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基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计
1
作者
韦俞鸿
黄冰
+2 位作者
孙晓玮
张润曦
张健
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期262-267,273,共7页
提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,...
提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC^94GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在25~45GHz的插入损耗为2.5~3.2dB,隔离度大于19dB。
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关键词
单刀双掷开关
超宽带
45
nm
绝缘体
上
硅
负
体
偏置
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职称材料
题名
基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计
1
作者
韦俞鸿
黄冰
孙晓玮
张润曦
张健
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室
中国科学院大学
华东师范大学微电子电路与系统研究所
杭州电子科技大学
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期262-267,273,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61731021)
2016GlobalFoundries大学合作项目
文摘
提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC^94GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在25~45GHz的插入损耗为2.5~3.2dB,隔离度大于19dB。
关键词
单刀双掷开关
超宽带
45
nm
绝缘体
上
硅
负
体
偏置
Keywords
single-pole-double-throw （SPDT）
ultra-broadband
45
nm
SOI
negative body bias
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计
韦俞鸿
黄冰
孙晓玮
张润曦
张健
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018
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