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结构参数对各向异性磁电阻(AMR)磁场传感器性能的影响
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作者 王华昌 罗科 +4 位作者 李秀霞 余涛 孙成 冯伟 张文旭 《磁性材料及器件》 CAS 2023年第3期72-76,共5页
采用磁控溅射工艺制备NiFe合金薄膜,通过电子束蒸发制备Barber电极,获得了各向异性磁电阻(AMR)线性磁场传感器。通过材料芯片技术,系统研究了图形化的NiFe薄膜宽度、厚度以及Barber电极角度、间距等因素对传感器性能的影响。测试结果表... 采用磁控溅射工艺制备NiFe合金薄膜,通过电子束蒸发制备Barber电极,获得了各向异性磁电阻(AMR)线性磁场传感器。通过材料芯片技术,系统研究了图形化的NiFe薄膜宽度、厚度以及Barber电极角度、间距等因素对传感器性能的影响。测试结果表明,在设计的工艺条件下,NiFe薄膜宽度为36μm、厚度为28 nm、Barber电极角度为40°以及电极间距为10μm时,该磁场传感器在磁场范围为±5 G内灵敏度最大,达到1.17 mV/(V·G)。研究工作为进一步发展基于AMR效应的角度及磁场传感器芯片提供参考。 展开更多
关键词 amr磁场传感器 NiFe薄膜 Baber电极 输出电压 灵敏度
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AMR磁传感器横轴效应两种补偿方法的对比研究
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作者 何宏 冯乐 张志宏 《化工自动化及仪表》 CAS 2015年第5期527-529 536,536,共4页
对三轴各向异性磁电阻(AMR)磁传感器横轴误差的旋转补偿法和非旋转补偿法进行对比分析,结果表明:旋转补偿法的偏差为0.002,非旋转补偿法的偏差为0.004;旋转补偿法的精度比非旋转补偿法的精度提高了将近一倍。
关键词 amr磁阻传感器 横轴效应 旋转补偿法 非旋转补偿方法 精度
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