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X波段宽带数控移相器180°移相单元的设计
1
作者
陈思婷
陈铖颖
+2 位作者
马骁
杨新豪
王尘
《厦门理工学院学报》
2023年第1期17-23,共7页
基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计出一种应用于X波段宽带数控移相器的180°移相单元。该设计采用SPDT开关和五阶高通-低通滤波拓扑结构,通过改进SPDT开关、提升滤波器的阶数和改变180°移相单元的切换方式改善电路的插入损耗和...
基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计出一种应用于X波段宽带数控移相器的180°移相单元。该设计采用SPDT开关和五阶高通-低通滤波拓扑结构,通过改进SPDT开关、提升滤波器的阶数和改变180°移相单元的切换方式改善电路的插入损耗和相位平坦度,消除由前32个相位产生的相位累积误差。仿真结果表明,180°移相单元插入损耗为2.42~2.67 dB,相移范围为179°~182°,输入输出电压驻波比小于1.15,在同样的结构下,本设计可实现更优异的性能和更紧凑的芯片面积。
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关键词
X波段数控移相器
高通-低通网络型移相器结构
180°
移相单元
GaAs
pHEMT工艺
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职称材料
题名
X波段宽带数控移相器180°移相单元的设计
1
作者
陈思婷
陈铖颖
马骁
杨新豪
王尘
机构
厦门理工学院光电与通信工程学院
中国科学院微电子研究所
出处
《厦门理工学院学报》
2023年第1期17-23,共7页
基金
国家自然科学基金项目(61904155)
厦门市重大科技计划项目(3502Z20221022)
厦门市青年创新基金项目(3502Z20206074)。
文摘
基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计出一种应用于X波段宽带数控移相器的180°移相单元。该设计采用SPDT开关和五阶高通-低通滤波拓扑结构,通过改进SPDT开关、提升滤波器的阶数和改变180°移相单元的切换方式改善电路的插入损耗和相位平坦度,消除由前32个相位产生的相位累积误差。仿真结果表明,180°移相单元插入损耗为2.42~2.67 dB,相移范围为179°~182°,输入输出电压驻波比小于1.15,在同样的结构下,本设计可实现更优异的性能和更紧凑的芯片面积。
关键词
X波段数控移相器
高通-低通网络型移相器结构
180°
移相单元
GaAs
pHEMT工艺
Keywords
Xband
logic
control
phase
shift
er
high
pass/low
pass
network
phase
shift
er
topology
180°
phase
shift
unit
GaAs
pHEMT
process
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
X波段宽带数控移相器180°移相单元的设计
陈思婷
陈铖颖
马骁
杨新豪
王尘
《厦门理工学院学报》
2023
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