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MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制
被引量：
2
1
作者
唐田
张永刚
+2 位作者
郑燕兰
唐雄心
李爱珍
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期530-532,共3页
基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。
关键词
INGAASSB
aigaassb
应变
下载PDF
职称材料
题名
MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制
被引量：
2
1
作者
唐田
张永刚
郑燕兰
唐雄心
李爱珍
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期530-532,共3页
基金
国家"8 63"计划项目 ( 2 0 0 2AA3 13 0 40)
国家"973"计划项目 (C2 0 0 0 0 683 )
国家自然科学基金重点项目 ( 60 13 60 10 )资助
文摘
基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。
关键词
INGAASSB
aigaassb
应变
Keywords
InGaAsSb
AlGaAsSb
strain
分类号
TN2 [电子电信—物理电子学]
TN3
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制
唐田
张永刚
郑燕兰
唐雄心
李爱珍
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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职称材料
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