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硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展
被引量：
9
1
作者
刘晓阳
刘海燕
+2 位作者
于大全
吴小龙
陈文录
《电子与封装》
2015年第8期1-8,共8页
以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三...
以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连,降低了系统芯片制作成本和功耗。在基于TSV转接板的三维封装结构中,新型封装结构及封装材料的引入,大尺寸、高功率芯片和小尺寸、细节距微凸点的应用,都为转接板的微组装工艺及其可靠性带来了巨大挑战。综述了TSV转接板微组装的研究现状,及在转接板翘曲、芯片与转接板的精确对准、微组装相关材料、工艺选择等方面面临的关键问题和研究进展。
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关键词
硅通孔(TSV)
转接板
微组装技术
基板
2.5
D/
3
D集成
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职称材料
大数据时代光电共封技术的机遇与挑战
被引量：
2
2
作者
卞玲艳
曾燕萍
+5 位作者
蔡莹
陆霄
周倩蓉
唐清林
顾廷炜
王辂
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2024年第9期65-76,共12页
人工智能和大数据时代对数据存储、传输和处理能力的需求日益增加,数据传输所需带宽和通信速率也随之增加。然而系统级封装中的电互连受到介质材料、传输速率的影响,表现出强烈的损耗、反射、延迟和串扰等现象,无法满足日益增加的带宽...
人工智能和大数据时代对数据存储、传输和处理能力的需求日益增加,数据传输所需带宽和通信速率也随之增加。然而系统级封装中的电互连受到介质材料、传输速率的影响,表现出强烈的损耗、反射、延迟和串扰等现象,无法满足日益增加的带宽和通信速率的需求。光电共封装技术基于先进封装技术将光模块和电芯片共同封装在同一封装体内,缩短了光模块和电芯片之间的互连长度,减小了寄生效应,具有宽频带、抗电磁干扰、低传输损耗和小功耗等明显优势,成为了近年来的研究热点。本文论述了光电共封装的基本概念、优势特性,梳理了基于2D、2.5D和3D封装的典型技术和国内外最新进展,分析了作为新一代封装技术所面临的挑战。
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关键词
光电共封装
2.5
D/
3
D集成
光通信
光电集成
先进封装
原文传递
2.5D/3D硅基光电子集成技术及应用
被引量：
2
3
作者
欧祥鹏
杨在利
+4 位作者
唐波
李志华
罗军
王文武
杨妍
《光通信研究》
2023年第1期1-16,共16页
全球网络流量急速增长,数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加,传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求。硅基光电子技术具有带宽高、能耗低并且可以利用成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将光子集成电...
全球网络流量急速增长,数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加,传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求。硅基光电子技术具有带宽高、能耗低并且可以利用成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将光子集成电路和电子集成电路大规模集成在硅衬底上等优势,能满足下一代数据传输系统的迫切需求。2.5D/3D硅基光电子集成技术可以有效缩短光芯片和电芯片之间电学互连长度、减小芯片尺寸,从而减小寄生效应、提高集成密度和降低功耗。文章介绍了硅基光电子集成技术的不同方案和最新进展,并展望了硅基光电子芯片结合2.5D/3D集成技术在数据通信、激光雷达、生化传感以及光计算等领域的应用前景。
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关键词
光通信
硅光
光电集成
2.5
D/
3
D集成
硅通孔
转接板
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职称材料
集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展
4
作者
黎科
张鑫硕
+2 位作者
夏启飞
钟毅
于大全
《电子与封装》
2024年第6期109-118,共10页
集成电路互连微纳米尺度硅通孔(TSV)技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV结构,2.5D/3D集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时,采用纳米TSV技术实现集成电路背面供...
集成电路互连微纳米尺度硅通孔(TSV)技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV结构,2.5D/3D集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时,采用纳米TSV技术实现集成电路背面供电,可有效解决当前信号网络与供电网络之间布线资源冲突的瓶颈问题,提高供电效率和整体性能。随着材料工艺和设备技术的不断创新,微纳米尺度TSV技术在一些领域取得了显著进展,为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了重要支持。综述了目前业界主流的微纳米尺度TSV技术,并对其结构特点和关键技术进行了分析和总结,同时探讨了TSV技术的发展趋势及挑战。
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关键词
先进互连技术
2.5
D/
3
D芯粒集成
背面供电
高深宽比TSV
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职称材料
题名
硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展
被引量：
9
1
作者
刘晓阳
刘海燕
于大全
吴小龙
陈文录
机构
江南计算技术研究所
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
中国科学院微电子研究所
出处
《电子与封装》
2015年第8期1-8,共8页
基金
国家科技重大专项(2011ZX02709-2)
国家自然科学基金(61176098)
文摘
以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连,降低了系统芯片制作成本和功耗。在基于TSV转接板的三维封装结构中,新型封装结构及封装材料的引入,大尺寸、高功率芯片和小尺寸、细节距微凸点的应用,都为转接板的微组装工艺及其可靠性带来了巨大挑战。综述了TSV转接板微组装的研究现状,及在转接板翘曲、芯片与转接板的精确对准、微组装相关材料、工艺选择等方面面临的关键问题和研究进展。
关键词
硅通孔(TSV)
转接板
微组装技术
基板
2.5
D/
3
D集成
Keywords
through
Silicon
via(TSV)
interposer
micropackage
substrate
2.5
D/
3
D
integration
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
大数据时代光电共封技术的机遇与挑战
被引量：
2
2
作者
卞玲艳
曾燕萍
蔡莹
陆霄
周倩蓉
唐清林
顾廷炜
王辂
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2024年第9期65-76,共12页
基金
中国博士后科学基金面上项目(2022M722962)
江苏省自然科学基金(BK20220228)。
文摘
人工智能和大数据时代对数据存储、传输和处理能力的需求日益增加,数据传输所需带宽和通信速率也随之增加。然而系统级封装中的电互连受到介质材料、传输速率的影响,表现出强烈的损耗、反射、延迟和串扰等现象,无法满足日益增加的带宽和通信速率的需求。光电共封装技术基于先进封装技术将光模块和电芯片共同封装在同一封装体内,缩短了光模块和电芯片之间的互连长度,减小了寄生效应,具有宽频带、抗电磁干扰、低传输损耗和小功耗等明显优势,成为了近年来的研究热点。本文论述了光电共封装的基本概念、优势特性,梳理了基于2D、2.5D和3D封装的典型技术和国内外最新进展,分析了作为新一代封装技术所面临的挑战。
关键词
光电共封装
2.5
D/
3
D集成
光通信
光电集成
先进封装
Keywords
optoelectronic
copackaging
2.5
D/
3
D
integration
optical
communication
optoelectronic
integration
advanced
packaging
分类号
TN29 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
2.5D/3D硅基光电子集成技术及应用
被引量：
2
3
作者
欧祥鹏
杨在利
唐波
李志华
罗军
王文武
杨妍
机构
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心
出处
《光通信研究》
2023年第1期1-16,共16页
基金
国家自然科学基金青年资助项目(61904196)
国家自然科学基金面上资助项目(62274179)
+1 种基金
国家自然科学基金重点资助项目(62235001)
国家重点研发计划资助项目(2022YFB2802400)。
文摘
全球网络流量急速增长,数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加,传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求。硅基光电子技术具有带宽高、能耗低并且可以利用成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将光子集成电路和电子集成电路大规模集成在硅衬底上等优势,能满足下一代数据传输系统的迫切需求。2.5D/3D硅基光电子集成技术可以有效缩短光芯片和电芯片之间电学互连长度、减小芯片尺寸,从而减小寄生效应、提高集成密度和降低功耗。文章介绍了硅基光电子集成技术的不同方案和最新进展,并展望了硅基光电子芯片结合2.5D/3D集成技术在数据通信、激光雷达、生化传感以及光计算等领域的应用前景。
关键词
光通信
硅光
光电集成
2.5
D/
3
D集成
硅通孔
转接板
Keywords
optical
communication
silicon
photonics
electronic-photonic
integration
2.5
D/
3
D
integration
through-silicon-via
interposer
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展
4
作者
黎科
张鑫硕
夏启飞
钟毅
于大全
机构
厦门大学电子科学与技术学院
厦门大学化学化工学院
厦门云天半导体科技有限公司
出处
《电子与封装》
2024年第6期109-118,共10页
基金
国家自然科学基金(62104206)
中央高校基本科研业务费专项资金(20720220072)。
文摘
集成电路互连微纳米尺度硅通孔(TSV)技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV结构,2.5D/3D集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时,采用纳米TSV技术实现集成电路背面供电,可有效解决当前信号网络与供电网络之间布线资源冲突的瓶颈问题,提高供电效率和整体性能。随着材料工艺和设备技术的不断创新,微纳米尺度TSV技术在一些领域取得了显著进展,为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了重要支持。综述了目前业界主流的微纳米尺度TSV技术,并对其结构特点和关键技术进行了分析和总结,同时探讨了TSV技术的发展趋势及挑战。
关键词
先进互连技术
2.5
D/
3
D芯粒集成
背面供电
高深宽比TSV
Keywords
advanced
interconnecting
technology
2.5
D/
3
D
Chiplet
integration
backside
power
delivery
high
depth-to-width
ratio
TSV
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展
刘晓阳
刘海燕
于大全
吴小龙
陈文录
《电子与封装》
2015
9
下载PDF
职称材料
2
大数据时代光电共封技术的机遇与挑战
卞玲艳
曾燕萍
蔡莹
陆霄
周倩蓉
唐清林
顾廷炜
王辂
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2024
2
原文传递
3
2.5D/3D硅基光电子集成技术及应用
欧祥鹏
杨在利
唐波
李志华
罗军
王文武
杨妍
《光通信研究》
2023
2
下载PDF
职称材料
4
集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展
黎科
张鑫硕
夏启飞
钟毅
于大全
《电子与封装》
2024
0
下载PDF
职称材料
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