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1 nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响
1
作者
朱友华
王美玉
+1 位作者
黄静
施敏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期743-746,共4页
采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光...
采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光谱得出:在器件活性区域和p型AlGaN盖层之间插入1 nm i-AlN电子阻挡层的样品其位于320 nm处的寄生发光峰能被有效抑制,该杂质峰主要是由于电子溢出至p型盖层,与处于Mg相关的受主深能级上的空穴复合所致。此外,验证了该电子阻挡层对发光特性具有一定的改善效果。通过优化UV-LED结构以及合理设定外延层的厚度参数,可以使其出光功率提高一个量级。
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关键词
氮化铝/蓝宝石衬底
有机金属化学气相沉积法(MOCVD)
深紫外发光二极管
电子阻挡层
光学与电学特性
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职称材料
题名
1 nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响
1
作者
朱友华
王美玉
黄静
施敏
机构
南通大学电子信息学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期743-746,共4页
基金
江苏省"六大人才高峰"高层次人才基金资助项目(2013-XCL-013)
南通大学引进人才科研启动基金资助项目(03080666)
文摘
采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光谱得出:在器件活性区域和p型AlGaN盖层之间插入1 nm i-AlN电子阻挡层的样品其位于320 nm处的寄生发光峰能被有效抑制,该杂质峰主要是由于电子溢出至p型盖层,与处于Mg相关的受主深能级上的空穴复合所致。此外,验证了该电子阻挡层对发光特性具有一定的改善效果。通过优化UV-LED结构以及合理设定外延层的厚度参数,可以使其出光功率提高一个量级。
关键词
氮化铝/蓝宝石衬底
有机金属化学气相沉积法(MOCVD)
深紫外发光二极管
电子阻挡层
光学与电学特性
Keywords
aln
/
sapphire
substrate
metal-organic
chemical
vapor
deposition（MOCVD）
deep
ultravoilet
light
emitting
diode
electron
blocking
layer
optical
and
electrical
property
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN364.2
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1 nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响
朱友华
王美玉
黄静
施敏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
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