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Ar离子激光增强硅各向异性腐蚀速率的研究
被引量:
10
1
作者
温殿忠
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期202-204,共3页
研究了Ar离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明,激光照射能增强浸于KOH溶液中硅的化学腐蚀速率,在入射光强为4.6W,KOH溶液浓度为0.22mol,温度为90℃的条件下,得到<100>硅的腐...
研究了Ar离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明,激光照射能增强浸于KOH溶液中硅的化学腐蚀速率,在入射光强为4.6W,KOH溶液浓度为0.22mol,温度为90℃的条件下,得到<100>硅的腐蚀速率为21μm/min,是无激光照射时硅各向异性腐蚀速率的多倍。进而讨论了硅在KOH溶液中腐蚀速率对激光光强的依赖关系以及实验温度对腐蚀速率的影响问题。
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关键词
硅
各向异性
腐蚀
氩离子激光
原文传递
硅在KOH溶液中各向异性腐蚀机理的研究
被引量:
4
2
作者
温殿忠
庄玉光
邱成军
《黑龙江大学自然科学学报》
CAS
1996年第3期55-58,54,共5页
本文应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液中各向异性腐蚀的机理。结果表明,硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀速率不但与硅材料晶面原子密度差异有关,而且还与活化离子OH-数有关,活化粒子数与成正比。应用本文给出的腐蚀机理能满意解...
本文应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液中各向异性腐蚀的机理。结果表明,硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀速率不但与硅材料晶面原子密度差异有关,而且还与活化离子OH-数有关,活化粒子数与成正比。应用本文给出的腐蚀机理能满意解释硅在KOH溶液中各向异性腐蚀的实验结果。
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关键词
硅
各向异性
腐蚀
碰撞
氢氧化钾溶液
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职称材料
题名
Ar离子激光增强硅各向异性腐蚀速率的研究
被引量:
10
1
作者
温殿忠
机构
黑龙江大学物理系
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期202-204,共3页
文摘
研究了Ar离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明,激光照射能增强浸于KOH溶液中硅的化学腐蚀速率,在入射光强为4.6W,KOH溶液浓度为0.22mol,温度为90℃的条件下,得到<100>硅的腐蚀速率为21μm/min,是无激光照射时硅各向异性腐蚀速率的多倍。进而讨论了硅在KOH溶液中腐蚀速率对激光光强的依赖关系以及实验温度对腐蚀速率的影响问题。
关键词
硅
各向异性
腐蚀
氩离子激光
Keywords
laser
enhanced
etching
,
anisotropic
etching
of
si
,
si
-cup,
microproces
si
ng
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
硅在KOH溶液中各向异性腐蚀机理的研究
被引量:
4
2
作者
温殿忠
庄玉光
邱成军
机构
黑龙江大学物理系
出处
《黑龙江大学自然科学学报》
CAS
1996年第3期55-58,54,共5页
文摘
本文应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液中各向异性腐蚀的机理。结果表明,硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀速率不但与硅材料晶面原子密度差异有关,而且还与活化离子OH-数有关,活化粒子数与成正比。应用本文给出的腐蚀机理能满意解释硅在KOH溶液中各向异性腐蚀的实验结果。
关键词
硅
各向异性
腐蚀
碰撞
氢氧化钾溶液
Keywords
anisotropic
etching
of
si
KOH
Solution
Effective
colli
si
on
Activation
analy
si
s
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
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职称材料
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作者
出处
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被引量
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1
Ar离子激光增强硅各向异性腐蚀速率的研究
温殿忠
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
10
原文传递
2
硅在KOH溶液中各向异性腐蚀机理的研究
温殿忠
庄玉光
邱成军
《黑龙江大学自然科学学报》
CAS
1996
4
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职称材料
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参考文献
引证文献
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