-pe复合材料
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