AuSn合金在电子封装中的应用及研究进展 被引量：18

1

作者 李金龙 谈侃侃 +3 位作者 张志红 胡琼 罗俊 李双江 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期539-546,共8页

AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用。从电子封装无铅化和合金... AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装(CSP)等方面得到广泛的应用。从电子封装无铅化和合金焊料的可靠性等方面,对AuSn合金焊料的物相结构和材料性能进行了讨论,并对AuSn合金焊料在电子封装中的应用及其研究进展进行了总结和展望。 展开更多

关键词 ausn 合金焊料 电子封装

下载PDF 职称材料

微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微观组织结构研究 被引量：5

2

作者 吴娜 胡永芳 +1 位作者 严伟 李孝轩 《电子机械工程》 2016年第4期50-53,共4页

文中采用Au80Sn20共晶焊料对Ga As功率芯片与Mo Cu基板进行焊接,分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响,给出了Ga As芯片共晶焊的工艺参数控制要求,通过扫描电镜及能谱仪分析接头的显微组织、元素分布,通过X射线检测仪测... 文中采用Au80Sn20共晶焊料对Ga As功率芯片与Mo Cu基板进行焊接,分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响,给出了Ga As芯片共晶焊的工艺参数控制要求,通过扫描电镜及能谱仪分析接头的显微组织、元素分布,通过X射线检测仪测定接头的孔洞率,研究Ga As芯片背面和Mo Cu基板表面的镀层与焊料之间的相互作用以及焊缝的凝固过程。Ga As芯片背面的Au层部分溶解在Au Sn焊料中,Mo Cu基板表面的Au层完全溶解在Au Sn焊料中,焊缝与Ni层结合,焊缝由靠近两侧母材的ζ-Au5Sn金属间化合物层和中间的Au-Sn共晶组织组成。 展开更多

关键词 ausn GAAS 镀层 共晶焊接 微观组织

下载PDF 职称材料

AuSn/(Ni/AlSi)焊点的界面反应及剪切强度 被引量：1

3

作者 王檬 朱志云 +1 位作者 韦小凤 冯艳 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期58-63,共6页

分别采用双辊甩带快速凝固技术和喷射沉积技术制备AuSn焊料和AlSi合金,研究AuSn/(Ni/AlSi)焊点的界面反应特征及固相老化退火时间对焊点组织和剪切强度的影响。研究结果表明:在300℃钎焊90 s后,AuSn/(Ni/AlSi)焊点形成细小的层状(ζ-Au5... 分别采用双辊甩带快速凝固技术和喷射沉积技术制备AuSn焊料和AlSi合金,研究AuSn/(Ni/AlSi)焊点的界面反应特征及固相老化退火时间对焊点组织和剪切强度的影响。研究结果表明:在300℃钎焊90 s后,AuSn/(Ni/AlSi)焊点形成细小的层状(ζ-Au5Sn)+(δ-AuSn)共晶组织和针状的(Ni,Au)3Sn2相。焊点在200℃固相老化退火不同时间后,共晶组织明显粗化,焊料/基体界面处形成(Au,Ni)Sn+(Ni,Au)3Sn2复合金属间化合物(IMC)层,且随退火时间延长逐渐增大。退火时间达1 000 h时,在(Ni,Au)3Sn2/Ni界面处产生(Ni,Au)3Sn相。当退火时间小于300 h时,焊点剪切强度随退火时间延长逐渐降低,断裂形式主要是发生在焊料/IMC界面的脆性断裂。退火时间继续延长剪切强度基本不变,断裂主要发生在IMC内部,而且从断裂模型沿晶断裂转变为穿晶断裂。 展开更多

关键词 ausn (Ni AlSi)焊点 固相老化退火 金属间化合物(IMC) 脆性断裂

下载PDF 职称材料

大功率半导体激光器热沉技术研究

4

作者 芦鹏 刘国军 《无线互联科技》 2019年第23期109-110,共2页

文章选取AuSn过渡热沉替代原来的In焊料,克服了In焊料引起的器件寿命使用偏低、针对激光器结温影响大等缺点,并对过渡热沉的结构设计和焊接工艺做了进一步研究,设计出新型AuSn过渡热沉的焊装结构。经过结温—漏电流测试可以得到更为优... 文章选取AuSn过渡热沉替代原来的In焊料,克服了In焊料引起的器件寿命使用偏低、针对激光器结温影响大等缺点,并对过渡热沉的结构设计和焊接工艺做了进一步研究,设计出新型AuSn过渡热沉的焊装结构。经过结温—漏电流测试可以得到更为优良的散热效果,外推寿命从6134 h提高到20363 h,提高了器件的可靠性。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 ausn 过渡热沉 结温

下载PDF 职称材料

Au-Sn焊点异质界面的耦合反应及其对力学性能的影响

5

作者 朱学卫 韦小凤 +2 位作者 黄玉祥 卫启哲 程小利 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期821-828,共8页

为了探讨Au-Sn异质焊点耦合界面反应对界面IMC层生长行为及焊点力学性能的影响,采用回流焊技术制备Ni/AuSn/Ni和Cu/AuSn/Ni三明治结构焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)与能谱分析(EDS)研究焊点在钎焊与老化退火中的组织演变。研究结果表明... 为了探讨Au-Sn异质焊点耦合界面反应对界面IMC层生长行为及焊点力学性能的影响,采用回流焊技术制备Ni/AuSn/Ni和Cu/AuSn/Ni三明治结构焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)与能谱分析(EDS)研究焊点在钎焊与老化退火中的组织演变。研究结果表明:在钎焊中Ni-Ni焊点的Au Sn/Ni界面形成(Ni,Au)_3Sn_2金属间化合物(IMC)层,而Cu-Ni焊点的AuSn/Ni界面形成(Ni,Au,Cu)_3Sn_2四元IMC层,表明钎焊过程中上界面的Cu原子穿过Au Sn焊料到达Ni界面参与耦合反应。在老化退火中,界面IMC层的厚度l随退火时间t延长而逐渐增大,其生长规律符合扩散控制机制的关系式:l=k(t/t_0)~n。在160℃和200℃退火时,(Ni,Au)_3Sn_2层的生长以晶界扩散和体积扩散为主。由于Cu原子的耦合作用,(Ni,Au,Cu)_3Sn_2层的生长以反应扩散为主。Cu-Ni异质界面焊点中,Cu的耦合作用抑制了Au Sn/Ni界面(Ni,Au,Cu)_3Sn_2IMC层的生长,减缓了焊点剪切强度的下降速度,有利于提高焊点的可靠性。 展开更多

关键词 ausn 焊点 异质界面 耦合反应 界面金属间化合物(IMC) 生长行为

下载PDF 职称材料

功率器件镀金管壳发黑现象分析 被引量：2

6

作者 蒋庆磊 王燕清 +2 位作者 林元载 杨海华 李赛鹏 《电子工艺技术》 2020年第2期80-82,90,共4页

针对一种高功率器件在使用过程中镀金管壳底部发黑的问题,采用光学检查、扫描电镜、能谱分析以及XRD分析等手段对底部发黑区域的形貌、组成以及物质等进行分析和讨论。试验结果表明,功率器件装焊过程中流入的助焊剂导致底部发黑,黑色区... 针对一种高功率器件在使用过程中镀金管壳底部发黑的问题,采用光学检查、扫描电镜、能谱分析以及XRD分析等手段对底部发黑区域的形貌、组成以及物质等进行分析和讨论。试验结果表明,功率器件装焊过程中流入的助焊剂导致底部发黑,黑色区域主要包括AuSn、Au、Sn以及CHO类物质,在温度和助焊剂的作用下,Sn通过晶界扩散的方式向管壳底部的Au中快速扩散,形成了AuSn金属间化合物。增加功率器件搪锡后及安装前清洗工序以及优化焊接后的清洗要求,可有效避免发黑现象的出现。 展开更多

关键词 功率器件 镀金 助焊剂 金锡 扩散 金属间化合物

下载PDF 职称材料

铜复合材料功率外壳钎焊失效分析与改进 被引量：1

7

作者 谢新根 程凯 +1 位作者 申艳艳 李鑫 《电子与封装》 2018年第5期1-4,共4页

通过对铜复合材料功率外壳钎焊失效案例的分析,发现国内业界在热沉加工过程中存在的不足,如采用了砂纸打磨、氧化铝喷砂等工艺,导致外壳存在可靠性隐患,也直接导致该类外壳热沉表面粗糙度大(正常为~1.6μm,失效批次为~2.6μm),与进口热... 通过对铜复合材料功率外壳钎焊失效案例的分析,发现国内业界在热沉加工过程中存在的不足,如采用了砂纸打磨、氧化铝喷砂等工艺,导致外壳存在可靠性隐患,也直接导致该类外壳热沉表面粗糙度大(正常为~1.6μm,失效批次为~2.6μm),与进口热沉表面粗糙度(~0.55μm)存在较大差异。如对热沉加工提出要求,热沉的表面粗糙度可改善至~0.7μm,将大幅提升外壳的一致性和可靠性。 展开更多

关键词 功率外壳 金锡 铜-钼-铜 铜-钼铜-铜 铜-钨铜-铜

下载PDF 职称材料

镀覆工艺对功率外壳金锡/金硅焊接的可靠性研究 被引量：1

8

作者 谢新根 程凯 +1 位作者 李鑫 孙林 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期144-149,共6页

通过功率外壳金硅(AuSi)焊接失效案例,研究了铜-钼铜-铜(CPC)、铜-钼-铜(CMC)为热沉材料的功率外壳镀覆工艺,包括在CPC(或CMC)材料无氧铜表面高温重新形成晶格,采用外延生长型NiCo/Au替代Ni/Au镀层。镀覆工艺优化后,功率外壳金锡(AuSn)... 通过功率外壳金硅(AuSi)焊接失效案例,研究了铜-钼铜-铜(CPC)、铜-钼-铜(CMC)为热沉材料的功率外壳镀覆工艺,包括在CPC(或CMC)材料无氧铜表面高温重新形成晶格,采用外延生长型NiCo/Au替代Ni/Au镀层。镀覆工艺优化后,功率外壳金锡(AuSn)或AuSi芯片焊接可靠性得到了显著改善。 展开更多

关键词 功率外壳 金锡 金硅 晶格 外延生长 镍钴

下载PDF 职称材料

激光器芯片烧结用AuSn薄膜焊料制造技术研究 被引量：1

9

作者 刘凯 罗燕 +2 位作者 任卫鹏 王立春 彭斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期106-110,共5页

共晶成分的金锡合金焊料AuSn20,具有较高的热导率、剪切强度、抗热疲劳性和抗腐蚀性,在高功率电子器件和光电子器件封装中应用广泛.本文在AlN陶瓷基板上,通过分层电镀Au/Sn/Au三层薄膜并合金化的方法,在AlN陶瓷表面制备了一种预制AuSn2... 共晶成分的金锡合金焊料AuSn20,具有较高的热导率、剪切强度、抗热疲劳性和抗腐蚀性,在高功率电子器件和光电子器件封装中应用广泛.本文在AlN陶瓷基板上,通过分层电镀Au/Sn/Au三层薄膜并合金化的方法,在AlN陶瓷表面制备了一种预制AuSn20合金焊料的基板.分析了焊料的成分及性能,结果满足国军标GJB 548B-2005《微电子器件试验方法和程序》的剪切强度要求.用该基板封装激光二极管后达到设计功率,光功率效率为35%. 展开更多

关键词 金锡 薄膜 分层电镀 共晶 合金化 激光二极管

下载PDF 职称材料

AuSn20钎料与镀Au/Ni可伐合金钎焊界面显微组织研究

10

作者 钟海锋 刘平 冯斌 《浙江冶金》 2021年第3期12-15,共4页

本文将AuSn20合金钎料与镀Au/Ni的可伐合金进行钎焊,采用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)分析研究AuSn20合金钎料以及钎焊反应后的焊缝区域成分及形貌结构。研究发现,AuSn20合金钎料为两相组织,分别为δ(AuSn)相和ζ'(Au5Sn)相;当钎焊... 本文将AuSn20合金钎料与镀Au/Ni的可伐合金进行钎焊,采用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)分析研究AuSn20合金钎料以及钎焊反应后的焊缝区域成分及形貌结构。研究发现,AuSn20合金钎料为两相组织,分别为δ(AuSn)相和ζ'(Au5Sn)相;当钎焊温度为290℃,保温10s后,焊缝区域为层叠相间的δ(AuSn)和ζ'(Au5Sn)相组成的共晶组织,AuSn合金钎料与镀Au层并未反应,中间有较为明显的裂纹;当钎焊温度为310℃,保温10s后,焊缝区域除了由δ(AuSn)和ζ'(Au5Sn)相组成的共晶组织外,还出现了大块胞状的ζ'(Au5Sn)相,AuSn合金钎料与镀Au层焊接良好,未产生裂纹缺陷。 展开更多

关键词 ausn 钎焊 可伐合金

下载PDF 职称材料

金锡焊料及其在电子器件封装领域中的应用 被引量：66

11

作者 周涛 汤姆.鲍勃 +1 位作者 马丁.奥德 贾松良 《电子与封装》 2005年第8期5-8,共4页

本文介绍了Au80%Sn20%焊料的基本物理性能。同时介绍了这种焊料在微电子、光电子封装中的应用。

关键词 金锡合金 微电子 光电子 封装

下载PDF 职称材料

采用金锡合金的气密性封装工艺研究 被引量：20

12

作者 姚立华 吴礼群 +3 位作者 蔡昱 徐波 胡进 张巍 《电子工艺技术》 2010年第5期267-270,共4页

根据功率器件的气密性封装要求,设计了完整的金锡封焊工艺方法和流程,研究了工艺中的技术难点,提出了确保封装工艺稳定性和可靠性的技术要点。实验选用Au80Sn20预成型焊环作为封接材料对器件进行气密性封装。通过大量试验得出了最佳工... 根据功率器件的气密性封装要求,设计了完整的金锡封焊工艺方法和流程,研究了工艺中的技术难点,提出了确保封装工艺稳定性和可靠性的技术要点。实验选用Au80Sn20预成型焊环作为封接材料对器件进行气密性封装。通过大量试验得出了最佳工艺曲线(包括温度、时间、气氛和压力等)。密封后的产品在经受各项环境试验和机械试验后,其结构完整性、电学特性、机械牢固性和封装气密性均能很好地满足要求,证明了采用倒置型装配的金锡封焊工艺的可行性及优越性。 展开更多

关键词 金锡焊料 气密性封装 钎焊 倒置型装配

下载PDF 职称材料

AuSn钎料及镀层界面金属间化合物的演变 被引量：13

13

作者 张威 王春青 阎勃晗 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1143-1145,共3页

对激光软钎焊下AuSn钎料与Au和Au/Ni金属化镀层界面形成的金属间化合物进行SEM及EDX分析,并讨论激光输入能量对界面金属间化合物演变规律的影响。研究结果表明:在激光加热及快速冷却条件下,Au迅速溶解到界面附近的钎料中,使得成分偏离... 对激光软钎焊下AuSn钎料与Au和Au/Ni金属化镀层界面形成的金属间化合物进行SEM及EDX分析,并讨论激光输入能量对界面金属间化合物演变规律的影响。研究结果表明:在激光加热及快速冷却条件下,Au迅速溶解到界面附近的钎料中,使得成分偏离共晶点,界面处生成稳定的Au5Sn;随着激光功率及加热时间的增加,未完全溶解的Au层变薄,Au5Sn向钎料内部长大。 展开更多

关键词 ausn钎料 激光软钎焊 金属间化合物

下载PDF 职称材料

AuSn钎料及AuSn/Ni焊点的组织性能研究 被引量：8

14

作者 韦小凤 王檬 +2 位作者 王日初 彭超群 冯艳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期639-643,共5页

分别采用叠轧-合金化法和回流焊技术制备AuSn箔材钎料和AuSn/Ni焊点,用扫描电子显微镜及电子万能试验机研究钎焊时间对AuSn/Ni界面组织及焊点剪切性能的影响。结果表明:采用叠轧-合金化法制备的AuSn钎料的熔点和化学成分都接近Au-20Sn... 分别采用叠轧-合金化法和回流焊技术制备AuSn箔材钎料和AuSn/Ni焊点,用扫描电子显微镜及电子万能试验机研究钎焊时间对AuSn/Ni界面组织及焊点剪切性能的影响。结果表明:采用叠轧-合金化法制备的AuSn钎料的熔点和化学成分都接近Au-20Sn共晶钎料。Ni/AuSn/Ni焊点在330℃钎焊30s时形成良好的层状ζ-(Au,Ni)5Sn+δ-(Au,Ni)Sn共晶组织;钎焊60s时,AuSn/Ni界面产生薄而平直的(Ni,Au)3Sn2金属间化合物(IMC)层和针状(Ni,Au)3Sn2化合物;随着钎焊时间继续延长,(Ni,Au)3Sn2IMC层厚度明显增加,针状(Ni,Au)3Sn2化合物异常长大。同时,随着钎焊时间延长Ni/AuSn/Ni钎焊接头的剪切强度先增加后减小,钎焊90s时的剪切强度达到最高12.49MPa。 展开更多

关键词 ausn钎料 ausn Ni焊点 界面反应 金属间化合物(IMC) 剪切强度

原文传递

电化学制备金锡合金薄膜技术研究 被引量：10

15

作者 刘欣 胡立雪 罗驰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期430-433,共4页

共晶成分的金锡合金具有诸多优异性能,文章介绍了一种制备金锡合金的方法,采用该方法在陶瓷基体上面制备金锡薄膜焊料。对焊料的成分进行了检测,对焊料的焊接性能和焊接可靠性进行了测试。试验结果满足GJB548相关要求。

关键词 电化学 金锡合金 可靠性

下载PDF 职称材料

AuSn20共晶合金钎料制备工艺研究进展 被引量：8

16

作者 刘生发 陈晨 +3 位作者 熊杰然 熊文勇 胡哲兵 黄尚宇 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期952-956,共5页

AuSn20钎料以其优异的综合性能,广泛应用于高可靠微电子器件和光电子器件封装。但AuSn20共晶合金铸态组织的粗大和初生金属间化合物相分布的不均匀导致合金脆性较大,制备成形困难,其制备工艺是目前的研究热点。介绍了固态成形工艺、液... AuSn20钎料以其优异的综合性能,广泛应用于高可靠微电子器件和光电子器件封装。但AuSn20共晶合金铸态组织的粗大和初生金属间化合物相分布的不均匀导致合金脆性较大,制备成形困难,其制备工艺是目前的研究热点。介绍了固态成形工艺、液态成形工艺、薄膜工艺和快速凝固工艺制备AuSn20钎料的原理和特点,指出了制备工艺的发展方向。 展开更多

关键词 ausn20钎料 脆性 制备工艺 快速凝固

原文传递

AuSn20/Ni焊点的界面反应及剪切强度 被引量：7

17

作者 韦小凤 王日初 +1 位作者 彭超群 冯艳 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1907-1913,共7页

采用回流焊技术制备AuSn20/Ni焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析(EDX)研究AuSn20/Ni焊点界面反应特征,探讨退火温度和时间对AuSn20/Ni焊点显微组织和剪切强度的影响。结果表明:AuSn20/Ni焊点在300℃钎焊90 s后,焊料内部产生ζ′-A... 采用回流焊技术制备AuSn20/Ni焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析(EDX)研究AuSn20/Ni焊点界面反应特征,探讨退火温度和时间对AuSn20/Ni焊点显微组织和剪切强度的影响。结果表明:AuSn20/Ni焊点在300℃钎焊90 s后,焊料内部产生ζ′-Au5Sn+δ-AuSn共晶组织和棒状(Ni,Au)3Sn2相。焊点在150℃退火时,界面反应速度较慢,金属间化合物(IMC)层厚度随着退火时间延长而缓慢增大;焊点的剪切强度随退火时间延长有较小幅度下降。在200℃退火时,AuSn20/Ni的界面反应速度较快,焊料/Ni界面形成(Au,Ni)Sn+(Ni,Au)3Sn2复合IMC层。焊点的剪切强度随退火时间延长呈较大幅度下降。从焊点力学可靠性方面考虑,AuSn20/Ni焊点不宜在200℃及以上温度长时间服役。 展开更多

关键词 ausn20 Ni焊点 界面反应 金属间化合物(IMC) 剪切强度

下载PDF 职称材料

半导体AuSn焊料低温真空封装工艺研究 被引量：5

18

作者 李丙旺 徐春叶 《电子与封装》 2011年第2期4-8,共5页

介绍了半导体金锡(AuSn)焊料焊接封装的影响因素:焊接气氛、镀金层、焊料,在低温真空焊接封装的基础上,重点探讨了AuSn焊料真空钎焊封装的影响因素、AuSn焊料本身的组分比及其浸润性等对焊接封装的影响、AuSn焊料真空焊接封装炉温曲线... 介绍了半导体金锡(AuSn)焊料焊接封装的影响因素:焊接气氛、镀金层、焊料,在低温真空焊接封装的基础上,重点探讨了AuSn焊料真空钎焊封装的影响因素、AuSn焊料本身的组分比及其浸润性等对焊接封装的影响、AuSn焊料真空焊接封装炉温曲线设置及焊接温度和时间的正交实验、AuSn焊料真空焊接封装中真空度的影响因素、真空度对焊接质量的影响、AuSn焊料真空焊接封装中还原气体的作用及有无通入还原气体的焊接封装对比实验等,并通过真空、炉温和还原气体等方面所作的相应工艺实验,对相关工艺技术问题进行了深入研究。基于大量的AuSn焊料真空焊接封装实验及理论分析,给出了最优化工艺条件解决方案。 展开更多

关键词 ausn焊料 真空 还原气体

下载PDF 职称材料

AuSn20焊料制备技术及发展趋势 被引量：5

19

作者 孙晓亮 马光 +1 位作者 李银娥 刘啸锋 《电工材料》 CAS 2010年第3期9-11,共3页

随着电子产品小型化、无铅化的发展,对焊接材料提出了更高的要求。无铅焊料AuSn20由于具有优良的性能,在高可靠性气密封装和芯片焊接中被广泛应用。本文介绍了AuSn20焊料的性能和制备方法,指出了传统的铸造拉拔轧制法、叠层冷轧复合法... 随着电子产品小型化、无铅化的发展,对焊接材料提出了更高的要求。无铅焊料AuSn20由于具有优良的性能,在高可靠性气密封装和芯片焊接中被广泛应用。本文介绍了AuSn20焊料的性能和制备方法,指出了传统的铸造拉拔轧制法、叠层冷轧复合法及电镀沉积法的不足,提出了研究及制备AuSn20合金焊料的技术改进方案。 展开更多

关键词 无铅化 ausn20焊料 制备 技术改进

下载PDF 职称材料

金锡合金自动共晶焊接工艺参数优化研究 被引量：7

20

作者 李茂松 黄大志 +1 位作者 朱虹姣 胡琼 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第3期449-454,共6页

为了更好地控制共晶焊接空洞率和剪切力,提出了一种采用正交试验法优化自动共晶焊接参数的方法。对焊接温度、焊接时间、焊接压力三个关键参数采用正交法进行三因子两水平极差分析,得到了影响芯片金锡共晶焊接质量的主次因子及共晶焊接... 为了更好地控制共晶焊接空洞率和剪切力,提出了一种采用正交试验法优化自动共晶焊接参数的方法。对焊接温度、焊接时间、焊接压力三个关键参数采用正交法进行三因子两水平极差分析,得到了影响芯片金锡共晶焊接质量的主次因子及共晶焊接参数的最优组合。试验结果证明,使用优化的工艺参数,芯片焊接质量得到明显提升,共晶焊接区空洞率均值及芯片剪切力Cpk值均完全满足GJB548B的要求。 展开更多

关键词 芯片共晶焊接 正交试验 共晶空洞 剪切力 金锡焊料 工艺优化

下载PDF 职称材料