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多孔硅表面的Al_2O_3钝化处理
被引量：
2
1
作者
刘小兵
史向华
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期285-288,共4页
用Al2 O3钝化的方法对多孔硅进行了后处理 ,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品。通过对样品进行傅里叶变换红外吸收谱的测试和分析 ,指出了Al2
关键词
多孔硅
A
12
o
3
膜
钝化
下载PDF
职称材料
CLAM钢表面硬质薄膜的制备与性能研究
2
作者
储汉奇
李合琴
+1 位作者
都智
聂竹华
《真空》
CAS
北大核心
2011年第3期67-71,共5页
采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测试和显微硬度测试。结果表明:单层SiC薄膜表面出现了部分脱落,...
采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测试和显微硬度测试。结果表明:单层SiC薄膜表面出现了部分脱落,而SiC/A12O3双层膜表面完整光滑。W/A12O3双层薄膜表面平整光滑,均方根粗糙度为4.28 nm。W单层薄膜和W/A12O3双层薄膜经氩气中800℃退火2 h后硬度最高,分别达到了34.4 GPa和31.3 GPa。
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关键词
射频反应磁控溅射
CLAM钢
A
12
o
3
薄
膜
SIC薄
膜
W薄
膜
SiC/A
12
o
3
双层
膜
W/A
12
o
3
双层
膜
显微硬度
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职称材料
题名
多孔硅表面的Al_2O_3钝化处理
被引量：
2
1
作者
刘小兵
史向华
机构
长沙电力学院物理与信息工程系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期285-288,共4页
基金
:国家自然科学基金资助项目 (195 2 5 410 )
文摘
用Al2 O3钝化的方法对多孔硅进行了后处理 ,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品。通过对样品进行傅里叶变换红外吸收谱的测试和分析 ,指出了Al2
关键词
多孔硅
A
12
o
3
膜
钝化
Keywords
p
o
r
o
us silic
o
n
Al 2
o
3
film
passivati
o
n
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
O433.2 [理学—物理]
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职称材料
题名
CLAM钢表面硬质薄膜的制备与性能研究
2
作者
储汉奇
李合琴
都智
聂竹华
机构
合肥工业大学材料科学与工程学院
出处
《真空》
CAS
北大核心
2011年第3期67-71,共5页
基金
国家"973"项目(2008CB717802)
安徽省自然科学基金(090414182)
安徽省高校自然科学基金(KJ2009A091)
文摘
采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测试和显微硬度测试。结果表明:单层SiC薄膜表面出现了部分脱落,而SiC/A12O3双层膜表面完整光滑。W/A12O3双层薄膜表面平整光滑,均方根粗糙度为4.28 nm。W单层薄膜和W/A12O3双层薄膜经氩气中800℃退火2 h后硬度最高,分别达到了34.4 GPa和31.3 GPa。
关键词
射频反应磁控溅射
CLAM钢
A
12
o
3
薄
膜
SIC薄
膜
W薄
膜
SiC/A
12
o
3
双层
膜
W/A
12
o
3
双层
膜
显微硬度
Keywords
reactive RF magnetr
o
n sputtering
CLAM steel
A
12
o
3
thin film
SiC thin film
W thin film
SiC/A
12
o
3
bilayer film
W/A
12
o
3
bilayer film
micr
o
hardness
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多孔硅表面的Al_2O_3钝化处理
刘小兵
史向华
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
下载PDF
职称材料
2
CLAM钢表面硬质薄膜的制备与性能研究
储汉奇
李合琴
都智
聂竹华
《真空》
CAS
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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