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AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究 被引量:2
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作者 谢自力 张荣 +7 位作者 江若琏 刘斌 龚海梅 赵红 修向前 韩平 施毅 郑有炓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期727-729,共3页
用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明... 用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料是一种准二维生长模式。XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性。利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93.5%的反射率。 展开更多
关键词 MOCVD 超晶格 alxga1-xn/aln
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Structural and optical characteristics of Al_xGa_(1-x)N/AlN superlattice 被引量:2
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作者 XIE ZiLi1, ZHANG Rong1, JIANG RuoLian1, LIU Bin1, GONG HaiMei2, XIU XiangQian1, CHEN Peng1, LU Hai1, HAN Ping1, SHI Yi1 & ZHENG YouDou1 1 Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Physical Department of Nanjing University, Nanjing 210093, China 2 Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第2期332-335,共4页
AlN/Al0.3Ga0.7N superlattices were grown on (0001) sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The superlattice period varies from 6 to 30. The layer thickness of different period stack was ... AlN/Al0.3Ga0.7N superlattices were grown on (0001) sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The superlattice period varies from 6 to 30. The layer thickness of different period stack was designed. GaN or AlGaN template was employed for growing AlN/AlGaN superlattices. Reflectivity, SEM, AFM and XRD data of the AlxGa1-xN/AlN superlattices are presented. It is found that the templates used have an intensive impact on surface roughness and interfacial properties of following AlN/AlGaN superlattices. The result of atomic force microscopy indicates that AlN/AlGaN superlattices grown on GaN template exhibit quasi-two-dimensional growth mode. The resulting superlattice has a smooth surface morphology and distinct interface. No crack is observed in the area of a 2-inch wafer. 展开更多
关键词 MOCVD SUPERLATTICES alxga1-xn/aln
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纤锌矿AlN/Al_xGa_(1-x)N/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响
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作者 王志强 屈媛 +1 位作者 杨福军 班士良 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期367-375,共9页
对三元混晶纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱,通过数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气中电子的本征态和本征能级.利用雷-丁平衡方程,讨论该体系中界面光学声子对电子迁移率的影响.在计算中,对AlxGa1-xN中的体纵声子采用修... 对三元混晶纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱,通过数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气中电子的本征态和本征能级.利用雷-丁平衡方程,讨论该体系中界面光学声子对电子迁移率的影响.在计算中,对AlxGa1-xN中的体纵声子采用修正的无序元素等位移(MREI)模型,横光学声子则分别采用线性拟合(LF)和二次多项式拟合(QMF)方法,计算获得界面声子对电子的散射作用.结果表明,用LF方法获得的电子迁移率高于用QMF方法计算的值.随着Al组分的增加,两种方法之值均逐渐单调增加,且变化趋势类似.在适当的Al组分时,两种方法得到的电子迁移率都存在极值点. 展开更多
关键词 aln alxga1-xn aln量子阱 电子迁移率 二次多项式拟合 三元混晶效应
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