期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于不同位置掺硼直拉单晶硅片的PERC电池的原位光衰及电注入复原 被引量:1
1
作者 丁思琪 覃诚 +1 位作者 杨宸 艾斌 《中山大学学报(自然科学版)(中英文)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期115-123,共9页
将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅(Cz-Si,Czochralski silicon)棒,从头至尾间隔一定距离切割出5组硅片,采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池(PERC,passivated emitter and rear cell),然后对其进行了暗退火(200℃,3... 将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅(Cz-Si,Czochralski silicon)棒,从头至尾间隔一定距离切割出5组硅片,采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池(PERC,passivated emitter and rear cell),然后对其进行了暗退火(200℃,30 min)→第1次光衰(45℃,1 sun,12 h)→电注入复原(175℃,18 A,30 min)→第2次光衰(45℃,1 sun,12 h)处理,并对其在处理过程中的性能变化进行了跟踪测试。结果表明,所制备的PERC电池的光衰(LID,light induced degradation)和复原(regeneration)由B-O缺陷的光衰和复原反应起主导作用,而Fe-B对的分解起次要作用。第1次光衰时7.03%~9.69%的效率相对降级率,由B-O缺陷引起的光衰和Fe-B对的分解共同造成;而第2次光衰时0.43%~0.81%的效率相对降级率,由Fe-B对的分解单独造成。电注入复原能够完全钝化PERC电池内部的B-O缺陷,且钝化后的B-O缺陷在第2次光衰条件下是稳定的。由硅棒中部硅片制成的PERC电池具有更高的效率和开路电压以及更低的相对衰减率。此外,光衰和复原处理只影响PERC电池在中长波段的光谱响应。 展开更多
关键词 PERC电池 光致衰减 电注入复原 b-o缺陷
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部