期刊文献+
共找到7,959篇文章
< 1 2 250 >
每页显示 20 50 100
电子封装用粉末冶金材料 被引量:31
1
作者 王铁军 周武平 +1 位作者 熊宁 刘国辉 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期145-151,共7页
本文阐述了电子封装材料的基本要求与状况,对传统封装材料Al2O3、BeO、SiC的制备工艺、性能指标进行了介绍,着重分析了新型电子封装材料AlN、W/Cu、Mo/Cu、SiC/Al的性能特点和粉末冶金制备工艺的最新研究进展。
关键词 粉末冶金材料 电子封装材料 制备工艺 AL2O3 性能指标 研究进展 性能特点 SiC BEO A1n 重分析 Cu
下载PDF
微波低温烧结制备氮化铝透明陶瓷 被引量:16
2
作者 卢斌 赵桂洁 +1 位作者 彭虎 曾小锋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1501-1505,共5页
微波烧结(Microwave Sintering)是一种新型、高效的烧结技术,具有传统烧结技术无可比拟的优越性.本文在不添加任何烧结助剂的前提下,采用高纯微米级氮化铝(AlN)粉,在1700℃/2h的微波低温烧结工艺条件下制备出透明度较高的AlN透明陶瓷... 微波烧结(Microwave Sintering)是一种新型、高效的烧结技术,具有传统烧结技术无可比拟的优越性.本文在不添加任何烧结助剂的前提下,采用高纯微米级氮化铝(AlN)粉,在1700℃/2h的微波低温烧结工艺条件下制备出透明度较高的AlN透明陶瓷.分析结果表明,采用微波低温烧结工艺制备的AlN透明陶瓷晶粒尺寸细小(<10μm),晶粒发育完善且分布均匀,晶界平直光滑且无第二相分布,从而证明用微波烧结可以实现AlN透明陶瓷的低温烧结. 展开更多
关键词 微波烧结 A1n 透明陶瓷 制备
下载PDF
获得抑制剂法生产低温高磁感取向硅钢的抑制剂控制研究进展 被引量:14
3
作者 付兵 项利 +1 位作者 仇圣桃 成国光 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期173-180,共8页
综述了国内外大钢铁企业与研究机构采用获得抑制剂法生产低温高磁感取向硅钢的开发及应用情况,分析了以该法生产高磁感取向硅钢过程中抑制剂的控制技术,包括固有抑制剂组成方案、气态渗氮方式与工艺及高温退火工艺的制定.研究表明,固有... 综述了国内外大钢铁企业与研究机构采用获得抑制剂法生产低温高磁感取向硅钢的开发及应用情况,分析了以该法生产高磁感取向硅钢过程中抑制剂的控制技术,包括固有抑制剂组成方案、气态渗氮方式与工艺及高温退火工艺的制定.研究表明,固有抑制剂组成方案的设计思路大体一致,化合物抑制剂以AlN为主、硫化物为辅,同时添加少量Sn,Sb等单元素抑制剂,但组成元素含量存在一定差别;在脱碳退火后用NH3进行非平衡渗氮处理已成为气态渗氮的主要方式,但最佳方式仍未明确,具体选择需依据实际生产条件,相应脱碳及渗氮工艺的控制条件差别较大;高温退火工艺中升温制度差别不大,升温阶段退火气氛中N2含量的选择存在差别.此外,分析了抑制剂控制技术目前存在的关键问题,并指出了进一步的研究方向. 展开更多
关键词 抑制剂 高磁感取向硅钢 获得抑制剂法 ALn 渗氮 析出
原文传递
合金元素Al对微B处理特厚钢板淬透性及力学性能的影响 被引量:14
4
作者 潘涛 王小勇 +1 位作者 苏航 杨才福 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期431-438,共8页
采用顶端淬火、化学相分析和热力学计算,研究了合金元素对含B特厚钢板淬透性和力学性能的影响.结果表明,由于Ti与N的结合力远高于B,微量Ti的加入(0.015%,质量分数,下同)可形成TiN,固定N元素,使B游离,提高淬透性.常规Al含量(0.02%)对N的... 采用顶端淬火、化学相分析和热力学计算,研究了合金元素对含B特厚钢板淬透性和力学性能的影响.结果表明,由于Ti与N的结合力远高于B,微量Ti的加入(0.015%,质量分数,下同)可形成TiN,固定N元素,使B游离,提高淬透性.常规Al含量(0.02%)对N的竞争力略低于B,无法阻止BN的析出;增加Al含量至0.07%以上,可提高Al对N的结合力,固溶B含量增加,可同样起到提高淬透性的作用.通过B和固氮元素的组合,促进淬透性的提高,可使含B特厚钢板心部的显微组织状态显著改善,粒状贝氏体数量降低,马氏体/奥氏体(M/A)岛组分尺寸减小,低温冲击韧性和强度均有明显提高. 展开更多
关键词 特厚板 淬透性 Bn 粒状贝氏体 Aln 热力学计算
原文传递
AlN填充有机灌封硅橡胶导热性能的数值模拟 被引量:12
5
作者 田志红 范华乐 +3 位作者 张浩 任凤梅 周正发 徐卫兵 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期217-222,共6页
通过数值技术及实验手段研究了含有球形氮化铝(AlN)导热填料的有机灌封硅橡胶的导热性能。采用随机序列吸附(RSA)方法,建立了AlN增强有机灌封硅橡胶的三维有限元模型,该模型可以生成颗粒位置随机分布、颗粒直径任意调整的代表体积单元,... 通过数值技术及实验手段研究了含有球形氮化铝(AlN)导热填料的有机灌封硅橡胶的导热性能。采用随机序列吸附(RSA)方法,建立了AlN增强有机灌封硅橡胶的三维有限元模型,该模型可以生成颗粒位置随机分布、颗粒直径任意调整的代表体积单元,能够得到单一粒径和多粒径的模型。制备了半径3μm AlN增强硅橡胶的复合材料,并测试了不同填充量下体系的导热系数。对比有限元方法得到的导热系数预测值与实验测试结果,证明该模型能够较精确地模拟球形填料增强的复合材料。模拟结果显示:灌封胶的导热系数随着AlN含量的增加而增大,并且质量分数大于50%时增大的幅度越来越大;填料粒径呈正态分布时,能够在硅橡胶基体中有效堆积而提高填充量;两种粒径比例不同时,导热系数也不同。 展开更多
关键词 有机硅灌封胶 ALn 有限元分析 随机序列吸附(RSA) 计算模型 导热系数
原文传递
高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展 被引量:11
6
作者 陈航洋 刘达艺 +8 位作者 李金钗 林伟 杨伟煌 庄芹芹 张彬彬 杨闻操 蔡端俊 李书平 康俊勇 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2013年第2期43-56,共14页
随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点... 随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外LED的制备。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物 ALGAn ALn MOVPE 紫外LED
下载PDF
陶瓷复合FR4结构界面形貌与导热性能 被引量:11
7
作者 秦典成 李保忠 +2 位作者 黄奕钊 肖永龙 张军杰 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期864-869,共6页
基于热电分离式设计理念,将AlN陶瓷片金属化后作为微散热器嵌入FR4材料内形成了复合散热基板。采用电镜扫描、光学显微,通过冷热循环冲击试验对FR4与AlN两相界面处在高低温突变情况下的界面形貌进行了分析。利用ANSYS软件对基板进行了... 基于热电分离式设计理念,将AlN陶瓷片金属化后作为微散热器嵌入FR4材料内形成了复合散热基板。采用电镜扫描、光学显微,通过冷热循环冲击试验对FR4与AlN两相界面处在高低温突变情况下的界面形貌进行了分析。利用ANSYS软件对基板进行了仿真热模拟,研究了AlN嵌入后FR4导热性能的变化规律。利用结温测试仪、功率计和半导体制冷温控台等仪器设备,通过结温测试对比研究了该复合散热结构与金属芯印刷电路板(MCPCB)对大功率LED封装散热效果的影响。结果表明,该复合散热基板在经低温-55℃,高温125℃,1 000个冷热循环后,FR4和AlN界面无剥离现象发生,在环境温度急剧变化的条件下结合力良好。同时,FR4在嵌入AlN之后,导热性能得到了明显改善,且与MCPCB相比,能更有效降低LED芯片结温。 展开更多
关键词 热电分离 氮化铝 FR4材料 导热 LED封装
下载PDF
提高连续退火生产的铝镇静钢性能均匀性的措施的探讨 被引量:10
8
作者 班必俊 《宝钢技术》 CAS 2003年第4期56-59,63,共5页
重点从一贯制工艺着手对如何提高连续退火生产的铝镇静钢性能均匀性的措施进行了探讨 ,提出了加B、控制Mn的含量、采用U形卷取温度控制、边部加热等措施 ,通过大生产的实验证实确实有效 。
关键词 屈服强度 卷取温度 A1n 渗碳体
下载PDF
等离子增强原子层沉积低温生长AlN薄膜 被引量:9
9
作者 冯嘉恒 唐立丹 +2 位作者 刘邦武 夏洋 王冰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期436-441,共6页
采用等离子增强原子层沉积技术在单晶硅基体上成功制备了AlN晶态薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、小角掠射X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析... 采用等离子增强原子层沉积技术在单晶硅基体上成功制备了AlN晶态薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、小角掠射X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析,结果表明,采用等离子增强原子层沉积制备AlN晶态薄膜的最低温度为200C,薄膜表面平整光滑,具有六方纤锌矿结构与(100)择优取向,Al2p与N1S的特征峰分别为74.1eV与397.0eV,薄膜中Al元素与N元素以Al-N键相结合,且成分均匀性良好. 展开更多
关键词 氮化铝 等离子增强原子层沉积 低温生长 晶态薄膜
原文传递
基于氮化铝技术的X波段瓦片式T/R组件的研制 被引量:8
10
作者 戈江娜 刘文杰 +2 位作者 郝金中 李亚丽 刘杰 《无线电工程》 2015年第4期56-59,共4页
有源相控雷达阵的发展对关键部件T/R组件的体积和重量提供了更高的要求。为满足这一要求,设计了一种基于氮化铝(Al N)技术的X波段瓦片式T/R组件,该组件突破传统的瓦片式T/R组件设计理念和实现方式,封装形式为表贴型,仅由一块基板组成,... 有源相控雷达阵的发展对关键部件T/R组件的体积和重量提供了更高的要求。为满足这一要求,设计了一种基于氮化铝(Al N)技术的X波段瓦片式T/R组件,该组件突破传统的瓦片式T/R组件设计理念和实现方式,封装形式为表贴型,仅由一块基板组成,且功能齐全。组件重量为6 g,很好地满足了有源相控雷达阵对T/R组件小型化、轻量化的要求。 展开更多
关键词 AL n 瓦片式T/R组件 表贴型
下载PDF
碳热还原反应合成氮化铝粉体的研究 被引量:8
11
作者 许珂洲 宋胜东 +3 位作者 张颖 周倩 陈加森 唐竹兴 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期342-345,共4页
本论文采用碳热还原法合成氮化铝粉体,主要研究了烧成温度、保温时间、添加剂对AlN粉末的性能影响。通过对合成的氮化铝粉末试样进行X射线荧光光谱分析、XRD分析、SEM等测试分析,结果表明:1800℃时氮化铝转化率最大,结晶度最高,氧含量仅... 本论文采用碳热还原法合成氮化铝粉体,主要研究了烧成温度、保温时间、添加剂对AlN粉末的性能影响。通过对合成的氮化铝粉末试样进行X射线荧光光谱分析、XRD分析、SEM等测试分析,结果表明:1800℃时氮化铝转化率最大,结晶度最高,氧含量仅为0.968%;保温5 h更有利于晶粒的长大,颗粒大小更均匀,约为6μm;添加剂CaF2的加入有利于制品粉末结晶度的提高。 展开更多
关键词 碳热还原法 ALn 三氧化二铝 活性炭
下载PDF
AlN陶瓷粉末的主要制备方法及展望 被引量:7
12
作者 邹东利 阎殿然 +1 位作者 何继宁 董艳春 《山东陶瓷》 CAS 2006年第4期10-13,共4页
论述了国内外氮化铝陶瓷粉末的主要制备方法:铝粉直接氮化法、Al2O3碳热还原法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、自蔓延高温合成法和等离子化学合成法,分析了这几种制备方法的特点和研究进展,为氮化铝粉末的制备指明了方向。
关键词 ALn 陶瓷粉末 制备
下载PDF
改性氮化铝/三元乙丙橡胶复合材料导热性能和力学性能的研究 被引量:7
13
作者 张娜 杨刚 +2 位作者 马连湘 何燕 唐元政 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第2期182-186,共5页
选用三元乙丙橡胶(EPDM)为基胶,氮化铝(A1N)为导热填料,通过酚醛树脂(PF)对氮化铝进行表面改性处理,增加其在橡胶基体中的分散性。利用接触角和TGA测试表征改性效果。将改性前后的氮化铝分别填充到三元乙丙橡胶中,研究酚醛树... 选用三元乙丙橡胶(EPDM)为基胶,氮化铝(A1N)为导热填料,通过酚醛树脂(PF)对氮化铝进行表面改性处理,增加其在橡胶基体中的分散性。利用接触角和TGA测试表征改性效果。将改性前后的氮化铝分别填充到三元乙丙橡胶中,研究酚醛树脂改性氮化铝对复合材料的导热性能及力学性能的影响规律。结果表明:改性后氮化铝表面自由能均减小,氮化铝表面包覆了有机基团,减弱了其在橡胶基体中的团聚作用。热分解曲线可以说明,3种改性配比(1#~3#,m(PF):m(A1N)=1:5,1:4,1:3)氮化铝的酚醛树脂包覆量为1#〈2#〈3#,填充改性后氮化铝的复合材料导热性能均有不同程度的提高,而力学性能均有所降低。综合考虑,酚醛树脂改性氮化铝的最佳质量配比为m(PF):m(A1N)=1:4。 展开更多
关键词 氮化铝 酚醛树脂 三元乙丙橡胶 复合材料 热导率
下载PDF
AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaNHEMT材料电学性质的影响 被引量:7
14
作者 陈翔 邢艳辉 +5 位作者 韩军 李影智 邓旭光 范亚明 张晓东 张宝顺 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期259-263,共5页
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5nm的HEMT材料,二维电子气浓度和迁移率分别达... 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5nm的HEMT材料,二维电子气浓度和迁移率分别达到1.2×1013 cm-2和1680cm2/Vs、方块电阻低至310Ω,体现了HEMT材料良好的电学性能。原子力显微镜和高分辨X射线衍射测试结果显示HEMT材料具有较好的表面形貌和异质结界面,较好的异质结界面也有利于增强HEMT材料的二维电子气浓度和迁移率。 展开更多
关键词 材料 A1n 高电子迁移率晶体管 电学性质 二维电子气 迁移率
原文传递
Molecular Characterization of Avian-like H1N1 Swine Influenza A Viruses Isolated in Eastern China, 2011 被引量:6
15
作者 Xian Qi Yuning Pan +5 位作者 Yuanfang Qin Rongqiang Zu Fengyang Tang Minghao Zhou Hua Wang Yongchun Song 《Virologica Sinica》 SCIE CAS CSCD 2012年第5期292-298,共7页
Currently, three predominant subtypes of influenza virus are prevalent in pig populations worldwide: H1N1, H3N2, and H1N2. European avian-Hke H1N1 viruses, which were initially detected in European pig populations in... Currently, three predominant subtypes of influenza virus are prevalent in pig populations worldwide: H1N1, H3N2, and H1N2. European avian-Hke H1N1 viruses, which were initially detected in European pig populations in 1979, have been circulating in pigs in eastern China since 2007. In this study, six influenza A viruses were isolated from 60 swine lung samples collected from January to April 2011 in eastern China. Based on whole genome sequencing, molecular characteristics of two isolates were determined. Phylogenetic analysis showed the eight genes of the two isolates were closely related to those of the avian-like H1N1 viruses circulating in pig populations, especially similar to those found in China. Four potential glycosylation sites were observed at positions 13, 26, 198, 277 in the HA1 proteins of the two isolates. Due to the presence of a stop codon at codon 12, the isolates contained truncated PB1-F2 proteins. In this study, the isolates contained 591Q, 627E and 701N in the polymerase subunit PB2, which had been shown to be determinants of virulence and host adaptation. The isolates also had a D rather than E at position 92 of the NS1, a marker of mammalian adaptation. Both isolates contained the GPKV motif at the PDZ ligand domain of the 3' end of the NS1, a characteristic marker of the European avian-like swine viruses since about 1999, which is distinct from those of avian, human and classical swine viruses. The M2 proteins of the isolates have the mutation (S31N), a characteristic marker of the European avian-like swine viruses since about 1987, which may confer resistance to amantadine and rimantadine antivirals. Our findings further emphasize the importance of surveillance on the genetic diversity of influenza A viruses in pigs, and raise more concerns about the occurrence of cross-species transmission events. 展开更多
关键词 Influenza A virus Avian-like H 1n 1 SWInE Molecular characterization
下载PDF
高热导率氮化铝陶瓷的研究进展 被引量:6
16
作者 袁文杰 李晓云 丘泰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期43-46,50,共5页
简要介绍了AlN陶瓷的导热机理和影响因素,主要报道制备氮化铝陶瓷过程中提高热导率的措施。阐述了添加剂的作用机理,以及不同添加剂对AlN陶瓷的致密化和烧结温度的影响,概括了目前AlN陶瓷的成型和烧结方法,分析了后续热处理对AlN陶瓷显... 简要介绍了AlN陶瓷的导热机理和影响因素,主要报道制备氮化铝陶瓷过程中提高热导率的措施。阐述了添加剂的作用机理,以及不同添加剂对AlN陶瓷的致密化和烧结温度的影响,概括了目前AlN陶瓷的成型和烧结方法,分析了后续热处理对AlN陶瓷显微结构和热导率的影响。 展开更多
关键词 氮化铝 热导率 烧结 添加剂 热处理
下载PDF
Cu、Ag和Au掺杂AlN的电磁性质的第一性原理研究 被引量:6
17
作者 聂招秀 王新强 +3 位作者 高婷婷 鲁莉娅 程志梅 刘高斌 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期167-174,共8页
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了Cu、Ag、Au掺杂AlN的晶格常数、磁矩、能带结构和态密度.电子结构表明,Cu、Ag、Au的掺杂使在带隙中引入了由杂质原子的d态与近邻N原子的2p态杂化而戌的杂质带,都为p型掺杂,增强了体... 采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了Cu、Ag、Au掺杂AlN的晶格常数、磁矩、能带结构和态密度.电子结构表明,Cu、Ag、Au的掺杂使在带隙中引入了由杂质原子的d态与近邻N原子的2p态杂化而戌的杂质带,都为p型掺杂,增强了体系的导电性.Cu掺杂AlN具有半金属铁磁性,半金属能隙为0.442 eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入;Ag掺杂AlN具有很弱的半金属铁磁性;而Au掺杂AlN不具有半金属铁磁性.因此,与Ag、Au相比,Cu更适合用来制作AlN基稀磁半导体. 展开更多
关键词 ALn 铁磁性 稀磁半导体 第一性原理
下载PDF
Fast and uniform growth of graphene glass using confined-flow chemical vapor deposition and its unique applications 被引量:5
18
作者 Zhaolong Chen Baolu Guan +11 位作者 Xu-dong Chen Qing Zeng Li Lin Ruoyu Wang Manish Kr. Priydarshi Jingyu Sun Zhepeng Zhang Tongbo Wei Jinmin LI Yanfeng Zhang Yingying Zhang Zhongfan Liu 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第10期3048-3055,共8页
Fast and uniform growth of high-quality graphene on conventional glass is of great importance for practical applications of graphene glass. We report herein a confined-flow chemical vapor deposition (CVD) approach f... Fast and uniform growth of high-quality graphene on conventional glass is of great importance for practical applications of graphene glass. We report herein a confined-flow chemical vapor deposition (CVD) approach for the high- efficiency fabrication of graphene glass. The key feature of our approach is the fabrication of a 2-4 μm wide gap above the glass substrate, with plenty of stumbling blocks; this gap was found to significantly increase the collision probability of the carbon precursors and reactive fragments between one another and with the glass surface. As a result, the growth rate of graphene glass increased remarkably, together with an improvement in the growth quality and uniformity as compared to those in the conventional gas flow CVD technique. These high-quality graphene glasses exhibited an excellent defogging performance with much higher defogging speed and higher stability compared to those previously reported. The graphene sapphire glass was found to be an ideal substrate for growing uniform and ultra-smooth aluminum nitride thin films without the tedious pre-deposition of a buffer layer. The presented confined- flow CVD approach offers a simple and low-cost route for the mass production of graphene glass, which is believed to promote the practical applications of various graphene glasses. 展开更多
关键词 graphene glass confined-flow chemicalvapor deposition transparent heating device epitaxial A1n film
原文传递
基于AlN纳米粒子改性的纳米变压器油雷电冲击特性研究 被引量:5
19
作者 寇晓适 任欢 +1 位作者 宋伟 曹勇敢 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2016年第9期72-76,共5页
为了提高变压器油的绝缘特性,选取直径为40nm的A1N纳米粒子,制备出不同浓度的A1N纳米改性变压器油,通过透射电子显微镜对变压器油中纳米粒子的尺寸展开研究,并对不同浓度纳米改性变压器油的雷电冲击特性进行分析。结果表明:纳米改... 为了提高变压器油的绝缘特性,选取直径为40nm的A1N纳米粒子,制备出不同浓度的A1N纳米改性变压器油,通过透射电子显微镜对变压器油中纳米粒子的尺寸展开研究,并对不同浓度纳米改性变压器油的雷电冲击特性进行分析。结果表明:纳米改性变压器油中的纳米粒子直径主要分布在20~500nm之间。随着纳米粒子浓度的上升,纳米变压器油的正极性雷电冲击击穿电压比纯净变压器油提升了约50%,并随着纳米粒子浓度的上升呈现先上升后下降的趋势。根据雷电冲击特性的实验结果,利用“势井模型”解释了纳米变压器油正极性雷电冲击击穿电压比纯净变压器油升高的原因,并提出随着纳米粒子浓度的升高,由纳米粒子数密度增加导致的总捕获电荷数量增加和纳米粒子等效半径增加导致的总捕获电荷数量减少是一对竞争关系的理论,从而解释了纳米变压器油的正极性雷电冲击击穿电压先升高后下降的原因。 展开更多
关键词 ALn 纳米变压器油 雷电冲击电压
下载PDF
高导热AlN陶瓷低温烧结助剂的研究现状 被引量:5
20
作者 吴玉彪 詹俊 +4 位作者 张浩 郭军 刘俊永 崔嵩 汤文明 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1-5,共5页
介绍了烧结AlN陶瓷的烧结助剂的选择原则以及几种单一烧结助剂和多元烧结助剂的低温助烧机理;讨论了烧结助剂的类型、添加方式、加入量等对AlN陶瓷力学、热学性能的影响;并对低温烧结高导热AlN陶瓷的发展趋势提出了一些看法。
关键词 氮化铝陶瓷 烧结助剂 热导率 低温烧结
下载PDF
上一页 1 2 250 下一页 到第
使用帮助 返回顶部