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一种提高SOI电光开关消光比的优化设计 被引量：1
1
作者 王皓 瞿鹏飞 +2 位作者 田自君 向鹏飞 孙力军 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第3期375-378,共4页
针对电流注入型SOI光开关在切换时难以克服的消光比变差的问题,提出了一种非对称的开关结构设计。然后依照实际器件的结构建立了SOI光开关的3D光学模型,对光开关中3D光场传输和输出光功率进行了模拟与分析。最后运用该模型对SOI光开关... 针对电流注入型SOI光开关在切换时难以克服的消光比变差的问题,提出了一种非对称的开关结构设计。然后依照实际器件的结构建立了SOI光开关的3D光学模型,对光开关中3D光场传输和输出光功率进行了模拟与分析。最后运用该模型对SOI光开关在电流切换时的消光比变化的问题进行了比较深入的研究,计算结果表明,提出的非对称的开关结构可以将SOI电光开关的消光比提高5dB左右。 展开更多
关键词 Si基光子集成 SOI 电光开关 消光比 3D光学仿真
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