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以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究
被引量：
1
1
作者
胡向洋
汪荣昌
+3 位作者
顾志光
戎瑞芬
邵丙铣
宗祥福
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期29-32,共4页
详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明，两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10MPa。同时对这两钟方法的特点与适用范围进行概述。
关键词
氮化铝
倒装式封装
陶瓷
基板
下载PDF
职称材料
题名
以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究
被引量：
1
1
作者
胡向洋
汪荣昌
顾志光
戎瑞芬
邵丙铣
宗祥福
机构
复旦大学材料科学系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期29-32,共4页
基金
国家自然科学基金!69836030
文摘
详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明，两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10MPa。同时对这两钟方法的特点与适用范围进行概述。
关键词
氮化铝
倒装式封装
陶瓷
基板
Keywords
aluminum
nitride
flipchip
package
electroless plating
laser
-
induced
deposition
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究
胡向洋
汪荣昌
顾志光
戎瑞芬
邵丙铣
宗祥福
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
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