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适用400Gbit/s接收系统的铟磷基低暗电流高带宽倏逝波耦合光电探测器阵列 被引量：2
1
作者 陆子晴 韩勤 +3 位作者 叶焓 王帅 肖峰 肖帆 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第20期377-382,共6页
相较于面入射型和边入射型光电探测器,倏逝波耦合型光电探测器(evanescent coupling photodetector,ECPD)能够同时具备高带宽和高量子效率,因此在高速光通信领域有着广袤的应用前景.ECPD由稀释波导、单模脊波导和PIN光电二极管组成,通... 相较于面入射型和边入射型光电探测器,倏逝波耦合型光电探测器(evanescent coupling photodetector,ECPD)能够同时具备高带宽和高量子效率,因此在高速光通信领域有着广袤的应用前景.ECPD由稀释波导、单模脊波导和PIN光电二极管组成,通过倏逝波定向耦合提高光纤入射光到探测器吸收芯层的耦合效率.本文详细介绍了一种铟磷基ECPD阵列的结构设计、实验制备和测试结果.测试结果表明,制备的ECPD暗电流较低,在–3和0 V外加偏压下探测器暗电流低至215和1.23 pA.在有源区面积为5μm×20μm的情况下,器件仍能有较高响应度,为0.5 A/W(无增透膜).对探测器进行高频性能测试,探测器阵列的所有探测器带宽均超过25 GHz,总带宽400 GHz,可以集成任意光学器件. 展开更多
关键词 倏逝波耦合 PIN探测器阵列 低暗电流 400 ghz
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