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基于AlN衬底的AlGaN/GaN HFET材料性能研究
1
作者 李佳 房玉龙 +4 位作者 崔波 张志荣 尹甲运 高楠 陈宏泰 《标准科学》 2022年第S01期269-272,共4页
AlN与其他常见衬底材料(如蓝宝石或碳化硅)相比,具有与GaN晶格失配低、衬底与外延层间的应力小等特点,在制备高温、高频、高功率电子器件方面都有着非常广泛的应用前景。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在AlN衬底上的外延生... AlN与其他常见衬底材料(如蓝宝石或碳化硅)相比,具有与GaN晶格失配低、衬底与外延层间的应力小等特点,在制备高温、高频、高功率电子器件方面都有着非常广泛的应用前景。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在AlN衬底上的外延生长了AlGaN/GaN HFET材料。通过高分辨率X射线双晶衍射仪、非接触霍尔、拉曼光谱对外延材料进行了对比分析。结果表明,GaN材料的(002)和(102)晶面摇摆曲线半高宽分别为69弧秒和534弧秒,AlGaN/GaN HFET外延材料二维电子气迁移率达到1,572cm2~/V·s,AlN衬底上外延的GaN应力为0.089GPa,在AlN衬底上实现了高质量的AlGaN/GaN HFET外延材料生长。 展开更多
关键词 aln衬底 AlGaN/GaN HFET 迁移率 应力
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AlN/蓝宝石衬底上AlGaN-UV-LEDs光学性能改善研究
2
作者 王美玉 章国安 +3 位作者 张振娟 施敏 朱晓军 朱友华 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2014年第12期50-52,共3页
通过有机金属化学气相沉积法在AlN/蓝宝石衬底上生长AlGaN基多量子阱结构的发光二极管(LEDs),其对应的发光峰值波长为264nm(UV-C区)。通过在活性区域和p型外延层之间插入1nm厚的本征AlN层(起到电子挡层的作用),可以清楚地观测到有效抑... 通过有机金属化学气相沉积法在AlN/蓝宝石衬底上生长AlGaN基多量子阱结构的发光二极管(LEDs),其对应的发光峰值波长为264nm(UV-C区)。通过在活性区域和p型外延层之间插入1nm厚的本征AlN层(起到电子挡层的作用),可以清楚地观测到有效抑制位于320nm附件的寄生发光峰,推测这是电子溢出或Mg扩散所致。此外,发现了通过改变外延层的结构可以使LEDs的输出功率增长20倍以上。 展开更多
关键词 AlGaN基深紫外发光二极管 aln衬底 有机金属化学气相沉积法 电子挡层 出光功率
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