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CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管
1
作者
陈延博
杨兵
+4 位作者
康玄武
郑英奎
张静
吴昊
刘新宇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第3期179-183,共5页
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法...
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀工艺,实现了低损伤的侧壁。同时采用TiN作为肖特基金属,实现了较低的开启电压。器件制备完成后对其进行分析表征。测试和分析结果表明,制备的无金工艺的准垂直GaN SBD实现了0.5 V的低开启电压,0.37 mΩ·cm^(2)的比导通电阻,理想因子为1.06,势垒高度为0.81 eV。器件的击穿电压为256 V,巴利加优值(BFOM)达到了177 MW/cm^(2)。研究表明,采用无金工艺制备GaN SBD具有技术上的可行性,该技术有望降低GaN SBD的制造成本。
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关键词
Si基GaN
肖特基势垒二极管(SBD)
准垂直结构
无金工艺
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
TIN
CMOS兼容工艺
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职称材料
题名
CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管
1
作者
陈延博
杨兵
康玄武
郑英奎
张静
吴昊
刘新宇
机构
北方工业大学信息学院
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第3期179-183,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61804172,61874002)
广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
文摘
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀工艺,实现了低损伤的侧壁。同时采用TiN作为肖特基金属,实现了较低的开启电压。器件制备完成后对其进行分析表征。测试和分析结果表明,制备的无金工艺的准垂直GaN SBD实现了0.5 V的低开启电压,0.37 mΩ·cm^(2)的比导通电阻,理想因子为1.06,势垒高度为0.81 eV。器件的击穿电压为256 V,巴利加优值(BFOM)达到了177 MW/cm^(2)。研究表明,采用无金工艺制备GaN SBD具有技术上的可行性,该技术有望降低GaN SBD的制造成本。
关键词
Si基GaN
肖特基势垒二极管(SBD)
准垂直结构
无金工艺
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
TIN
CMOS兼容工艺
Keywords
Si-based
GaN
Schottky
barrier
diode(SBD)
quasi-vertical
structure
au
-
free
process
inductively
coupled
plasma(ICP)etching
TiN
CMOS-compatible
process
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管
陈延博
杨兵
康玄武
郑英奎
张静
吴昊
刘新宇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
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