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题名第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状
被引量：26
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作者
蔡蔚
孙东阳
周铭浩
郭庆波
高晗璎
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机构
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院
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出处
《科技导报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第14期42-55,共14页
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基金
黑龙江省新能源电机系统及关键材料研究头雁团队项目
国家重点研发计划项目(2017YFB0102400)
黑龙江省博士后面上基金项目(LBH-Z19166)。
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文摘
近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链。
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关键词
第三代宽禁带功率半导体
碳化硅
氮化镓
芯片与封装技术
半导体应用与市场
碳化硅控制器和逆变器
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Keywords
3rd generation wide bandgap power semiconductors
silicon carbide
gallium nitride
chips and package technology
power semiconductor application and market
SiC converter and inverter
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分类号
F426.63
[经济管理—产业经济]
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