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GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件 被引量：8
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作者 张燕 储开慧 +4 位作者 邵秀梅 袁永刚 刘大福 陈新禹 李向阳 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3515-3518,共4页
介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程，并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的多层A1GaN外延材料，通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极制备等工艺，制作了256×1的背照射AlGaN紫外... 介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程，并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的多层A1GaN外延材料，通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极制备等工艺，制作了256×1的背照射AlGaN紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试，得到芯片的暗电流Id为4．22×10^-12A、零压电阻风为1．01×10^10Ω，响应波段为305～365nm，响应率约为0．12A／W。该AlGaN探测芯片与电容反馈互阻抗放大器（CTIA）结构的读出电路互连成为一个256模块，两个256模块经过拼接、封装后制备出512×1元紫外长线列焦平面探测器组件。测量室温（300K）时焦平面组件（实际524元）的响应，平均电压响应率为1．8×10^8V／w，其盲元率为9．0％，响应不均匀性为17．8％，359nm处的平均波段探测率为7×10^10cmHz^1/2W^-1。并对器件性能进行了分析。 展开更多
关键词 紫外探测器 512元长线列 工艺 GaN基 响应率
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