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光胶做挡光层的紫外光刻掩膜用于高聚物芯片表面选择性光化学改性 被引量：2
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作者 孔泳 陈恒武 +2 位作者 云晓 郝振霞 方肇伦 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期623-627,共5页
紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10μm时,在200～285nm的紫外光区几乎不透光。本研究据此研制了一种以固化后的AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜。应用AZ光胶掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯(主要辐射254nm... 紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10μm时,在200～285nm的紫外光区几乎不透光。本研究据此研制了一种以固化后的AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜。应用AZ光胶掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯(主要辐射254nm紫外光)为光源的选择性光化学改性,在光照区域形成化学镀所需的催化中心后,采用化学镀技术,在PC毛细管电泳芯片上制备安培检测用的集成化金微电极。本掩膜材料简单,制作方便,无须洁净实验室和贵重的设备,成本低廉。 展开更多
关键词 光刻掩膜 az光胶 聚碳酸酯 光化学改性 金微电极
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