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一种二酮吡咯并吡咯半导体的合成、表征及在有机薄膜晶体管中的应用
1
作者
陈少云
魏晓磊
+4 位作者
罗永强
瞿波
李文杰
郑燕玉
刘小英
《宁德师范学院学报(自然科学版)》
2019年第2期134-141,146,共9页
将4-癸基十六烷基引入到3,6-二-(呋喃-2-基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(DBF)后,与5,5忆-双(三甲基锡烷基)噻吩通过Stille 耦合方法合成给体-受体共聚物PDBFBT-26.通过热重分析)TGA)、差示扫描量热仪(DSC)、紫外-可见(UV-vis)吸...
将4-癸基十六烷基引入到3,6-二-(呋喃-2-基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(DBF)后,与5,5忆-双(三甲基锡烷基)噻吩通过Stille 耦合方法合成给体-受体共聚物PDBFBT-26.通过热重分析)TGA)、差示扫描量热仪(DSC)、紫外-可见(UV-vis)吸收光谱尧循环伏安(CV)分析、X-射线衍射(XRD—)和原子力显微镜(AFM)表征PDBFBT-26 材料的性能、结构和形貌.结果表明:PDBFBT-26 溶解性良好,热稳定性好;4-癸基十六烷基侧链能有效提高聚合物半导体的光电性能,聚合物的光学带隙为1.36 eV,最高占据分子轨道能级(EHOMO)为-5.29 eV,最低未占据分子轨道能级(ELUMO)为-3.93 eV,聚合物链沿边沿取向形成层状晶体结构袁层间距(d-spacing)为2.40 nm,聚合物链之间的π-π堆积距离为0.414 nm.基于PDBFBT-26 聚合物的有机薄膜晶体管(OTFT)器件性能表现良好,空穴迁移率达到1.16 cm2/(V·s).
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关键词
呋喃3
6-
二
-(呋喃-2-基)吡咯并[3
4-c]吡咯-1
4(2
h
5
h
)-
二
酮
(
dbf
)
给体-受体
聚合物半导
有机薄膜晶体管(OTFT)
空穴迁移率
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职称材料
题名
一种二酮吡咯并吡咯半导体的合成、表征及在有机薄膜晶体管中的应用
1
作者
陈少云
魏晓磊
罗永强
瞿波
李文杰
郑燕玉
刘小英
机构
泉州师范学院化工与材料学院
出处
《宁德师范学院学报(自然科学版)》
2019年第2期134-141,146,共9页
基金
国家自然科学基金(51403212)
福建省自然科学基金(2015J05030)
+1 种基金
福建省教育厅科研项目(JA15398,JK2014038)
泉州师范学院大学生创新创业训练计划资助项目(S201910399055)
文摘
将4-癸基十六烷基引入到3,6-二-(呋喃-2-基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(DBF)后,与5,5忆-双(三甲基锡烷基)噻吩通过Stille 耦合方法合成给体-受体共聚物PDBFBT-26.通过热重分析)TGA)、差示扫描量热仪(DSC)、紫外-可见(UV-vis)吸收光谱尧循环伏安(CV)分析、X-射线衍射(XRD—)和原子力显微镜(AFM)表征PDBFBT-26 材料的性能、结构和形貌.结果表明:PDBFBT-26 溶解性良好,热稳定性好;4-癸基十六烷基侧链能有效提高聚合物半导体的光电性能,聚合物的光学带隙为1.36 eV,最高占据分子轨道能级(EHOMO)为-5.29 eV,最低未占据分子轨道能级(ELUMO)为-3.93 eV,聚合物链沿边沿取向形成层状晶体结构袁层间距(d-spacing)为2.40 nm,聚合物链之间的π-π堆积距离为0.414 nm.基于PDBFBT-26 聚合物的有机薄膜晶体管(OTFT)器件性能表现良好,空穴迁移率达到1.16 cm2/(V·s).
关键词
呋喃3
6-
二
-(呋喃-2-基)吡咯并[3
4-c]吡咯-1
4(2
h
5
h
)-
二
酮
(
dbf
)
给体-受体
聚合物半导
有机薄膜晶体管(OTFT)
空穴迁移率
Keywords
3,6-Di(furan-2-yl)pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4(2
h
,
5
h
)-dione(
dbf
)
donor-acceptor
polymer semiconductor
organic t
h
in film transistor (OTFT)
h
ole mobility
分类号
O631 [理学—高分子化学]
TN325.3 [理学—化学]
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题名
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1
一种二酮吡咯并吡咯半导体的合成、表征及在有机薄膜晶体管中的应用
陈少云
魏晓磊
罗永强
瞿波
李文杰
郑燕玉
刘小英
《宁德师范学院学报(自然科学版)》
2019
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