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MOSFET寄生参数对LLC谐振变换器性能影响研究 被引量：2
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作者 沈华 甄昊涵 +3 位作者 童涛 沈培刚 陈海敏 陈圣泽 《电子技术应用》 2021年第1期41-45,共5页
针对MOSFET寄生参数对LLC谐振电路性能的影响,首先对MOSFET的寄生电容进行等效分析,基于该等效模型,分析在LLC谐振变换电路中,寄生参数的存在对电路各个阶段过程的影响;接着对由于寄生参数引起的非线性特征,基于Angelov模型进行建模,并... 针对MOSFET寄生参数对LLC谐振电路性能的影响,首先对MOSFET的寄生电容进行等效分析,基于该等效模型,分析在LLC谐振变换电路中,寄生参数的存在对电路各个阶段过程的影响;接着对由于寄生参数引起的非线性特征,基于Angelov模型进行建模,并对该模型在直流电路中的影响进行分析。最后在MATLAB下建立了LLC谐振电路模型,在仿真模型中考虑了寄生参数的影响。仿真结果表明,建立的等效模型可以较好地反映MOSFET器件的工作特点;同时,由于寄生参数的存在,LLC谐振电路的输出增益和谐振频率都会受到影响,其中尤以对谐振频率的影响较大。 展开更多
关键词 寄生参数 LLC谐振电路 angelov模型 输出增益 谐振频率
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