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题名GaN HEMT小信号等效电路模型的关键参数提取
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作者
王旭
王军
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机构
西南科技大学信息工程学院
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2022年第8期64-67,共4页
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基金
四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)。
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文摘
为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT小信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的小信号模型参数提取方法。在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种更加完整的20单元等效电路模型。提出在无偏、Cold pich-off条件下获取寄生参数的方法,克服了传统的高珊正向偏压导致的栅极退化。基于双端口网络分析建立Y参数模型,提取本征元件参数,确保其结果在不同偏压下良好的平滑度,便于移植CAD商业工程应用中。在0~18 GHz频率范围内,ADS2014仿真工具的仿真数据与测试数据良好的一致性表明了所建模型及其参数提取技术的有效性。
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关键词
GAN高电子迁移率晶体管
小信号等效电路
参数提取
ads2014仿真
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Keywords
GaN HEMT
small signal equivalent circuit
parameter extraction
ads2014 simulation
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分类号
TN325.3
[电子电信—物理电子学]
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