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AlInGaN/GaN PIN紫外光电探测器的研制 被引量：2
1
作者 黄瑾 洪灵愿 +1 位作者 刘宝林 张保平 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期669-672,708,共5页
用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层,研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为1.5 V,反向击穿电压大于40 V;室温-5 V偏压下... 用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层,研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为1.5 V,反向击穿电压大于40 V;室温-5 V偏压下,暗电流为33 pA,350 nm处峰值响应度为0.163 A/W,量子效率为58%。 展开更多
关键词 alingan/gan PIN光电探测器 紫外光电探测器
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AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究
2
作者 贾德宇 《河南科技学院学报》 2009年第3期45-47,共3页
AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性,利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料.利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN/GaN异质结构,通过汞探针C-V测量和Hall效应测量,发现其电学特性明显优于常规AlGaN/GaN异质结构... AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性,利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料.利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN/GaN异质结构,通过汞探针C-V测量和Hall效应测量,发现其电学特性明显优于常规AlGaN/GaN异质结构,通过XDR和AFM分析,发现其势垒层结晶质量十分出色,但表面形貌与常规异质结构相比还存在一定差距. 展开更多
关键词 alingan/gan 异质结构 材料生长
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