期刊文献+

二次检索

题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
导带的非抛物线性对应变In_xGa_(1-x)As/AlAs量子阱红外谱的影响
1
作者 杨晓峰 温廷敦 张文栋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1949-1953,共5页
研究了导带非抛物线性对应变In0.84Ga0.16As/AlAs/In0.52Ga0.48As量子阱红外谱的影响.用8×8k·p理论分析了导带价带混合引起导带的非抛物线性、费米能级变化和带内跃迁吸收峰位置的改变.数值分析给出与红外吸收实验相一致的结... 研究了导带非抛物线性对应变In0.84Ga0.16As/AlAs/In0.52Ga0.48As量子阱红外谱的影响.用8×8k·p理论分析了导带价带混合引起导带的非抛物线性、费米能级变化和带内跃迁吸收峰位置的改变.数值分析给出与红外吸收实验相一致的结果,表明导带的非抛物线性对重掺杂量子阱红外谱有显著的影响,从实验红外谱可以推知导带色散的非抛物线性特征. 展开更多
关键词 8×8 k·p模型 非抛物线性 红外吸收
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部