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烷基和烷氧基取代聚噻吩的合成、表征与光电性能 被引量:22
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作者 佟拉嘎 蹇锡高 +1 位作者 藤井彰彦 吉野胜美 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第5期628-633,共6页
Fe(Ⅲ )氧化催化法合成了 4种聚噻吩衍生物 ,3 十二烷基聚噻吩 (Pat12 ) ,3 辛氧基聚噻吩 (Paot8) ,3,4 二 (十二烷基 )聚噻吩 (Pat12 12 )和 3 (十二烷基 )噻吩 3 (辛氧基 )噻吩共聚物 (CoPt12 o8) .发现这些衍生物易溶于多种常用... Fe(Ⅲ )氧化催化法合成了 4种聚噻吩衍生物 ,3 十二烷基聚噻吩 (Pat12 ) ,3 辛氧基聚噻吩 (Paot8) ,3,4 二 (十二烷基 )聚噻吩 (Pat12 12 )和 3 (十二烷基 )噻吩 3 (辛氧基 )噻吩共聚物 (CoPt12 o8) .发现这些衍生物易溶于多种常用有机溶剂 .用GPC法测定了各聚合物分子量 ,用1 H NMR法表征了各聚合物化学结构 .对比研究了这些聚合物紫外 可见吸收性能 ,光致发光性能和能隙 .对其电致发光性能进行测定的结果 ,得到了Pat12 ,Pat12 12和Paot8的电致发光光谱 .发射峰分别为 6 70nm ,5 6 0nm和 6 4 0nm .发光颜色分别为红色 ,黄色和红橙色 .聚合物的光电性能与主链电子结构有密切关系 .探讨了取代基种类和数量对聚合物能带结构 ,光电性能的影响 . 展开更多
关键词 噻吩 Fe(Ⅲ)氧化催化法 合成 3-十二烷基噻吩 3-辛氧基噻吩 3 4-(十二烷基)噻吩 3-(十二烷基)噻吩-3-(辛氧基)噻吩 GPC法 表征 光电性能
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高真空强静电场下聚合物薄膜微晶生长形态转变研究 被引量:1
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作者 肖学山 董远达 +4 位作者 乔秀颖 莫志深 王献红 王庆 徐晖 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第2期261-264,共4页
The morphology of films of isotactic polypropylene poly(3\|dodecylthiophene) and i PP/P3DDT blend formed in electrostatic fields has been investigated by using scanning electron microscope. The experiment results show... The morphology of films of isotactic polypropylene poly(3\|dodecylthiophene) and i PP/P3DDT blend formed in electrostatic fields has been investigated by using scanning electron microscope. The experiment results show that the micro\|crystal morphology of polymer films was strongly dependent on electrostatic fields. It was found that the effect of the electrostatic field led to the formation of dendrite crystals aligned in the field direction,and some branches of P3DDT ruptured. However,the micro\|crystals in these films grew into spherulites without electrostatic field,and have no crystal orientation. 展开更多
关键词 静电场 等规丙烯 十二烷基取代噻吩 合薄膜微晶 晶体生长 形态转变 结构
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