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Si基(100)取向3C-SiC单晶薄膜生长工艺技术研究 被引量：2
1
作者 毛开礼 王英民 +1 位作者 李斌 赵高扬 《电子工艺技术》 2017年第3期128-130,151,共4页
为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生... 为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生长高质量3C-SiC薄膜工艺。通过光学显微镜、XRD射线2θ-ω、XRD摇摆曲线等分析Si基3C-SiC薄膜表面质量和单晶特性。研究表明,在x(C)/x(Si)气相摩尔比为1.6时,采用"两步碳化工艺"在1 385℃生长1 h获得的3C-SiC薄膜为类单晶薄膜,3C-SiC薄膜(200)衍射峰的摇摆曲线半峰宽约为0.19°。 展开更多
关键词 Si单晶衬底 3c-sic单晶薄膜 修正的两步碳化工艺
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