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新型的3D堆叠封装制备工艺及其实验测试
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作者 范汉华 成立 +2 位作者 植万江 王玲 伊廷荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期409-413,共5页
为了满足超大规模集成电路（VLSI）芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求，采用了一种基于贯穿硅通孔（TSV）技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法（DRIE）形成通孔，然后利用离子化金属电浆（IMP）溅镀法填充通孔，最后... 为了满足超大规模集成电路（VLSI）芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求，采用了一种基于贯穿硅通孔（TSV）技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法（DRIE）形成通孔，然后利用离子化金属电浆（IMP）溅镀法填充通孔，最后用Cu／Sn混合凸点互连芯片和基板，从而形成了3D堆叠式封装的制备工艺样本。对该样本的接触电阻进行了实验测试，结果表明，100μm^2Cu／Sn混合凸点接触电阻约为6．7mΩ，高90μm的斜通孔电阻在20～30mΩ，该模型在高达10GHz的频率下具有良好的机械和电气性能。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 3D堆叠式封装 铜互连 贯穿硅通孔
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