期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
800 V充电平台中SiC材料的应用及发展趋势
1
作者 靳霄曦 徐桂英 +3 位作者 毛开礼 李斌 魏汝省 张瑾 《电子工艺技术》 2024年第2期5-9,共5页
SiC功率器件具有优异的性能,已经成为高端新能源汽车的核心部件,并随着应用成本的降低在逐步取代传统的Si基器件。然而,SiC单晶生长的参数可控性差、成本高、扩径难度大,它的市场渗透受到制约。当前对于SiC材料的投资非常火热,国内也有... SiC功率器件具有优异的性能,已经成为高端新能源汽车的核心部件,并随着应用成本的降低在逐步取代传统的Si基器件。然而,SiC单晶生长的参数可控性差、成本高、扩径难度大,它的市场渗透受到制约。当前对于SiC材料的投资非常火热,国内也有大量产业项目开展,但是实际投产却相对较少,半导体材料行业准入门槛较高,也需警惕重复建设的风险。山西烁科晶体有限公司实现了6英寸(1英寸=25.4 mm)SiC衬底产业化,并推出了8英寸产品,计划在十四五期间内将年产能扩充至150万片以满足市场巨大的需求,同时不断提升产品的良率及性能,助力第三代半导体行业的发展,在实现“碳达峰碳中和”的目标道路上贡献力量。 展开更多
关键词 碳化硅单晶 新能源汽车 800 v充电平台 节能减排
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部