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三端双向负阻晶体管的二维数值模拟及分析
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作者 莫太山 张世林 +3 位作者 郭维廉 梁惠来 毛陆虹 郑云光 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期614-617,623,共5页
　对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了数值模拟,得到了器件S型负阻曲线。根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布,解释了其S型负阻特性的产生机理。模拟分析了负阻曲线随控制电压变化的情况。结果表明,随控制... 　对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了数值模拟,得到了器件S型负阻曲线。根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布,解释了其S型负阻特性的产生机理。模拟分析了负阻曲线随控制电压变化的情况。结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大。最后,对不同结构和工艺参数的三端BNRT进行了模拟,总结出器件结构和工艺参数对负阻特性的影响。 展开更多
关键词 三端双向负阻晶体管 二维数值模拟 S型负阻
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