A3铁、304钢和201钢光谱发射率 被引量：2

1

作者 许开品 于坤 +1 位作者 张凯华 刘玉芳 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3594-3599,共6页

随着科学技术日新月异的发展,红外测量技术在遥感、辐射测温、红外隐身、农业、医疗等领域都展现出了重要的应用前景。在花样众多的辐射测量中,材料的发射率是重要的参数之一。为满足材料发射率数据的需求,根据一套自主研制的光谱发射... 随着科学技术日新月异的发展,红外测量技术在遥感、辐射测温、红外隐身、农业、医疗等领域都展现出了重要的应用前景。在花样众多的辐射测量中,材料的发射率是重要的参数之一。为满足材料发射率数据的需求,根据一套自主研制的光谱发射率测量装置对A3铁、304钢以及201钢在不同温度下的光谱发射率进行了精确的测量,并对影响发射率的几个因素做了深入的探究。结果显示:这三种钢材的发射率随温度升高而变大,同等温度下A3铁的发射率要高于304钢和201钢,且材料中的铬含量会降低材料的发射率值。采用XRD分析了三种材料表面氧化后的成分,并探讨了表面成分变化对发射率的影响。结果表明:A3铁氧化后生成不稳定的四氧化三铁Fe_3O_4和氧化亚铁FeO,各种成分的相互转变会导致光谱发射率发生较大的变化,而304钢和201钢表面氧化后主要生成氧化铬,因而光谱发射率也相对比较稳定。另外使用辐射光叠加原理和Christiansen效应成功解释了三种材料的发射率在大约10μm处出现极大值的现象。该研究极大地丰富了三种材料的光谱发射率数据,为辐射测量技术在三种材料中的应用提供了强有力的数据支撑。 展开更多

关键词 光谱发射率 A3铁 201钢 304钢 氧化 温度

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BaTiO_3晶体结构及弹性的分子动力学模拟 被引量：8

2

作者 陈育祥 谢国锋 +1 位作者 马颖 周益春 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期4085-4089,共5页

有效的势函数是分子动力学模拟的关键.引入了一种势函数,该势函数的特点是运用参数reff计算原子间的静电作用.通过分子动力学方法模拟得到了BaTiO3晶体立方相、四方相结构的对关联函数和X射线衍射谱,计算得出了它们的晶格常数及弹性常数... 有效的势函数是分子动力学模拟的关键.引入了一种势函数,该势函数的特点是运用参数reff计算原子间的静电作用.通过分子动力学方法模拟得到了BaTiO3晶体立方相、四方相结构的对关联函数和X射线衍射谱,计算得出了它们的晶格常数及弹性常数.模拟结果与实验结果符合较好.该势函数可以有效地模拟BaTiO3晶体的热学和力学性能. 展开更多

关键词 分子动力学模拟 势函数 BaTiO3铁电晶体

原文传递

Sm_2O_3掺杂BaTiO_3铁电陶瓷的结构、形貌及介电性能研究 被引量：6

3

作者 刘德成 周恒为 +4 位作者 邓春阳 马晓娇 徐凡华 衡晓 尹红梅 《伊犁师范学院学报（自然科学版）》 2013年第2期48-52,共5页

采用传统的固相反应法制备了BaTiO3+xSm2O3(摩尔比x=0,0.002,0.004,0.006,0.008)系列陶瓷.用X射线衍射、扫描电镜和介电谱方法,研究了Sm2O3的掺杂对BaTiO3(BT)陶瓷微观结构、表面形貌和介电性能的影响.结果表明:(1)Sm2O3掺杂后,虽然陶... 采用传统的固相反应法制备了BaTiO3+xSm2O3(摩尔比x=0,0.002,0.004,0.006,0.008)系列陶瓷.用X射线衍射、扫描电镜和介电谱方法,研究了Sm2O3的掺杂对BaTiO3(BT)陶瓷微观结构、表面形貌和介电性能的影响.结果表明:(1)Sm2O3掺杂后,虽然陶瓷的晶格常数有所改变,但晶系结构并未改变;(2)随Sm2O3掺杂量的增加,陶瓷中孔隙减少、减小,晶粒尺寸略有增大;(3)Sm2O3的掺入,使BT在370K附近的顺电-铁电相变明显地弥散化,这是由于Sm3+替代了Ba2+相差一个单位电荷,必然在晶格尺度上产生空间电荷分布的不均匀,而这种不均匀必然导致相变的弥散;(4)所有陶瓷样品中,铁电相变附近都出现了一个与晶界有关的弛豫过程.对x=0.004的Sm2O3掺杂BT,在330K附近,还出现了另一个弛豫过程.对所有Sm2O3掺杂BT,高温区都出现了一个可能与离子导电有关的过程;(5)Sm2O3掺杂摩尔比为0.008的陶瓷其室温介电常数最大,而摩尔比为0.006及以下的掺杂降低了BT陶瓷的室温介电常数.所有陶瓷室温介电常数随频率的变化不大,而介电损耗随频率增加均为先减小后增大. 展开更多

关键词 BaTiO3铁电陶瓷 Sm2O3掺杂 介电性能 固相反应

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LaNiO_3/PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3/LaNiO_3的疲劳特性研究 被引量：1

4

作者 王根水 赵强 +3 位作者 孟祥建 石富文 孙璟兰 褚君浩 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第1期72-75,共4页

采用化学溶液法在Si基衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构。X-射线衍射测量结果表明,制备的PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构中PbZr0.4Ti0.6O3薄膜呈高度(100)择优取向;原子力显微镜测量表明制备的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的表面平整... 采用化学溶液法在Si基衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构。X-射线衍射测量结果表明,制备的PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3异质结构中PbZr0.4Ti0.6O3薄膜呈高度(100)择优取向;原子力显微镜测量表明制备的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的表面平整、均匀、结构致密;RT-66A测量表明,400 kV/cm的外加电场下,LaNiO3/PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3结构具有优良的铁电性,剩余极化强度为14.6μC/cm2,矫顽电场为41 kV/cm。翻转1×108次极化下降小于10%,显示了很好的疲劳特性。并进一步研究了Pb含量对PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的微结构和极化特性的影响。 展开更多

关键词 LaNiO3薄膜 PbZr0.4Ti0.6O3铁电薄膜 异质结构 疲劳特性

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多孔未极化Pb(Zr0.95Ti0.05)O3铁电陶瓷单轴压缩力学响应与相变 被引量：3

5

作者 蒋招绣 辛铭之 +3 位作者 申海艇 王永刚 聂恒昌 刘雨生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第13期228-237,共10页

通过添加造孔剂的方法制备了四种不同孔隙率未极化PZT95/5铁电陶瓷.采用非接触式的数字散斑相关性分析(digital image correltation,DIC)全场应变光学测量技术,对多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷开展了单轴压缩实验研究,讨论了孔隙率对未极化... 通过添加造孔剂的方法制备了四种不同孔隙率未极化PZT95/5铁电陶瓷.采用非接触式的数字散斑相关性分析(digital image correltation,DIC)全场应变光学测量技术,对多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷开展了单轴压缩实验研究,讨论了孔隙率对未极化PZT95/5铁电陶瓷的力学响应与畴变、相变行为的影响.多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷的单轴压缩应力-应变关系呈现出类似于泡沫或蜂窝材料的三阶段变形特征,其变形机理主要归因于畴变和相变的共同作用,与微孔洞塌缩过程无关.多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷的弹性模量、压缩强度都随着孔隙率的增加而明显降低,而孔隙率对断裂应变的影响较小.预制的微孔洞没有改善未极化PZT95/5铁电陶瓷材料的韧性,这是因为单轴压缩下未极化PZT95/5铁电陶瓷的断裂机理是轴向劈裂破坏,微孔洞对劈裂裂纹传播没有起到阻碍和分叉作用.准静态单轴压缩下多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷畴变和相变开始的临界应力都随着孔隙率的增大而呈线性衰减,但相变开始的临界体积应变却不依赖孔隙率. 展开更多

关键词 未极化Pb(Zr0.95Ti0.05) O3铁电陶瓷 孔隙率 力学响应 相变

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Yb^(3+)/Er^(3+)掺杂比例对BaTiO_3:Yb^(3+),Er^(3+)纳米晶上转换发光分支比的影响 被引量：3

6

作者 王绩伟 梅勇 +7 位作者 谭天亚 夏立新 刘忠坤 宋晓栋 范晓星 任玺 王瑞鑫 卢雪梅 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期24-31,共8页

采用改进的溶胶凝胶前驱单体法合成了一系列Er3+单掺和Er3+-Yb3+共掺的BaTiO3:Ln3+上转换发光纳米颗粒,产物经900℃煅烧后得到结晶性极佳的纯立方相BaTiO3纳米晶,尺寸均匀约为100nm。稀土离子浓度较低时不会影响产物的晶体结构和形貌,... 采用改进的溶胶凝胶前驱单体法合成了一系列Er3+单掺和Er3+-Yb3+共掺的BaTiO3:Ln3+上转换发光纳米颗粒,产物经900℃煅烧后得到结晶性极佳的纯立方相BaTiO3纳米晶,尺寸均匀约为100nm。稀土离子浓度较低时不会影响产物的晶体结构和形貌,掺杂浓度达到5%时出现微弱的Ba2TiO4衍射峰,当掺杂浓度达到20%时Ba2TiO4已经占主要部分,此时产物中有大量微米量级的颗粒存在。上转换发光显示:Er3+单掺浓度为0.5%时能获得最强的绿光发射,此时红绿光强度比约为1∶15。当Er3+-Yb3+共掺时,Yb3+极大地抑制了绿光的发射,同时红光发射明显增强,当Yb3+/Er3+大于5∶1后,红绿光强度比稳定在3∶1。上转换机制分析表明,Yb3+浓度较高时会引起Er3+-Yb3+粒子之间的能量逆传递过程,导致红光发射增强,而绿光发射减弱。 展开更多

关键词 BaTiO3铁电纳米晶 上转换发光 能量逆传递 荧光分支比 稀土

原文传递

基于扫描探针显微术研究Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜的电学性质 被引量：2

7

作者 魏艳萍 卢焕明 +1 位作者 魏安祥 李勇 《理化检验（物理分册）》 CAS 2015年第8期560-563,577,共5页

首先利用脉冲激光沉积技术在(001)取向的SrTiO3基片上外延生长了SrRuO3底电极和PbZr0.20Ti0.80O3(PZT)薄膜,然后利用扫描探针显微镜的压电响应模式(PFM)和导电测试模式(C-AFM)表征了PbZr0.20Ti0.80O3/SrRuO3/SrTiO3异质结薄膜纳米尺度... 首先利用脉冲激光沉积技术在(001)取向的SrTiO3基片上外延生长了SrRuO3底电极和PbZr0.20Ti0.80O3(PZT)薄膜,然后利用扫描探针显微镜的压电响应模式(PFM)和导电测试模式(C-AFM)表征了PbZr0.20Ti0.80O3/SrRuO3/SrTiO3异质结薄膜纳米尺度的电学性质。以镀铂探针为上电极,利用压电响应模式获得了复合薄膜纳米尺度的压电位移-电压蝶形曲线和压电相位-电压滞后曲线,表明样品具有良好的铁电性。薄膜纳米尺度下的I-V测试结果表明经+10V电压极化后的样品,其I-V曲线在矫顽场附近出现峰值,与宏观I-V测试结果类似。导电原子力和压电力测试结果证明C-AFM可以检测到PZT薄膜样品的瞬时极化反转电流并进行成像。 展开更多

关键词 扫描探针显微镜 Pb(Zr Ti)O3铁电薄膜 铁电畴 导电性

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(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3陶瓷的弛豫铁电性能 被引量：2

8

作者 宋学平 张永光 +3 位作者 罗晓婧 徐玲芳 曹万强 杨昌平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期4980-4986,共7页

通过对(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3(0≤x≤0.15)陶瓷的相组成、晶体结构和介电性能的研究发现,该陶瓷为单一的钙钛矿结构相.当x含量较小(x<0.1)时为正交相结构,x≥0.1时转变为四方相结构.随着SrTiO3掺杂量的增加,样品的致密度增加... 通过对(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3(0≤x≤0.15)陶瓷的相组成、晶体结构和介电性能的研究发现,该陶瓷为单一的钙钛矿结构相.当x含量较小(x<0.1)时为正交相结构,x≥0.1时转变为四方相结构.随着SrTiO3掺杂量的增加,样品的致密度增加,样品由正常铁电相逐渐向弥散铁电相转变,且相变温度明显下降,其相变峰的半高宽D和临界指数γ,随x的增加而增加.样品损耗ε″r(复介电常数虚部)随温度T的变化表明低温时弛豫极化损耗起主要作用,高温时漏导损耗起主要作用.同时介电常数实部ε′r随频率的变化显示(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrTiO3弛豫为德拜弛豫. 展开更多

关键词 弛豫铁电体 (K0.5Na0.5)NbO3铁电陶瓷 SrTiO3掺杂 相变温度

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0.8PbTiO_3-0.2Bi(Mg_(0.5)Ti_(0.5))O_3铁电薄膜90°分步畴转与温度效应 被引量：1

9

作者 何东昱 刘玉欣 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期325-331,共7页

通过压电力显微镜对溶胶凝胶法制备的0.8PbTiO_3-0.2Bi(Mg_(0.5)Ti_(0.5))O_3铁电薄膜电畴结构进行研究。结果表明,薄膜中铁电相为主相,面内极化的a畴和离面极化的c畴同时存在于铁电纳米晶粒中。在针尖极化电场的作用下,薄膜晶粒内的电... 通过压电力显微镜对溶胶凝胶法制备的0.8PbTiO_3-0.2Bi(Mg_(0.5)Ti_(0.5))O_3铁电薄膜电畴结构进行研究。结果表明,薄膜中铁电相为主相,面内极化的a畴和离面极化的c畴同时存在于铁电纳米晶粒中。在针尖极化电场的作用下,薄膜晶粒内的电畴取向发生变化,180°电畴翻转分为两步90°畴转实现,最终完成c-a-c的电畴转变。温度的变化影响畴转的过程,温度越高越有利于畴转,这与有效电场的增大有关。 展开更多

关键词 0.8PbTiO3-0.2Bi(Mg0.5Ti0.5)O3铁电薄膜 压电力显微镜 90°分步畴转 温度效应 有效电场

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冲击波加载下孔隙率对Pb_(0.99)(Zr_(0.95)Ti_(0.05))_(0.98)Nb_(0.02)O_3铁电陶瓷去极化性能的影响 被引量：1

10

作者 冯宁博 谷岩 +5 位作者 刘雨生 聂恒昌 陈学锋 王根水 贺红亮 董显林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期8897-8902,共6页

制备了四种不同孔隙率的Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3铁电陶瓷,并研究了冲击波作用下孔隙率对陶瓷去极化性能的影响.研究表明:短路负载条件下陶瓷的放电波形不随孔隙的加入而改变,均为方波.多孔陶瓷的放电脉冲幅度较低,脉冲宽度较... 制备了四种不同孔隙率的Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3铁电陶瓷,并研究了冲击波作用下孔隙率对陶瓷去极化性能的影响.研究表明:短路负载条件下陶瓷的放电波形不随孔隙的加入而改变,均为方波.多孔陶瓷的放电脉冲幅度较低,脉冲宽度较长.释放的电荷量随着孔隙率的增加而减小,与静态电滞回线测试结果一致.多孔陶瓷具有较低的冲击阻抗,改善了与封装介质的阻抗匹配.用Lysne模型拟合了材料在高电阻负载条件下的放电行为,并指出高电阻负载条件下材料的介电常数是静态介电常数的4—5倍,而且材料的介电常数随孔隙率的增加而减小.冲击波通过样品以后,电路的放电时间常数随着孔隙率的增大而增大.随着电阻的增大,样品负载电压增高,材料铁电-反铁电相变受到抑制,电流上升沿变缓,致密陶瓷出现了击穿现象. 展开更多

关键词 Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3铁电陶瓷 孔隙率 冲击波 去极化

原文传递

超薄BaTiO3铁电薄膜隧穿机理研究

11

作者 赵智超 吴铁峰 《电脑知识与技术（过刊）》 2016年第18期245-247,共3页

使用磁控溅射法来对超薄Ba Ti O3的铁电薄膜进行制备,对电子隧穿的过程进行分析,将电流和电压所绘制出的曲线进行拟合,对单极性开关和双极性开关的工作原理进行分析和讨论。通过数据结果可以得知:在Pt/Ba Ti O3/Pt隧道结中含有三种不同... 使用磁控溅射法来对超薄Ba Ti O3的铁电薄膜进行制备,对电子隧穿的过程进行分析,将电流和电压所绘制出的曲线进行拟合,对单极性开关和双极性开关的工作原理进行分析和讨论。通过数据结果可以得知:在Pt/Ba Ti O3/Pt隧道结中含有三种不同类型的物理机制,分别为Schottky发射、SCLC机制、P-F发射。 展开更多

关键词 超薄Ba Ti O3铁 电薄膜 隧穿机理

全文增补中

钇铌复合掺杂钛酸锶钡陶瓷的介电和铁电性能研究

12

作者 陈威 徐玲芳 曹万强 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2012年第2期142-145,共4页

采用固相法制备4种不同Nb2O5与Y2O3比例的钛酸锶钡(Ba0.9Sr0.1TiO3)铁电陶瓷,掺杂总量在0.3%摩尔分数以内.XRD结果显示,Nb5+和Y3+的掺杂均在Ti位形成了替位式共溶.在-50～150℃温度范围内测试的介电结果表明,介电常数的峰值均保持在80℃... 采用固相法制备4种不同Nb2O5与Y2O3比例的钛酸锶钡(Ba0.9Sr0.1TiO3)铁电陶瓷,掺杂总量在0.3%摩尔分数以内.XRD结果显示,Nb5+和Y3+的掺杂均在Ti位形成了替位式共溶.在-50～150℃温度范围内测试的介电结果表明,介电常数的峰值均保持在80℃.当Y2O3大于Nb2O5的含量时,Nb能够增大Y的作用,使BST陶瓷样品具有更大的介电常数、频率色散和铁电相的温度稳定性;当Y2O3小于Nb2O5的含量时,损耗峰向高温移动,介电损耗不断减小,特别是对高频损耗有明显的抑制作用.电滞回线测试表明,Nb2O5大于Y2O3含量的共掺,使BST陶瓷具有更强的铁电性. 展开更多

关键词 Ba1-x SrxTiO3铁电陶瓷 复合掺杂 介电常数 铁电性

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超薄BaTiO_3铁电薄膜隧穿机理研究

13

作者 赵智超 吴铁峰 《电脑知识与技术》 2016年第6X期245-247,共3页

使用磁控溅射法来对超薄BaTiO_3的铁电薄膜进行制备,对电子隧穿的过程进行分析,将电流和电压所绘制出的曲线进行拟合,对单极性开关和双极性开关的工作原理进行分析和讨论。通过数据结果可以得知:在Pt/BaTiO_3/Pt隧道结中含有三种不同类... 使用磁控溅射法来对超薄BaTiO_3的铁电薄膜进行制备,对电子隧穿的过程进行分析,将电流和电压所绘制出的曲线进行拟合,对单极性开关和双极性开关的工作原理进行分析和讨论。通过数据结果可以得知:在Pt/BaTiO_3/Pt隧道结中含有三种不同类型的物理机制,分别为Schottky发射、SCLC机制、P-F发射。 展开更多

关键词 超薄BaTiO3铁 电薄膜 隧穿机理

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(Ba,Pb)TiO_3铁电薄膜的制备及其光学性质研究

14

作者 张新安 朱纪春 +2 位作者 李卓 丁玲红 张伟风 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2004年第1期34-37,共4页

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术在(100)Si及石英衬底上制备了Ba0.95Pb0.05TiO3(BPT)铁电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微术(AFM)对薄膜的物相结构、结晶性和表面形貌进行表征,结果表明晶化完整的BPT薄膜呈多晶钙钛矿结构,薄膜表面均... 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术在(100)Si及石英衬底上制备了Ba0.95Pb0.05TiO3(BPT)铁电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微术(AFM)对薄膜的物相结构、结晶性和表面形貌进行表征,结果表明晶化完整的BPT薄膜呈多晶钙钛矿结构,薄膜表面均匀致密.用紫外-可见分光光度计在190～1000nm波长范围内,测量了不同温度退火的BPT薄膜的光学透射率,并通过透射光谱计算了薄膜折射率和消光系数的色散关系. 展开更多

关键词 (Ba Pb)TiO3铁电薄膜 制备 光学性质 折射率 消光系数 溶胶-凝胶法

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Y_2O_3掺杂对BaZr_xTi_(1-x)O_3陶瓷介电性能的影响

15

作者 黄丽丽 陈威 曹万强 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2012年第1期45-47,51,共3页

研究BaZrxTi1-xO3(x=0,0.1,0.2,0.3)陶瓷中掺杂0.1%(按物质的量计算,下同)Y2O3对铁电-顺电相变温度的影响.发现0.1%Y2O3的掺杂使BaTiO3的铁电-顺电相变的居里温度向高温偏移了约20℃,不同Zr含量的样品也发生了一定程度的高温偏移.在-40... 研究BaZrxTi1-xO3(x=0,0.1,0.2,0.3)陶瓷中掺杂0.1%(按物质的量计算,下同)Y2O3对铁电-顺电相变温度的影响.发现0.1%Y2O3的掺杂使BaTiO3的铁电-顺电相变的居里温度向高温偏移了约20℃,不同Zr含量的样品也发生了一定程度的高温偏移.在-40℃到140℃的测量温度范围内介电频率弥散现象极弱,峰值介电常数可以达到8 000,损耗峰值为0.05以下.随Zr含量的增加,损耗峰快速移向低温.与文献报道的结果比较,证实Y以A位替代Ba为主. 展开更多

关键词 BaZrxTi1-xO3铁电陶瓷 介电常数 居里温度

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溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响

16

作者 王茂祥 孙平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期417-420,共4页

采用高频磁控溅射法制备了Si基（Pb1-xSrx）TiO3系铁电薄膜（以下简称PST／Si）。实验表明，合适的Ar、O2分压比，能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合，确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高，Au电极中将有大量的O... 采用高频磁控溅射法制备了Si基（Pb1-xSrx）TiO3系铁电薄膜（以下简称PST／Si）。实验表明，合适的Ar、O2分压比，能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合，确保制备所需成份的PST薄膜。O2分压过高，Au电极中将有大量的O离子严重渗透，从而使PST薄膜介电损耗增加并降低其极化能力。实验中Ar、O2比为5：1的PST／Si样品性能较好，其介电损耗约在0．12～0．21之间，热释电系数约为2．35×10^-2μC／cm^2K。 展开更多

关键词 (Pb1-xSrx)TiO3铁电薄膜 磁控溅射 Ar与O2分压比

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(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷介电特性的测试分析

17

作者 王茂祥 孙平 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期32-34,38,共4页

采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有... 采用常规陶瓷工艺掺杂不同含量的分析纯SiO2和La2O3,在不同烧结温度下,制备了系列(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷。对所制备的PST铁电陶瓷的介电特性进行了测试分析。1250℃烧结温度较1200℃烧结温度下样品在居里点处的温度系数α有所提高,介电常数ε略高(均在103量级),介电损耗D略有降低。随着工作频率的增加,样品介电常数有较明显的下降,介电损耗D略有增加。 展开更多

关键词 (Pb1-xSrx)TiO3铁电陶瓷 介电特性 测试分析

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影响磁控溅射制备PST/Si薄膜介电特性的几个因素

18

作者 王茂祥 孙平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期151-154,共4页

采用磁控溅射制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST/Si)薄膜。测试表明,热处理工艺对PST/Si薄膜介电特性有着一定的影响,适当温度、适当时间的热处理可得到均匀致密的膜层及生长良好的晶粒,从而确保PST薄膜良好的介电特性。样品上电极材料... 采用磁控溅射制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST/Si)薄膜。测试表明,热处理工艺对PST/Si薄膜介电特性有着一定的影响,适当温度、适当时间的热处理可得到均匀致密的膜层及生长良好的晶粒,从而确保PST薄膜良好的介电特性。样品上电极材料对介电特性也有重要影响。Al较Au电极易氧化,从而易在其与PST薄膜的界面形成一氧化层,增加了串联电阻,导致介电损耗总体上要低。工作频率对材料的介电弛豫特性及漏电导等也会产生影响。 展开更多

关键词 (Pb1-xSrx)TiO3铁电薄膜 磁控溅射 介电特性 影响因素

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不同衬底上Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3铁电薄膜的制备及外延生长的研究

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作者 唐艳艳 高守宝 +1 位作者 尚杰 张辉 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期569-572,共4页

利用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过一系列实验成功地制备出了近外延生长的Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_2铁电薄膜。研究了衬底对Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3铁电薄膜外延质量的影响。从摇摆曲线的半高宽(FWHM)及原子力显微镜(AFM)图谱中可以看出,在铝... 利用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过一系列实验成功地制备出了近外延生长的Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_2铁电薄膜。研究了衬底对Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3铁电薄膜外延质量的影响。从摇摆曲线的半高宽(FWHM)及原子力显微镜(AFM)图谱中可以看出,在铝酸锶钽镧(LAST)衬底上生长的薄膜,外延质量明显比失配度更小的钛酸锶(STO)衬底上生长的要好,并不是传统认为的晶格失配度越小越好,分析其原因主要是因为小的失配不利于应力的释放造成的。 展开更多

关键词 衬底 Ba_0.4Sr_0.6TiO_3铁电薄膜 脉冲激光沉积 外延生长 X射线衍射 原子力显微镜

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Ho掺杂的BiFeO_3多铁陶瓷的制备及性能 被引量：6

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作者 余洋 胡忠强 +3 位作者 邱达 裴玲 于本方 李美亚 《武汉大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期539-543,共5页

用固相反应和快速退火冷却法制备了纯的BiFeO3(BFO)陶瓷和15%Ho掺杂的Bi0.85Ho0.15FeO3(BHFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的晶格结构及其铁电、介电、漏电和磁性能.结果表明,Ho掺杂有助于减少BiFeO3陶瓷中的杂相,改善其铁电、介电、漏电和磁... 用固相反应和快速退火冷却法制备了纯的BiFeO3(BFO)陶瓷和15%Ho掺杂的Bi0.85Ho0.15FeO3(BHFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的晶格结构及其铁电、介电、漏电和磁性能.结果表明,Ho掺杂有助于减少BiFeO3陶瓷中的杂相,改善其铁电、介电、漏电和磁性能.与BFO陶瓷相比,BHFO陶瓷具有典型的电滞回线;当电场强度为150 kV/cm时,其2Pr(剩余极化值)为15μC/cm2.同时,BHFO具有比BFO显著增大的介电常数和明显降低的介电损耗.磁性能测试表明,BHFO陶瓷表现出弱的铁磁性. 展开更多

关键词 BiFeO3多铁陶瓷 Ho掺杂 铁电性 介电性 磁性

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