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题名800 V充电平台中SiC材料的应用及发展趋势
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作者
靳霄曦
徐桂英
毛开礼
李斌
魏汝省
张瑾
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机构
北京科技大学
山西烁科晶体有限公司
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出处
《电子工艺技术》
2024年第2期5-9,共5页
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基金
山西省科技重大专项计划资助项目(20210103020001)。
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文摘
SiC功率器件具有优异的性能,已经成为高端新能源汽车的核心部件,并随着应用成本的降低在逐步取代传统的Si基器件。然而,SiC单晶生长的参数可控性差、成本高、扩径难度大,它的市场渗透受到制约。当前对于SiC材料的投资非常火热,国内也有大量产业项目开展,但是实际投产却相对较少,半导体材料行业准入门槛较高,也需警惕重复建设的风险。山西烁科晶体有限公司实现了6英寸(1英寸=25.4 mm)SiC衬底产业化,并推出了8英寸产品,计划在十四五期间内将年产能扩充至150万片以满足市场巨大的需求,同时不断提升产品的良率及性能,助力第三代半导体行业的发展,在实现“碳达峰碳中和”的目标道路上贡献力量。
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关键词
碳化硅单晶
新能源汽车
800
v充电平台
节能减排
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Keywords
silicon carbide crystal
new energy vehicle
800 v charging platform
energy saving and emission reduction
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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