B掺杂ZnO纳米薄膜的结构和光学特性研究 被引量：5

1

作者 化麒麟 杨雯 +2 位作者 杨培志 付蕊 邓双 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1116-1119,共4页

采用脉冲磁控溅射法制备了B掺杂ZnO(ZnO:B)纳米薄膜,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计分别研究了薄膜的结构和光学特性。结果表明:ZnO:B为多晶纳米薄膜,具有六方钎锌矿结构,且薄膜沿着c轴取向择优... 采用脉冲磁控溅射法制备了B掺杂ZnO(ZnO:B)纳米薄膜,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计分别研究了薄膜的结构和光学特性。结果表明:ZnO:B为多晶纳米薄膜,具有六方钎锌矿结构,且薄膜沿着c轴取向择优生长;在可见光和近红外光谱区的透光性能良好,其中在可见光区的平均透光率大于84%,而在近红外区的透光率随着波长增加而逐渐降低至45%。运用逐点无约束最优化法分析计算了薄膜的光学常数,在可见光区,ZnO:B纳米薄膜的光学常数随波长的变化很小且数值基本恒定,折射率约为2.0,而在紫外区,光学常数随波长的变化显著。 展开更多

关键词 b掺ZnO(ZnO b)薄膜 光学常数 磁控溅射 逐点无约束最优化法 透射光谱

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特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究 被引量：25

2

作者 尚东 林理彬 +2 位作者 何捷 王静 卢勇 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期523-527,共5页

采用真空蒸发真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻温度关系,及其电阻温度系... 采用真空蒸发真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻温度关系,及其电阻温度系数与晶粒大小、激活能等的关系. 展开更多

关键词 VO2(b)薄膜 真空蒸发 真空退火

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VO2(B)薄膜的制备及特性优化研究 被引量：5

3

作者 魏雄邦 吴志明 +2 位作者 王涛 许向东 蒋亚东 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1361-1365,共5页

采用直流磁控溅射法,在纯氩气氛中溅射V2O5靶材,在覆盖有氮化硅薄膜的P(100)硅基片表面沉积氧化钒薄膜。对沉积的薄膜进行了后续高真空高温退火处理。利用XRD对薄膜的晶相进行了分析,结果表明退火处理前和退火处理后的薄膜都具有VO2各... 采用直流磁控溅射法,在纯氩气氛中溅射V2O5靶材,在覆盖有氮化硅薄膜的P(100)硅基片表面沉积氧化钒薄膜。对沉积的薄膜进行了后续高真空高温退火处理。利用XRD对薄膜的晶相进行了分析,结果表明退火处理前和退火处理后的薄膜都具有VO2各晶面的取向,XPS分析证明了XRD的物相分析结果。对薄膜的方阻特性的测试表明生成的薄膜是典型的VO2(B)薄膜,退火后的薄膜方阻减小,方阻温度系数也降低。在此基础上,利用薄膜晶界散射理论,通过改变薄膜沉积时间和沉积温度使薄膜的方阻和方阻温度系数随薄膜厚度和晶粒大小而变化,从而使薄膜的电性能达到优化。 展开更多

关键词 VO2(b)薄膜 直流磁控溅射 方阻 方阻温度系数

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纳米晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究 被引量：2

4

作者 李晓东 袁望治 +2 位作者 赵振杰 阮建中 杨燮龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期686-688,共3页

　研究了纳米晶态下Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应。研究结果表明纵向巨磁阻抗(LMI)效应在3MHz时取得最大值为44%,横向巨磁阻抗(TMI)效应在6MHz时取得最大值为46%。LMI与TMI随外磁场有不同的变化行为,TMI曲线具有阈值... 　研究了纳米晶态下Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应。研究结果表明纵向巨磁阻抗(LMI)效应在3MHz时取得最大值为44%,横向巨磁阻抗(TMI)效应在6MHz时取得最大值为46%。LMI与TMI随外磁场有不同的变化行为,TMI曲线具有阈值行为,超过阈值磁场后出现明显的磁阻抗效应。晶化后出现最大值阻抗效应所对应的频率下降,由非晶态下的13MHz下降为晶化后的3MHz。薄膜样品的磁阻抗效应与样品中磁矩的空间分布密切相关,磁矩垂直面向分布时,磁阻抗效应下降为5% 展开更多

关键词 X射线衍射谱 Moessbauer谱 巨磁阻抗效应 Fe73.5Cu1Nb3Si13.5 b9薄膜

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掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性 被引量：2

5

作者 彭英才 康建波 +3 位作者 马蕾 张雷 王侠 范志东 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期471-474,465,共5页

采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼(B)掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si(nc-poly-Si(B))薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等手段,检测... 采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼(B)掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si(nc-poly-Si(B))薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等手段,检测和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸和密度分布等结构特征。结果表明,在典型工艺条件下,获得了晶粒尺寸为大约15 nm和密度分布为大约9×1010cm-2的nc-poly-Si(B)薄膜。样品经退火处理后,Si晶粒尺寸变大,排列更加有序,而且电导特性明显改善。利用常规四探针法测量了样品的薄层电阻,并讨论了B掺杂浓度和退火温度对薄膜电学性质的影响。 展开更多

关键词 LPCVD nc-poly-Si(b)薄膜 结构特征 热退火 电学性质

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恒电位电化学沉积Fe-Pt-B合金薄膜的研究

6

作者 葛洪良 吴琼 +1 位作者 卫国英 王子生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期1037-1038,共2页

Fe-Pt合金薄膜作为最具有发展潜力的高密度磁记录材料而成为研究的热点．通过循环伏安法，得到了Fe-Pt-B合金薄膜最佳沉积电位。在优化条件下，采用电化学沉积法制备了Fe-Pt-B合金薄膜。利用X荧光光谱仪（EDX）、振动样品磁强计（VSM）... Fe-Pt合金薄膜作为最具有发展潜力的高密度磁记录材料而成为研究的热点．通过循环伏安法，得到了Fe-Pt-B合金薄膜最佳沉积电位。在优化条件下，采用电化学沉积法制备了Fe-Pt-B合金薄膜。利用X荧光光谱仪（EDX）、振动样品磁强计（VSM）和透射扫描电镜（SEM）对薄膜的组成、磁性能和形貌进行了初步研究．结果表明Fe-Pt合金薄膜中B的掺入可以增强薄膜的结晶度． 展开更多

关键词 Fe-Pt-b合金薄膜 电化学沉积 薄膜形貌

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铁基纳米微晶薄膜巨磁阻抗效应的Mossbauer研究 被引量：1

7

作者 李晓东 袁望治 +2 位作者 赵振杰 阮建中 杨燮龙 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期754-757,共4页

本文采用 M?ssbauer 谱学方法以及其它手段对 FeCuNbSiB 薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨。研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α ? FeSi相对提高材料的软磁性能有利外,同时随退火温度变... 本文采用 M?ssbauer 谱学方法以及其它手段对 FeCuNbSiB 薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨。研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α ? FeSi相对提高材料的软磁性能有利外,同时随退火温度变化样品中磁矩分布方向会发生重取向。由制备态到 570 ℃退火温度期间,薄膜样品磁矩取向发生由平行于平面为主变为垂直为主,而后再转变为平行为主。这些因素对多层膜巨磁阻抗效应的变化会产生重要影响,尤其当磁矩在垂直于平面方向分布占优势时,磁阻抗效应会显著下降。 展开更多

关键词 巨磁阻抗效应 MOSSbAUER谱 Fe73.5Cu1Nb3Si13.5b9薄膜 磁矩

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脉冲磁控溅射制备硼掺杂氧化锌纳米薄膜的光学特性研究

8

作者 化麒麟 杨培志 《纳米科技》 2013年第5期78-82,共5页

采用脉冲磁控溅射法制备硼掺杂氧化锌（ZnO：B）纳米薄膜，研究了其结构和光学特性，经XRD分析，ZnO：B为多晶纳米薄膜，具有六方钎锌矿结构，薄膜沿着c轴取向择优生长。薄膜在可见光和近红外光谱区的透光性很好，其中在可见光区的平均... 采用脉冲磁控溅射法制备硼掺杂氧化锌（ZnO：B）纳米薄膜，研究了其结构和光学特性，经XRD分析，ZnO：B为多晶纳米薄膜，具有六方钎锌矿结构，薄膜沿着c轴取向择优生长。薄膜在可见光和近红外光谱区的透光性很好，其中在可见光区的平均透光率可达84％以上，而在近红外区的透光率随着波长增加而逐渐降低至45％。在可见光区，ZnO：B纳米薄膜的光学常数随波长的变化很小且数值基本趋于恒定，而在紫外区，光学常数随波长的变化很明显，并且在367nm和397nm附近存在两个紫外发光峰。 展开更多

关键词 ZNO b纳米薄膜 透射光谱 光学常数 光致发光

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1.0 MeV电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与光谱改变研究

9

作者 王玲珑 孟庆凯 +3 位作者 何捷 郭英杰 苏瑞 陈家胜 《光散射学报》 北大核心 2010年第2期151-156,共6页

本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VO2（B）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，同时使用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计对薄膜进行测试，分析了电子辐照对薄膜结构、形貌与紫外-可见光谱（280-880nm）的影响。... 本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VO2（B）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，同时使用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计对薄膜进行测试，分析了电子辐照对薄膜结构、形貌与紫外-可见光谱（280-880nm）的影响。结果显示：电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应，电子辐照使薄膜的表面晶粒细化，辐照后薄膜光谱的吸收峰位发生移动，其移动的最大位移达到21nm，辐照后薄膜的光学禁带宽度也有所增加。 展开更多

关键词 VO2(b)薄膜 注量 结构 光谱 光学禁带宽度

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硼氢化钠对滑轮用铸钢板化学镀Ni-B合金薄膜性能的影响

10

作者 黄建娜 刘松林 《电镀与环保》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期22-24,共3页

在滑轮用铸钢板上化学镀Ni-B合金薄膜,并研究了硼氢化钠的质量浓度对化学镀Ni-B合金薄膜性能的影响。结果表明:适当增加硼氢化钠的质量浓度,有利于增大化学镀Ni-B合金薄膜的厚度及硼的质量分数,从而提高化学镀Ni-B合金薄膜的硬度。当硼... 在滑轮用铸钢板上化学镀Ni-B合金薄膜,并研究了硼氢化钠的质量浓度对化学镀Ni-B合金薄膜性能的影响。结果表明:适当增加硼氢化钠的质量浓度,有利于增大化学镀Ni-B合金薄膜的厚度及硼的质量分数,从而提高化学镀Ni-B合金薄膜的硬度。当硼氢化钠的质量浓度大于1.2 g/L时,硼氢化钠的水解速率加快及剧烈的析氢反应,导致化学镀Ni-B合金薄膜的厚度及硬度有所降低。当硼氢化钠的质量浓度为1.2 g/L时,化学镀Ni-B合金薄膜表面"胞状"颗粒均匀、致密,摩擦因数和磨损率最低,具有最佳的耐磨性。 展开更多

关键词 滑轮 化学镀Ni-b合金薄膜 耐磨性

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缓冲层对太阳电池用ZnO:B薄膜结构及其光电性能的影响 被引量：6

11

作者 杨旭 陈新亮 +6 位作者 张建军 闫聪博 赵慧旭 高海波 耿新华 赵颖 张晓丹 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2337-2342,共6页

通过优化ZnO缓冲层(buffer layer),有效地改善了由金属有机化学气相沉积(MOVCD)法制备的ZnO:B薄膜的光电特性。结果表明,"富氧"的缓冲层有效增加了ZnO:B-TCO的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求。经... 通过优化ZnO缓冲层(buffer layer),有效地改善了由金属有机化学气相沉积(MOVCD)法制备的ZnO:B薄膜的光电特性。结果表明,"富氧"的缓冲层有效增加了ZnO:B-TCO的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求。经过优化的ZnO:B,"类金字塔"状晶粒尺寸约300～500nm,波长550nm处绒度(haze)为10.8%,薄膜电子迁移率为20.7cm2/Vs,电阻率为2.14×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.41×1020cm-3,且在400～1 500nm波长范围内的平均透过率为83%(含2mm厚玻璃衬底)。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积(MOCVD) ZnO b薄膜 透明导电氧化物(TCO) 缓冲层 薄膜 太阳电池

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关于退火温度对VO_2薄膜制备及其电学性质影响的研究 被引量：14

12

作者 王静 何捷 刘中华 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期365-370,共6页

采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+... 采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势. 展开更多

关键词 VO2(A)型薄膜 VO2(b)型薄膜 四方晶系VO2的薄膜 退火温度

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溅射时间对硼掺杂ZnO薄膜性能的影响 被引量：8

13

作者 化麒麟 付蕊 +1 位作者 杨雯 杨培志 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期16-18,22,共4页

采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构、光学和电学特性的关系。结果表明:ZnO∶B是多晶薄... 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构、光学和电学特性的关系。结果表明:ZnO∶B是多晶薄膜,具有六方钎锌矿结构且呈c轴择优取向,其透明导电性能优良,在可见光谱范围的平均透光率超过80%,薄膜电阻率随溅射时间延长而降低至3.0×10-3Ω·cm。 展开更多

关键词 ZnO∶b薄膜 溅射时间 光电特性 透光率

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N_2流量比对复合磁控溅射Zr-B-N薄膜结构和性能的影响 被引量：7

14

作者 王铁钢 郭玉垚 +3 位作者 唐宽瑜 刘艳梅 林伟 姜肃猛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期210-217,共8页

目的在反应沉积时补充金属离子,增加薄膜中金属氮化物硬质相的数量,优化复合磁控溅射Zr-B-N薄膜的制备工艺,揭示N_2流量比(N_2/(N_2+Ar))对Zr-B-N薄膜结构和性能的影响规律,进一步强化Zr-B-N纳米复合薄膜。方法采用高功率脉冲磁控溅射... 目的在反应沉积时补充金属离子,增加薄膜中金属氮化物硬质相的数量,优化复合磁控溅射Zr-B-N薄膜的制备工艺,揭示N_2流量比(N_2/(N_2+Ar))对Zr-B-N薄膜结构和性能的影响规律,进一步强化Zr-B-N纳米复合薄膜。方法采用高功率脉冲磁控溅射和脉冲直流磁控溅射复合镀膜技术沉积Zr-B-N薄膜,借助X射线衍射仪、能谱仪、扫描电镜、纳米压痕仪、划痕测试仪和摩擦试验机,研究N_2流量比对Zr-B-N薄膜成分、微观结构、力学性能和摩擦性能的影响。结果Zr-B-N薄膜具有典型的纳米复合结构,即BN非晶层包裹着ZrB_2、Zr_3N_4、Zr_2N、Zr N等纳米晶,所有Zr-B-N薄膜均沿(100)晶面择优生长。随着N_2流量的增加,(100)晶面的衍射峰宽化加剧;薄膜硬度由36.2 GPa下降到21.0 GPa;膜/基结合力逐渐增强,临界载荷从34.8 N增加到55.8 N;摩擦系数逐渐增大。当N_2流量比为42.9%时,摩擦系数相对较低,约为0.48,归因于薄膜内形成了沿(220)晶面生长的ZrN相,从而起到了良好的减摩作用。结论当N_2流量比为42.9%时,Zr-B-N薄膜具有纳米复合结构和良好的各项性能。 展开更多

关键词 纳米复合薄膜 Zr-b-N薄膜 显微硬度 膜/基结合力 摩擦系数

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磁控溅射Al-Mg-B薄膜成分优化 被引量：5

15

作者 曲文超 吴爱民 +2 位作者 吴占玲 白亦真 姜辛 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期628-633,共6页

采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯度Al,Mg和B单质靶材为溅射源,室温下在单晶Si(100)表面上成功制备了低摩擦系数的非晶态Al-Mg-B硬质薄膜.通过改变Al/Mg混合靶体积配比及靶材溅射功率来调控薄膜成分,最终制备的Al-Mg-B薄膜成分接近AlMgB... 采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯度Al,Mg和B单质靶材为溅射源,室温下在单晶Si(100)表面上成功制备了低摩擦系数的非晶态Al-Mg-B硬质薄膜.通过改变Al/Mg混合靶体积配比及靶材溅射功率来调控薄膜成分,最终制备的Al-Mg-B薄膜成分接近AlMgB_(14)相的元素成分比,其Vickers硬度约为32 GPa.XRD及HR-TEM分析表明.制备的薄膜均为非晶态XPS测试表明薄膜内部存在B-B及Al-B单键;FTIR进一步测试表明,在波数1100 cm^(-1)处出现较为明显的振动吸收峰,证明制备的薄膜中含有B_(12)二十面体结构,这也是薄膜具有超硬性的主要原因.薄膜摩擦磨损测试表明薄膜摩擦系数在0.07左右. 展开更多

关键词 磁控溅射 Al-Mg-b薄膜 硬度 b_(12)二十面体

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真空度对VO_2(B)型薄膜制备及光电特性的影响 被引量：5

16

作者 刘中华 何捷 +3 位作者 孟庆凯 张雷 宋婷婷 孙鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1370-1374,共5页

对不同真空度下得到的VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质进行测试和分析，以探讨退火真空度对VO2（B）型薄膜的影响。以高纯五氧化二钒（V2O5）粉末（纯度高于99．99％，质量分数）为原料，采用真空蒸发——还原工艺... 对不同真空度下得到的VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质进行测试和分析，以探讨退火真空度对VO2（B）型薄膜的影响。以高纯五氧化二钒（V2O5）粉末（纯度高于99．99％，质量分数）为原料，采用真空蒸发——还原工艺，分别在高、低真空度下还原出VO2（B）型（空间群为C2/m）薄膜。利用X射线衍射（XRD）仪，X射线光电子能谱仪（XPS），电阻温度关系（TCR）测试仪和紫外可见分光光度计对薄膜进行测试，讨论了退火真空度对VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质的影响。结果显示，在高、低真空度下退火，VO2（B）型薄膜出现的温度范围是不同的，在低真空度下退火出现的范围在400～480℃，而在高真空度下退火出现的范围只有400～440℃；高真空度退火得到薄膜的晶粒较大，透过率较低真空度得到的薄膜高7％～8％；但在低真空度下退火，薄膜中的V更易被还原，电阻温度系数绝对值更大，最大可达-2．4％／K。 展开更多

关键词 薄膜 VO2(b)型薄膜 真空度 光电特性

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新型酞菁铜L-B薄膜及其气敏特性 被引量：4

17

作者 吕安德 李亚君 +2 位作者 庞小敏 蒋大鹏 华玉林 《功能材料》 EI CAS CSCD 1991年第1期41-45,共5页

合成了一种新型的酞菁铜衍生物——四—4-(2、4-二特戊基苯氧基)酞菁铜(以下简称tapCuPc)。藉助紫外——可见吸收光谱和透射电镜获得的表面形貌和膜层厚度的照片,研究了成膜条件对成膜质量的影响。在最佳成膜条件下,得到了平滑而均匀的... 合成了一种新型的酞菁铜衍生物——四—4-(2、4-二特戊基苯氧基)酞菁铜(以下简称tapCuPc)。藉助紫外——可见吸收光谱和透射电镜获得的表面形貌和膜层厚度的照片,研究了成膜条件对成膜质量的影响。在最佳成膜条件下,得到了平滑而均匀的表面结构。用Langmuir-Blodgett(L—B)薄膜技术在平面又指电极上沉积LapCuPc L—B薄膜。制成高灵敏、优良选择性,快速响应和恢复特性的气敏传感原理型器件。研究了气敏响应特性。发现tapCuPc LB薄膜对NH_3具有单一的探测选择性,对NO_2,H_2S和SO_2等不敏感.当吸附NH_3时,LB薄膜的平面电导明显增加。对于空气中含有100ppm(百万分之一单位)NH_3浓度的混合气氛,得到响应时间为32s。恢复时间为13min,对空气中NH_3的探测灵敏度可达几个ppm。 展开更多

关键词 酞菁铜 L-b薄膜 气敏特性

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利用MFM研究薄膜厚度对Co_(60)Fe_(20)B_(20)薄膜磁畴结构的影响 被引量：1

18

作者 沈博侃 王志红 +1 位作者 钟智勇 曾慧中 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第3期200-203,共4页

本文利用磁力显微镜(MFM)主要研究了由磁控溅射法制备的Co60Fe20B20软磁薄膜的厚度变化(2.5nm^400nm)对薄膜磁畴结构的影响。在室温下观察到垂直各向异性随薄膜厚度的增大而增大。从薄膜的表面形貌像观察到在溅射过程中薄膜温度随薄膜... 本文利用磁力显微镜(MFM)主要研究了由磁控溅射法制备的Co60Fe20B20软磁薄膜的厚度变化(2.5nm^400nm)对薄膜磁畴结构的影响。在室温下观察到垂直各向异性随薄膜厚度的增大而增大。从薄膜的表面形貌像观察到在溅射过程中薄膜温度随薄膜厚度增大而升高。当薄膜厚度小于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而增大;当薄膜厚度大于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而减小;厚度在20nm附近时,畴壁尺寸达到一个最小值。 展开更多

关键词 磁畴 Co60Fe20 b20软磁薄膜 薄膜厚度 垂直各向异性

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溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响 被引量：4

19

作者 化麒麟 杨培志 +3 位作者 杨雯 付蕊 邓双 彭柳军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期833-836,共4页

采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1～3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响。结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光... 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1～3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响。结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光率高于80%,近红外波段的透过率及薄膜的电阻率与溅射气压成正比;折射率n随溅射气压降低呈下降趋势,其值介于1.92～2.09之间;在较低的溅射气压下(PAr=0.1 Pa)获得的薄膜电阻率最小(3.7×10-3Ω.cm),且对应着小的光学带隙(Eg=3.463 eV)。 展开更多

关键词 磁控溅射 ZnO∶b薄膜 溅射气压 透过率 电阻率 折射率

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纳米复合Ti-B-N薄膜的结构和摩擦学性能 被引量：4

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作者 马大衍 马胜利 +2 位作者 徐可为 刘维民 S.Veprek 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1597-1600,共4页

研究了射频等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术获得的Ti-B-N薄膜的组织结构和力学性能。结果发现,B元素的加入使薄膜中出现TiN纳米晶和BN非晶(nc-TiN/a-BN)的复合结构,其硬度显著高于TiN薄膜,最高可达40GPa。用球盘式摩擦磨损实验考察... 研究了射频等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术获得的Ti-B-N薄膜的组织结构和力学性能。结果发现,B元素的加入使薄膜中出现TiN纳米晶和BN非晶(nc-TiN/a-BN)的复合结构,其硬度显著高于TiN薄膜,最高可达40GPa。用球盘式摩擦磨损实验考察了薄膜的磨损特性。结果表明:与TiN薄膜相比,Ti-B-N薄膜抗磨损性能有显著提高,磨损机制与TiN薄膜不同,摩擦系数较TiN稍高。 展开更多

关键词 PCVD Ti-b-N薄膜 硬度 耐磨性

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