期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
电化学C-V法测量AlGaAs材料载流子浓度分布
1
作者 颜慧 《石油石化物资采购》 2020年第11期97-98,共2页
电化学C-V测量是半导体行业常用的一种测试方法,通过循环腐蚀-测量的过程能够得到载流子的纵向分布曲线。使用电化学C-V测量对AlGaAs材料掺杂浓度进行测试,在测试过程中对耗散因子、测试频率和腐蚀电流进行优化选择,能够准确地对AlGaAs... 电化学C-V测量是半导体行业常用的一种测试方法,通过循环腐蚀-测量的过程能够得到载流子的纵向分布曲线。使用电化学C-V测量对AlGaAs材料掺杂浓度进行测试,在测试过程中对耗散因子、测试频率和腐蚀电流进行优化选择,能够准确地对AlGaAs材料的掺杂浓度进行纵向剖析,通过测量曲线的分析来指导外延层浓度的设计和优化,进一步提高器件性能。 展开更多
关键词 电化学C-V测量 algaas材料 载流子浓度
下载PDF
用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs的ICP刻蚀工艺研究 被引量：5
2
作者 王宇 周燕萍 +2 位作者 李茂林 左超 杨秉君 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期47-52,共6页
采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了ICP源功率、射频偏压功率和腔体压强对GaAs/AlGaAs... 采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了ICP源功率、射频偏压功率和腔体压强对GaAs/AlGaAs材料和掩模刻蚀速率的影响。利用扫描电子显微镜观察不同参数条件对样品侧壁垂直度和底部平坦度的影响。最终在保证高刻蚀速率的前提下,通过调整优化各工艺参数,得到了侧壁光滑、底部平坦的圆台结构。 展开更多
关键词 激光光学 垂直腔面激光发射器 电感耦合等离子体刻蚀 圆台结构 GaAs/algaas材料
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部