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大功率1.3μm二极管泵浦Nd∶YAG激光器研究 被引量:1
1
作者 李星 张大为 +2 位作者 华玉婷 赵书云 包照日格图 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2020年第7期821-824,共4页
通过二极管侧面环形泵浦方式是目前取得大功率、高光束质量的1.3μm激光的最有效的方法之一。本文采用双泵浦腔串联的对称平平腔结构和优化补偿激光棒热透镜效应的手段,实现了通过注入光功率分摊到两个泵浦腔的方法降低单个激光棒的热... 通过二极管侧面环形泵浦方式是目前取得大功率、高光束质量的1.3μm激光的最有效的方法之一。本文采用双泵浦腔串联的对称平平腔结构和优化补偿激光棒热透镜效应的手段,实现了通过注入光功率分摊到两个泵浦腔的方法降低单个激光棒的热效应提高了激光器光束质量,同时又实现了激光功率的提升。实现了平均功率140 W、光束发散角10 mrad、功率不稳定度2%、重复频率10 kHz、脉冲宽度250 ns的激光输出,为拓展相关领域的应用奠定了基础。 展开更多
关键词 1.3μm 二极管泵浦 Nd∶YAG激光器
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1.3μm固体激光器研究进展
2
作者 李一凡 刘思辰 +1 位作者 赵书云 韩隆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期651-657,共7页
1.3μm波段固体激光器在多领域均有着重要作用,本文介绍了近20年来国内外不同晶体材料输出1.3μm波段激光的研究进展,包括几种常用的晶体如YAG、YVO_(4)、GdVO_(4)以及其他晶体。通过分析认为,对新材料、新机制的探索与应用是未来1.3μ... 1.3μm波段固体激光器在多领域均有着重要作用,本文介绍了近20年来国内外不同晶体材料输出1.3μm波段激光的研究进展,包括几种常用的晶体如YAG、YVO_(4)、GdVO_(4)以及其他晶体。通过分析认为,对新材料、新机制的探索与应用是未来1.3μm波段激光器的主要发展方向。 展开更多
关键词 1.3μm 固体激光 晶体 材料
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1.34μm全固态电光调Q Nd:YAP激光器 被引量:1
3
作者 王旭葆 王小磊 +3 位作者 曲波 牛霞 吴丹 米庆改 《应用激光》 CSCD 北大核心 2015年第4期508-513,共6页
报道了基于TEC(半导体制冷器)温控的激光二极管(LD)侧面泵浦的脉冲Nd:YAP(掺钕铝酸钇)激光器,采用BBO(β相偏硼酸钡晶体,β-BaB2O4)电光调Q,腔内不加入任何偏振元件,使用平平腔和平凹腔在重频20 Hz时分别得到了1.34μm单脉冲能量12.00mJ... 报道了基于TEC(半导体制冷器)温控的激光二极管(LD)侧面泵浦的脉冲Nd:YAP(掺钕铝酸钇)激光器,采用BBO(β相偏硼酸钡晶体,β-BaB2O4)电光调Q,腔内不加入任何偏振元件,使用平平腔和平凹腔在重频20 Hz时分别得到了1.34μm单脉冲能量12.00mJ和11.45mJ,在平平腔结构下,得到最短脉宽38ns。实验还对平平腔结构下1.08μm的输出特性进行了实验研究,采用相同的平平直腔结构,在重频20Hz最高可获得1.08μm单脉冲能量28.5mJ,脉宽27ns。 展开更多
关键词 激光技术 Nd:YAP激光器 1.3μm 电光调Q
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1.3μm AlGaInAs/InP量子阱激光器材料研究 被引量:1
4
作者 陈宏泰 车相辉 +6 位作者 张宇 赵润 杨红伟 余般梅 王晶 位永平 林琳 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第4期220-223,共4页
设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1.3μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaInAs/InP应变补偿量子阱材料,采用此外延材料制作的脊宽为2.5μm脊形波导结构FP单模激... 设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1.3μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaInAs/InP应变补偿量子阱材料,采用此外延材料制作的脊宽为2.5μm脊形波导结构FP单模激光器芯片,解理为250,500和750μm不同腔长,进行了内部参数提取,内量子效率ηi为76%、内损耗αi为7.06/cm、模式增益Γg0为81.90/cm、透明电流密度Jtr为1 045 A/cm2。对250μm腔长管芯镀膜,进行电光特性测试,室温性能指标为:阈值电流Ith<10 mA,斜率效率η=0.6 W/A,达到国际同类产品水平,实现1.3μm FP材料国产化。 展开更多
关键词 1 3 μm FP激光器材料 无致冷 ALGAINAS INP MOCVD
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InAs/GaAs量子点1.3μm单光子发射特性
5
作者 张志伟 赵翠兰 孙宝权 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第23期219-225,共7页
采用双层耦合量子点的分子束外延生长技术生长了InAs/GaAs量子点样品,把量子点的发光波长成功地拓展到1.3μm.采用光刻的工艺制备了直径为3μm的柱状微腔,提高了量子点荧光的提取效率.在低温5 K下,测量得到量子点激子的荧光寿命约为1 ns... 采用双层耦合量子点的分子束外延生长技术生长了InAs/GaAs量子点样品,把量子点的发光波长成功地拓展到1.3μm.采用光刻的工艺制备了直径为3μm的柱状微腔,提高了量子点荧光的提取效率.在低温5 K下,测量得到量子点激子的荧光寿命约为1 ns;单量子点荧光二阶关联函数为0.015,显示单量子点荧光具有非常好的单光子特性;利用迈克耳孙干涉装置测量得到单光子的相干时间为22 ps,对应的谱线半高全宽度为30μeV,且荧光谱线的线型为非均匀展宽的高斯线型. 展开更多
关键词 INAS/GAAS量子点 1.3μm 单光子发射
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A New Kind of Self-Frequency-Stabilization 1.3μM Single Frequency Coherent Source with 10MW and a Spectrum Linewidth in the Order of Kilohertz
6
作者 Hu Zhengrong (Southeast University,Nanjing 210096,P.R.China)Qi Ming (Hohai University,Nanjing 210098,P.R.China) 《High Technology Letters》 EI CAS 1995年第1期33-35,共3页
The design of 1.3μm He-Ne single frequency laser for optical fiber communication is in-troduced.The scheme for obtaining steady single-mode oscillation by raising gas pressureand the method of getting linear-polariza... The design of 1.3μm He-Ne single frequency laser for optical fiber communication is in-troduced.The scheme for obtaining steady single-mode oscillation by raising gas pressureand the method of getting linear-polarization single frequency output by longitudinal Zeemaneffect are present.The relations of linewidth to some factors are discussed. 展开更多
关键词 1.3μm HE-NE laser Gain characteristic SPECTRUM LINEWIDTH SELF-STABILIZATION FREQUENCY
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1.3微米铟镓砷磷大光腔半导体激光器
7
作者 朱宝仁 黎荣晖 钟景昌 《长春光学精密机械学院学报》 1989年第4期39-44,共6页
本文介绍了我们研制的1.3微米波长铟镓砷磷大光腔结构半导体激光器的制作及其部分主要光电特性。该器件由于采用大光腔结构,脉冲输出峰值功率大于5瓦,阈值电流密度低于2700A/cm^2工作寿命大于1000小时。
关键词 激光器 半导体 铟镓砷磷 光腔
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1,3μM波长双异质结边发光二极管
8
作者 吴陈周 《有线通信技术》 1990年第2期1-6,共6页
关键词 发光二极管 双导质结 波长 1.3μM
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纳米复合1.3μm光放大材料的特征光谱(英文)
9
作者 袁绥华 《西南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期39-43,共5页
报告了掺稀土镓锆氟化物玻璃团簇与氧化硅的复合材料的中心在 13 5nm的荧光谱与掺稀土镓锆氟化物玻璃的一致性以及较长的荧光寿命。与标准的掺Pr3 + 和Nd3 + ZBLAN的吸收谱相比较 ,以Pr3 + 和Nd3 + 为活性离子的复合材料的吸收谱线展宽... 报告了掺稀土镓锆氟化物玻璃团簇与氧化硅的复合材料的中心在 13 5nm的荧光谱与掺稀土镓锆氟化物玻璃的一致性以及较长的荧光寿命。与标准的掺Pr3 + 和Nd3 + ZBLAN的吸收谱相比较 ,以Pr3 + 和Nd3 + 为活性离子的复合材料的吸收谱线展宽达到 10nm。复合材料的光谱性质可能有利于提高器件的增益并放宽对泵浦光源的要求 . 展开更多
关键词 纳米级复合材料 光放大材料 掺稀土镓锆氟化物玻璃 荧光谱 荧光寿命 特征光谱 1.3μm
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1.3μm波长光纤偏振参数自动测试仪 被引量:9
10
作者 孟洲 胡永明 +1 位作者 陈哲 蕺运峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 1999年第11期1002-1005,共4页
本文介绍一种用于1.3μm 波长的光纤偏振参数自动测试仪. 它利用光路集成封装和计算机自动控制及信号处理等关键技术,方便、可靠、自动地进行1.3μm 光纤及其器件偏振参数的测试,对于消光比为40dB以下的偏振态测量,误... 本文介绍一种用于1.3μm 波长的光纤偏振参数自动测试仪. 它利用光路集成封装和计算机自动控制及信号处理等关键技术,方便、可靠、自动地进行1.3μm 光纤及其器件偏振参数的测试,对于消光比为40dB以下的偏振态测量,误差优于0.3dB. 展开更多
关键词 光纤偏振参数 光路集成封装 消光比 测试仪
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微结构调控对Dy^(3+)掺杂GeSe_2-Ga_2Se_3-CsI玻璃红外发光性能的影响 被引量:6
11
作者 唐高 陈玮 罗澜 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第1期26-30,共5页
采用传统熔融-淬冷法制备了掺杂0.1mol%Dy3+的GeSe2-Ga2Se3-CsI玻璃,研究了其热稳定性、透过光谱和红外发射光谱,用拉曼光谱表征了玻璃结构。结果表明:在808nm激发下,玻璃近红外发射荧光中心位于1.3μm,荧光半峰宽约90nm;Dy3+的1.3μm... 采用传统熔融-淬冷法制备了掺杂0.1mol%Dy3+的GeSe2-Ga2Se3-CsI玻璃,研究了其热稳定性、透过光谱和红外发射光谱,用拉曼光谱表征了玻璃结构。结果表明:在808nm激发下,玻璃近红外发射荧光中心位于1.3μm,荧光半峰宽约90nm;Dy3+的1.3μm发光性能(6F11/2·6H9/2→6H15/2跃迁)由玻璃Dy3+局域环境所决定。当I/Ga摩尔比固定为1时,Dy3+的1.3μm荧光寿命随着[Ge(Ga)IxSe4-x]、[Ge(Ga)I4]和[Ga2I7]-新的低声子能量基团的形成而增加;当I/Ga摩尔比变化时,微小的玻璃组分变化导致Dy3+局域环境晶体场的变化,从而引起Dy3+:1.3μm发光寿命急剧变化,其最大值可达到2885μs。Dy3+掺杂的GeSe2-Ga2Se3-CsI玻璃可通过微结构调控获得较优良的1.3μm红外光输出。 展开更多
关键词 微结构调控 Dy3+离子 1.3μm荧光
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Optical properties and local structure of Dy^(3+)-doped chalcogenide and chalcohalide glasses 被引量:4
12
作者 唐高 杨志勇 +1 位作者 罗澜 陈玮 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第6期889-894,共6页
Dy^3+-doped Ge-Ga-Se chalcogenide glasses and GeSe2-Ga2Se3-CsI chalcohalide glasses were prepared. The absorption, emission properties, and local structure of the glasses were investigated. When excited at 808 nm dio... Dy^3+-doped Ge-Ga-Se chalcogenide glasses and GeSe2-Ga2Se3-CsI chalcohalide glasses were prepared. The absorption, emission properties, and local structure of the glasses were investigated. When excited at 808 nm diode laser, intense 1.32 and 1.55 μm near-infrared luminescence were observed with full width at half maximum (FWHM) of about 90 and 50 nm, respectively. The lifetime of the 1.32 μm emission varied due to changes in the local structure surrounding Dy^3+ ions. The longest lifetime was over 2.5 ms, and the value was significantly higher than that in other Dy^3+-doped glasses. Some other spectroscopic parameters were calculated by using Judd-Ofelt theory. Meanwhile, Ge-Ga-Se and GeSe2-Ga2Se3-CsI glasses showed good infrared transmittance. As a result, Dy^3+-doped Ge-Ga-Se and GeSe2-Ga2Se3-CsI glasses were believed to be useful hosts for 1.3 μm optical fiber amplifier. 展开更多
关键词 chalcogenide glass chalcohalide glass optical properties MICROSTRUCTURE 1.3 μm optical fiber amplifier rare earths
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Generation of a continuous-wave squeezed vacuum state at 1.3 μm by employing a home-made all-solid-state laser as pump source 被引量:3
13
作者 郑耀辉 邬志强 +1 位作者 霍美茹 周海军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第9期427-430,共4页
We present a continuous-wave squeezed vacuum generation system at a telecommunication wavelength of 1.3 μm. By employing a home-made single-frequency Nd:YVO4 laser with dual wavelength outputs as the pump source, vi... We present a continuous-wave squeezed vacuum generation system at a telecommunication wavelength of 1.3 μm. By employing a home-made single-frequency Nd:YVO4 laser with dual wavelength outputs as the pump source, via an optical parameter oscillator based on periodically poled KTR a squeezed vacuum of 6.1 dB+0.1 dB below the shot noise limit at 1342 nm is experimentally measured. This system could be utilized for demonstrating practical quantum information networks. 展开更多
关键词 squeezed vacuum telecommunication wavelength of 1.3 μm optical parametric oscillator
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集成DBR反馈区的1.3μm高速直接调制InGaAlAs/InP DFB激光器 被引量:2
14
作者 朱旭愿 剌晓波 +4 位作者 郭竟 李振宇 赵玲娟 王圩 梁松 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期27-33,共7页
研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。室温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大... 研制了以InGaAlAs多量子阱为有源材料的InP基1.3μm波段高速直接调制分布反馈(DFB)激光器,单片集成了与DFB激光器区具有相同量子阱材料的分布式布拉格反射器(DBR)反馈区。室温下DFB有源区长度为200μm时器件的3 dB小信号直接调制带宽大于29 GHz。在速率为25 Gbit/s的非归零(NRZ)码数据调制下,光信号经10 km长的单模光纤传输后获得10-10误码率的功率代价在室温及80℃下均小于1 dB。激光器的有源区长度较大,有利于提高发光效率并且有助于减小电流热效应的不利影响。所研制的高速直接调制激光器是大容量短距光纤通信系统的理想光源,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 高速直接调制 InGaAlAs/InP量子阱 1.3μm波段
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掺镨氟化镓铟玻璃的研究 被引量:3
15
作者 张国寅 Poual.,M 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期103-108,共6页
合成了一族新的氟化镓铟玻璃,研究了InF3-PbF2-ZnF2-CdF2(BaF2)体系和GaF3-CdF2-PbF2(ZnF2)体系的玻璃形成区域.经玻璃组分试验研究得到了稳定的30PbF2-20GaF3-15In... 合成了一族新的氟化镓铟玻璃,研究了InF3-PbF2-ZnF2-CdF2(BaF2)体系和GaF3-CdF2-PbF2(ZnF2)体系的玻璃形成区域.经玻璃组分试验研究得到了稳定的30PbF2-20GaF3-15InF3-20CdF2-15ZnF2(简化为PGICZ)玻璃,通过优化细调组分,可制得14mm厚块玻璃和具有芯皮结构的光纤.红外和Raman光谱研究结果表明:PGICZ玻璃具有较氟锆酸盐(简化为ZBLAN)玻璃更宽的红外透过范围和更低的声子能量.Pr3+掺杂PGICZ玻璃的1G4能级寿命可达210μs,其量子效率为7%,是通常ZBLAN玻璃的一倍,故它是最可能作为掺镨光纤放大器的实用化体系之一. 展开更多
关键词 氟化镓 玻璃 氟化铟 错掺杂玻璃
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Nd:YAG陶瓷与单晶~4F_(3/2)-~4I_(13/2)跃迁的弱谱线多波长激光性能对比 被引量:2
16
作者 林悠优 李江涛 +4 位作者 朱海永 廖小青 段延敏 章健 唐定远 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第20期194-198,共5页
报道了基于半导体激光端面抽运Nd:YAG的~4F_(3/2)—~4I_(13/2)跃迁的弱谱线多波长激光输出.实验对比了透明陶瓷与单晶材料的激光输出特性,表明透明陶瓷和单晶材料荧光谱强度的略微差异,导致了多波长输出时相同两个波长之间的激光强度比... 报道了基于半导体激光端面抽运Nd:YAG的~4F_(3/2)—~4I_(13/2)跃迁的弱谱线多波长激光输出.实验对比了透明陶瓷与单晶材料的激光输出特性,表明透明陶瓷和单晶材料荧光谱强度的略微差异,导致了多波长输出时相同两个波长之间的激光强度比在两种材料中的差异.基于两种耦合输出镜片,激光阈值都在2 W左右.在13.5 W的抽运功率下,基于Nd:YAG透明陶瓷获得了输出功率4.05 W、强度比1:2的1338与1356 nm双波长激光和输出功率3.65 W、强度比13:1的1356与1414 nm双波长激光,斜率效率分别达33.9%和31.9%. 展开更多
关键词 YAG 透明陶瓷 1.3μm波段 多波长
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MXene Ti_3C_2T_x saturable absorber for pulsed laser at 1.3 μm 被引量:2
17
作者 Cong Wang Qian-Qian Peng +4 位作者 Xiu-Wei Fan Wei-Yuan Liang Feng Zhang Jie Liul, Han Zhang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期124-127,共4页
The excellent optical properties of MXene provide new opportunities for short-pulse lasers. A diode-pumped passively Q-switched laser at 1.3 μm wavelength with MXene Ti3C2Tx as saturable absorber was achieved for the... The excellent optical properties of MXene provide new opportunities for short-pulse lasers. A diode-pumped passively Q-switched laser at 1.3 μm wavelength with MXene Ti3C2Tx as saturable absorber was achieved for the first time. The stable passively Q-switched laser has 454 ns pulse width and 162 kHz repetition rate at 4.5 W incident pumped power. The experimental results show that the MXene Ti3C2Tx saturable absorber can be used as an optical modulator to generate short pulse lasers in a solid-state laser field. 展开更多
关键词 MXene Ti3C2Tx passively Q-switched lasers 1.3 μm diode-pumped lasers
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基于锑烯纳米片的被动调Q激光器 被引量:1
18
作者 洪弘 周貌 +4 位作者 陈鸿玲 张沛雄 李真 尹浩 陈振强 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第2期216-221,共6页
为了探索二维材料作为被动调Q激光器的可饱和吸收体的更多可能性,利用预研磨液相剥离法(LPE)制备出锑烯纳米片,并借助拉曼光谱、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、UV-Vis-NIR分光光度计对样品的物相组成、微观... 为了探索二维材料作为被动调Q激光器的可饱和吸收体的更多可能性,利用预研磨液相剥离法(LPE)制备出锑烯纳米片,并借助拉曼光谱、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、UV-Vis-NIR分光光度计对样品的物相组成、微观结构及吸收性能进行表征。将锑烯纳米片作为可饱和吸收体首次在1.3μm发射波长的Nd∶GYAP全固态激光器实现被动调Q,其最短脉冲宽度为589 ns,重复频率为424 kHz,峰值功率为1.14 W,平均输出功率为284 mW,最大单脉冲能量为669.43 nJ。实验证明了锑烯纳米片具有在近红外区域作为全固态调Q激光器的可饱和吸收体的潜力。 展开更多
关键词 锑烯纳米片 可饱和吸收体 预研磨液相剥离法 被动调Q 1.3μm波段 激光性能 二维材料 激光器
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高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征 被引量:1
19
作者 李林 张彬 +2 位作者 李占国 李梅 刘国军 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期452-455,共4页
利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度(-5×1010cm-2)的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs(In组分的摩尔分数为12%)低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346μm,光... 利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度(-5×1010cm-2)的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs(In组分的摩尔分数为12%)低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346μm,光谱线宽为24 meV.研究结果表明,利用较低温度生长InAs量子点,结合较高In组分的InGaAs低应变层量子点材料可以实现发光波长红移,有效地改善材料的光学特性. 展开更多
关键词 INAS量子点 1.3μm波长 发光特性
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1.3μm高速直调半导体激光器 被引量:1
20
作者 夏施君 许博蕊 +5 位作者 徐鹏飞 包帅 王任凡 朱尧 李伟 祝宁华 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第16期153-159,共7页
设计一种基于AlGaInAs材料的1.3μm高速直调半导体激光器,该激光器采用脊波导、长度较短的腔和11个5 nm厚度的多量子阱结合30 nm厚度的缓变折射率分别限制异质结结构(GRIN-SCH),实现了低阈值、宽带宽和较大功率的光输出。采用均匀光栅... 设计一种基于AlGaInAs材料的1.3μm高速直调半导体激光器,该激光器采用脊波导、长度较短的腔和11个5 nm厚度的多量子阱结合30 nm厚度的缓变折射率分别限制异质结结构(GRIN-SCH),实现了低阈值、宽带宽和较大功率的光输出。采用均匀光栅和不对称腔面镀膜的方式实现了稳定的单纵模输出。最终制得的1.3μm高速直调半导体激光器,在室温下,阈值电流为7.5 mA,3 dB小信号调制带宽可达25 GHz,大信号背靠背传输速率可达40 Gb/s,斜率效率为0.35 mW/mA,最大输出功率约为39 mW,边模抑制比可达40 dB。 展开更多
关键词 激光器 1.3μm直调激光器 宽带宽 大功率 低阈值
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