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Preparation of TiO_2/ITO film electrode by AP-MOCVD for photoelectrocatalytic application 被引量:3
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作者 HAN Song ZHANG XingWang +1 位作者 YU QingNi LEI LeCheng 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2012年第11期2462-2470,共9页
Titanium dioxide (TiO2) thin films were grown onto Indium tin oxide (ITO) glass under atmospheric pressure by chemical va- por deposition (AP-MOCVD) using titanium tetraisopropoxide astitanium precursor. The as-... Titanium dioxide (TiO2) thin films were grown onto Indium tin oxide (ITO) glass under atmospheric pressure by chemical va- por deposition (AP-MOCVD) using titanium tetraisopropoxide astitanium precursor. The as-prepared TiOe/ITO films were characterized using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and photoelectrochemical measurements. Their photocatalytic (PC) and photoelec- trocatalytic (PEC) activities were evaluated based on the results of methyl orange dye (MO) degradation experiments in aque- ous solution. The difference between the front side (EE, electrolyte/electrode interface) and the back side (SE, sub- strate/electrode interface) illumination was evaluated in both photocurrent and MO degradation experiments. The effect of the film thickness on degradation rate by PEC under the two illumination directions was also studied. Stability of TiO2/ITO film electrode was investigated in repetitive degradation experiments. Overall, the TiO2/ITO film with thickness ranging from 321 to1440 nm deposited by MOCVD method is an effective photoelectrode for MO degradation under SE illumination in PEC reaction system. 展开更多
关键词 titanium oxide ap-mocvd PHOTOELECTROCATALYSIS PHOTOCATALYSIS illumination direction
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大气开放式MOCVD法制备碳掺杂氧化钛可见光光催化剂
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作者 李丽娜 谷景华 张跃 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2028-2031,共4页
设计研制了大气开放式金属有机化合物气相沉积(AP-MOCVD)装置,该装置操作简便,制备条件易控制,可制备不同碳掺杂氧化钛和纯氧化钛薄膜。以XRD、AES、XPS和UV-vis对碳掺杂氧化钛薄膜表征表明,以大气开放式MOCVD法在玻璃基片上制备的碳掺... 设计研制了大气开放式金属有机化合物气相沉积(AP-MOCVD)装置,该装置操作简便,制备条件易控制,可制备不同碳掺杂氧化钛和纯氧化钛薄膜。以XRD、AES、XPS和UV-vis对碳掺杂氧化钛薄膜表征表明,以大气开放式MOCVD法在玻璃基片上制备的碳掺杂氧化钛薄膜,碳均匀掺杂到氧化钛晶格中,氧化钛晶格中碳占据了氧的位置并形成Ti—C键。其紫外可见吸收光谱(UV-vis)吸收曲线相对于纯氧化钛薄膜明显红移,并提高可见光的利用率。以AP-MOCVD法制备的碳掺杂氧化钛薄膜具有显著的可见光催化活性,在可见光下能使空气中的甲醛明显的光催化降解。 展开更多
关键词 碳掺杂氧化钛 光催化 大气开放式mocvd
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AP-MOCVDGaN材料生长特性
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作者 赵佰军 缪国庆 +2 位作者 元金山 朱景义 杨树人 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1997年第2期59-62,共4页
研究低温生长GaN过渡层(缓冲层)在AP-MOCVD生长GaN材料过程中的作用,探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响,通过对过渡层的特性参数的分析、优化,获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层.
关键词 mocvd 过渡层 氮化镓 LED
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大气开放式MOCVD氧化镁薄膜的生长及表征(英文)
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作者 王树彬 韩夏 马学锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1173-1177,1186,共6页
以2,4-乙酰丙酮化镁为前驱体,衬底温度为480℃,采用MOCVD工艺,分别在玻璃、氧化铝陶瓷、单晶Si(111)和Si(100)衬底上生长了取向生长的氧化镁薄膜。X射线衍射结果表明,无论是采用玻璃、氧化铝、单晶Si(111)和Si(100)衬底,氧化镁薄膜都是... 以2,4-乙酰丙酮化镁为前驱体,衬底温度为480℃,采用MOCVD工艺,分别在玻璃、氧化铝陶瓷、单晶Si(111)和Si(100)衬底上生长了取向生长的氧化镁薄膜。X射线衍射结果表明,无论是采用玻璃、氧化铝、单晶Si(111)和Si(100)衬底,氧化镁薄膜都是沿着(100)晶面取向生长。通过扫描电镜观察得到,在单晶Si(100)衬底上生长的氧化镁薄膜表面平整致密。模拟卢瑟福背散射结果显示,沉积时间超过70min时,界面处发生硅向氧化镁层少量扩散现象。 展开更多
关键词 氧化镁薄膜 大气开放式金属有机化学气相沉积 X射线衍射 扩散
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ZnS/ZnSe多量子阱的光调制测试
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作者 刘大力 李公羽 +3 位作者 杜国同 张景林 张源涛 李万成 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期40-42,共3页
以DMZn、H2Se和H2S为源,用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS/ZnSe超晶格量子阱,并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构,在带蚀孔的衬底的ZnS/ZnSe超晶格量子阱上,首次观测到皮秒量级的光光调制现象。
关键词 ZnS/ZnSe多量子阱 光调制 测试 ap-mocvd 超晶格 硫化锌 硒化锌 X射线衍射 非线性光学 半导体材料
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ZnS/ZnSe多量子阱研制
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作者 刘大力 杜国同 +2 位作者 何晓东 王一丁 王金忠 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期197-200,共4页
采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP-MOCVD系统,以电子级二甲基锌(DMZn)和电子级10%稀释在H2中的H2Se和H2S为原材料,二次钯管净化的氢气为载气,衬底选用(100)GaAs和(111)CaF2,以微机程序控制电气线路的开关,交替生长ZnS和ZnSe薄层... 采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP-MOCVD系统,以电子级二甲基锌(DMZn)和电子级10%稀释在H2中的H2Se和H2S为原材料,二次钯管净化的氢气为载气,衬底选用(100)GaAs和(111)CaF2,以微机程序控制电气线路的开关,交替生长ZnS和ZnSe薄层,制备出了垒宽和阱宽都为10nm,周期为100的ZnS—ZnSe超晶格多量子阱结构。 展开更多
关键词 ZnS/ZnSe多量子阱 ap-mocvd系统 垒宽 阱宽 超晶格 半导体材料 硫化锌 硒化锌 金属有机化学气相外延 薄膜生长
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