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题名一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计
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作者
李天阳
石乔林
田海燕
薛忠杰
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机构
江南大学信息工程学院
中国电子科技集团公司第
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出处
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第6期688-692,共5页
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基金
国防科技重点实验室基金项目(51433020105DZ6801)
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文摘
为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小.
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关键词
6-t单元
亚阈值电流
静态随机存储器
静态功耗
浮动电源线
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Keywords
6-T cell
subthreshold leakage current, SRAM； standby power, floating power rails
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分类号
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种深亚微米SRAM 6T存储单元的设计方法
被引量：2
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作者
张新川
王勇
蒋波
唐明华
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机构
湘潭大学材料与光电物理学院
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出处
《电子与封装》
2009年第10期22-25,共4页
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基金
国家自然科学基金项目(编号:60876054)
湖南省自然科学基金项目(编号:08JJ3122)
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文摘
文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限(SNM)。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法,该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制,然后将多个限制因素综合在一起考虑,并通过三维曲线图形为仿真提供指导,以提高设计效率,缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证,仿真结果表明,采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。
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关键词
静态随机存储器
深亚微米
6t单元
静态噪声容限
仿真
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Keywords
SRAM
deep sub-micro
6T cell
SNM
simulation
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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