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As_2S_8玻璃条形波导的光激励法制备技术研究 被引量:17
1
作者 邹林儿 陈抱雪 +4 位作者 陈林 袁一方 鄂书林 浜中广見 磯守 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1043-1047,共5页
为了在As2S8薄膜中制备条形波导,实验研究了As2S8薄膜光致折射率变化和密度变化的现象,采用棱镜耦合、X线衍射和远红外反射光谱等测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象。采用可见光吸收谱测试技术,确... 为了在As2S8薄膜中制备条形波导,实验研究了As2S8薄膜光致折射率变化和密度变化的现象,采用棱镜耦合、X线衍射和远红外反射光谱等测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象。采用可见光吸收谱测试技术,确认了经紫外光辐照的As2S8薄膜不发生黑化现象。在归纳了实验规律的基础上,提出并采用紫外光激励的方法试制了As2S8条形波导,采用自动调芯端面耦合的方法激励As2S8条形波导的导模,结果显示该波导具有良好的导波特性。 展开更多
关键词 集成光学 光波导技术 as2S8 条形波导 光致折射率变化
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As_2S_8薄膜光致折射率效应及其在条波导制备中的应用研究 被引量:1
2
作者 王健 邹林儿 +3 位作者 陈抱雪 陈林 浜中广见 矶守 《光电子技术与信息》 2005年第6期13-15,共3页
分别采用紫外光和He—Cd激光辐照,实验研究了As2S8非晶态薄膜的光致折射率变化以及膜厚变 化的现象,归纳了实验规律,初步分析了机理。利用光诱起折射率变化效应试制了As2S8玻璃条波导,实现了良好 的导波特性。
关键词 as2S8 光波导 光致折射率变化
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As_2S_8 planar waveguide:refractive index changes following an annealing and irradiation and annealing cycle,and light propagation features
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作者 邹林儿 王国日 +2 位作者 沈云 陈抱雪 矶守 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期18-23,共6页
The refractive index ofas-evaporatedamorphous semiconductor As2S8 film upon an annealing and saturation irradiation and annealing cycle is reversible. Upon successive treatment with annealing and non-saturation irradi... The refractive index ofas-evaporatedamorphous semiconductor As2S8 film upon an annealing and saturation irradiation and annealing cycle is reversible. Upon successive treatment with annealing and non-saturation irradiation and further annealing, the refractive index of the as-evaporated amorphous semiconductor As2S8 film reaches a maximum value and then its reversibility occurs upon annealing. The annealing of the amorphous semiconductor AS2S8 films results in the stabilization of the structure through changes of the S-S bonds in the nearest environment, accompanied by a decrease of film thickness. The As2S8 planar waveguide after annealing (130 ℃) and saturation irradiation and annealing (130 ℃) shows a good propagation characteristic with ca, 0.27 dB/cm low propagation loss of the 632.8 nm guided mode. 展开更多
关键词 amorphous semiconductor chalcogenide as2S8 waveguide refractive index light propagation
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光折变法制备的As_2S_8条形波导的光阻断效应 被引量:11
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作者 邹林儿 陈抱雪 +3 位作者 陈林 袁一方 浜中广见 矶守 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期1868-1872,共5页
实验研究了As_2S_8薄膜光折变现象.提出并采用紫外光激励的方法试制了As_2S_8条形波导,导模激励显示该波导具有良好的导波特性.在此基础上,考察了As_2S_8条波导的光阻断效应,实现了光-光效应的开关功能.
关键词 光波导技术 as2S8条形波导 光阻断效应 光激励法
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As_2S_8非晶态薄膜波导光学截止效应研究 被引量:7
5
作者 梁东波 陈抱雪 +3 位作者 袁一方 浜中广见 陈林 矶守 《光电子技术与信息》 2002年第5期19-22,共4页
报告了As_2S_8非晶态薄膜波导的光学截止(optical-stopping)效应的实验过程、初步结果和机理分析.介绍了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺,以及实验光路和光学截止现象的过程.在实验基础上,结合有关硫系非晶态半导体中的其他一些光... 报告了As_2S_8非晶态薄膜波导的光学截止(optical-stopping)效应的实验过程、初步结果和机理分析.介绍了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺,以及实验光路和光学截止现象的过程.在实验基础上,结合有关硫系非晶态半导体中的其他一些光诱起现象的报道,我们提出了以微结构变动为前提、结合半导体能级理论的电子泵浦模型,解释了实验现象. 展开更多
关键词 非晶态as2S8薄膜 光波导 光学截止效应 棱镜耦合技术 光诱起现象
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非晶态As_2S_8半导体薄膜的光激励现象的研究及应用 被引量:6
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作者 邹林儿 陈抱雪 +3 位作者 陈林 袁一方 浜中广见 矶守 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期44-47,共4页
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在紫外汞灯和He_Cd激光照射下的光诱导现象,证实了光照射后的As2S8薄膜的折射率增大,体积缩小,可见光吸收谱的吸收带蓝移。在此基础上,应用光折变效应试制了As2S8条波导,观测到As2S8条波导的光阻断效应... 实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在紫外汞灯和He_Cd激光照射下的光诱导现象,证实了光照射后的As2S8薄膜的折射率增大,体积缩小,可见光吸收谱的吸收带蓝移。在此基础上,应用光折变效应试制了As2S8条波导,观测到As2S8条波导的光阻断效应,实现了光_光效应的开关功能。 展开更多
关键词 导波光学 非晶态as2S8半导体薄膜 光诱导现象 光阻断效应
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非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究 被引量:2
7
作者 邹林儿 陈抱雪 +3 位作者 杜丽萍 袁一方 浜中广见 矶守 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1001-1005,共5页
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜... 实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象·实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.0057·淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为-3.5%和-2.1%·实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象· 展开更多
关键词 非晶态半导体 as2S8半导体薄膜 光折变效应 光致体积变化
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LiNbO_3基Sn-As_2S_8单偏振单模波导电光开关的设计 被引量:1
8
作者 陈直 陈抱雪 +1 位作者 隋国荣 李倩 《光学仪器》 2009年第3期66-69,共4页
掺锡非晶态硫化砷(Sn-As_2S_8)半导体具有独到的光阻断效应,与电光效应晶体结合有望构成新的功能器件。为此提出了一种以铌酸锂(LiNbO_3)为基板、以Sn-As_2S_8半导体为导波的马赫一曾德干涉型电光开关的方案。阐述了器件设计的理论和方... 掺锡非晶态硫化砷(Sn-As_2S_8)半导体具有独到的光阻断效应,与电光效应晶体结合有望构成新的功能器件。为此提出了一种以铌酸锂(LiNbO_3)为基板、以Sn-As_2S_8半导体为导波的马赫一曾德干涉型电光开关的方案。阐述了器件设计的理论和方法,设计了LiNbO_3基Sn-As_2S_8单偏振单模波导,对3dB定向耦合器做了取点扫描法优化设计,对电压与电极长度之间的关系进行了定量计算。器件经三维BPM仿真表明,在外加电压on和off的情况下,输出端口可分别实现(0.14±0.06)%和(99.95±0.02)%的耦合效率,显示出良好的电光开关功能。 展开更多
关键词 集成光学 光开关 掺锡硫化砷波导 铌酸锂
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用于光阻断效应的B270-As_2S_8复合光波导的设计
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作者 张璡璟 陈抱雪 《光学仪器》 2012年第4期54-57,共4页
尽管可以采用光折变技术制备硫化砷条波导,但工艺参数控制复杂,且传输损耗较大。为了解决这一问题,提出了一种用于光阻断效应的新型B270-As2S8复合光波导结构。该设计根据光波导模式耦合的基本原理,借助波束传播法(BPM)仿真软件,主要通... 尽管可以采用光折变技术制备硫化砷条波导,但工艺参数控制复杂,且传输损耗较大。为了解决这一问题,提出了一种用于光阻断效应的新型B270-As2S8复合光波导结构。该设计根据光波导模式耦合的基本原理,借助波束传播法(BPM)仿真软件,主要通过对离子交换波导交换时间和As2S8薄膜厚度的匹配设计,实现了632.8nm波段导波模场分布集中在As2S8薄膜中传输,并始终维持单模特性。这个特点为有效实现光阻断效应提供了条件,非常具有实用价值。 展开更多
关键词 导波光学 光阻断效应 离子交换条波导 as2S8波导
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非晶态As_2S_8半导体薄膜波导的热处理效应
10
作者 邹林儿 陈抱雪 +3 位作者 杜丽萍 刘小青 浜中广见 矶守 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1307-1311,共5页
研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折... 研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm. 展开更多
关键词 硫系非晶态半导体 as2S8薄膜波导 热处理效应 光传输
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硫族化合物非晶态薄膜波导optical-stopping效应研究
11
作者 陈林 梁东波 +3 位作者 陈抱雪 浜中广见 袁一方 矶守 《上海第二工业大学学报》 2002年第2期1-6,共6页
本文通过实验对As2S8这种硫系非晶态材料的光学截止(optical-stopping)现象进行研究,报告了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺,以及实验光路和光学截止现象的过程。并且结合了其它一些有关硫系非晶态半导体中的光诱起现象的报道,提出... 本文通过实验对As2S8这种硫系非晶态材料的光学截止(optical-stopping)现象进行研究,报告了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺,以及实验光路和光学截止现象的过程。并且结合了其它一些有关硫系非晶态半导体中的光诱起现象的报道,提出了以微结构变动为前提、结合半导体能级理论的电子抽运模型,对实验现象进行了解释。 展开更多
关键词 硫族化合物 optical-stopping效应 光波导 非晶态as2S8薄膜 棱镜耦合 光学截止效应
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