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Hydrodesulfurization activities of NiMo catalysts supported on mechanochemically prepared Al-Ce mixed oxides 被引量:6
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作者 Květa Jirátová Alla Spojakina +3 位作者 Luděk Kaluza Radostina Palcheva Jana Balabánová Georgi Tyuliev 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期258-267,共10页
Al2O3-CeO2 supports containing 1-10 wt%Ce were prepared mechanochemically by milling aluminum and/or cerium nitrates with NH4HCO3.Heteropolymolybdate,(NH4)4NiMo6O(24),was used as the precursor of the Ni and Mo to ... Al2O3-CeO2 supports containing 1-10 wt%Ce were prepared mechanochemically by milling aluminum and/or cerium nitrates with NH4HCO3.Heteropolymolybdate,(NH4)4NiMo6O(24),was used as the precursor of the Ni and Mo to prepare NiMo6/Al2O3-CeO2 components in catalysts by impregnation method.The physicochemical properties of the catalysts were determined using chemical analysis,X-ray diffraction,temperature-programmed H2 reduction,temperature-programmed NH3 desorption,X-ray photoelectron spectroscopy(XPS),and the Brunauer-Emmett-Teller method.The catalyst acidity decreased with increasing Ce concentration in the support.XPS showed that the NiS/MoS ratio decreased two-fold for the Ce-modified alumina support.NiMo6/Al2O3,which had the highest acidity,showed the highest activity in hydrodesulfurization of 1-benzothiophene(normalized per weight of catalyst).The concentration of surface MoOxSy species(which is equal to the concentration of Mo^(5+)) gradually decreased to zero for catalysts with Ce concentrations 10 wt%.However,the activities of all the catalysts prepared mechanochemically from Al2O3 and Al2O3-CeO2supports significantly exceeded that of a reference NiMo6/Al2O3 catalyst prepared by impregnation method using the same precursor and with the same composition. 展开更多
关键词 Nickel MOLYBDENUM ALUMINA CERIA Anderson heteropolymolybdate 1-Benzothiophene HYDRODESULFURIZATION Mechanochemical method
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喷墨打印C8-BTBT薄膜中的衬底效应及其OTFT器件 被引量:4
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作者 王向华 顾勋 +2 位作者 张春雨 李博 吕申宸 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期522-527,538,共7页
以喷墨打印制备的共轭有机小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,分别采用紫外臭氧处理、旋涂聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)薄膜、自组装苯乙基三氯硅烷(PETS)单分子层和苯基三氯硅烷(PTS)... 以喷墨打印制备的共轭有机小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,分别采用紫外臭氧处理、旋涂聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)薄膜、自组装苯乙基三氯硅烷(PETS)单分子层和苯基三氯硅烷(PTS)单分子层四种衬底修饰方法,分析有机小分子薄膜生长过程中的衬底效应,及其对OTFT器件性能的影响。其中PVP或PETS修饰衬底具有疏水及低表面粗糙度的特性,在其上喷墨打印沉积的C8-BTBT单线条薄膜具有均匀性好、覆盖率高且有序堆积的结晶形貌,基于这种高质量薄膜制备的OTFT器件性能最优,饱和场效应迁移率达到1 cm2·V-1·s-1左右,开关比超过106。结果表明,对打印衬底进行疏水性处理及降低表面粗糙度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管(OTFT) 喷墨打印 2 苯并噻吩[3 2-b]苯并噻吩(C8-BTBT) 衬底效应 迁移率
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倒置QLED器件中氧化锌电子传输层的镁掺杂效应 被引量:1
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作者 陈幸福 徐志梁 +1 位作者 黄玲玲 王向华 《光电子技术》 CAS 北大核心 2019年第4期269-274,共6页
基于2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)与无机钙钛矿CsPbBr3 量子点构成复合发光层,采用倒置QLED器件结构(ITO/ZnO/EML/CBP/MoO3/Al),研究了氧化锌电子传输层的镁离子掺杂工艺对发光层荧光量子效率及界面稳定性的影响规... 基于2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)与无机钙钛矿CsPbBr3 量子点构成复合发光层,采用倒置QLED器件结构(ITO/ZnO/EML/CBP/MoO3/Al),研究了氧化锌电子传输层的镁离子掺杂工艺对发光层荧光量子效率及界面稳定性的影响规律和机制。镁离子掺杂可以在一定范围内线性调控电子传输层的光学带隙,同时有效改善薄膜的表面形貌,从而提高与发光层之间的界面质量。实验发现,相对于未掺杂的ZnO薄膜,Mg0.09Zn0.91O薄膜的表面粗糙度和表面能显著下降,光学带隙则提高了0.2 eV,相应的以电子漂移为主的电导率显著下降。进一步通过调控复合发光层中的主客体比例,可以调节空穴注入比,改善载流子传输的平衡性。采用Mg0.09Zn0.91O薄膜作为电子传输层的主客体复合发光层具有更高的荧光量子效率和PL荧光寿命。研究为开发相应的倒置结构电致发光器件提供了坚实的实验依据。 展开更多
关键词 倒置结构 MGXZN1-XO 2 苯并噻吩[3 2-b]苯并噻吩 CsPbBr3
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基于CsPbBr_3量子点与C8-BTBT复合薄膜光学稳定性的研究 被引量:1
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作者 张春雨 黄玲玲 +4 位作者 李博 胡鹏 陈幸福 王向华 胡俊涛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期360-366,共7页
为了改善全无机钙钛矿CsPbBr_3量子点的稳定性,提出了一种基于量子点和小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的复合体系。由于CsPbBr_3量子点与小分子晶格在a,b轴方向尺寸相近,小分子材料在量子点表面产生取向外延,形成钝化层... 为了改善全无机钙钛矿CsPbBr_3量子点的稳定性,提出了一种基于量子点和小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的复合体系。由于CsPbBr_3量子点与小分子晶格在a,b轴方向尺寸相近,小分子材料在量子点表面产生取向外延,形成钝化层,有效抑制了光照、水汽环境下CsPbBr_3量子点表面的缺陷数量以及引起的非辐射跃迁过程。结果表明,在6天光照时间测试内,CsPbBr_3/C8-BTBT复合薄膜的荧光强度降率从99.32%降至37.42%,同时复合薄膜的荧光量子产率仍能保持初始值的44.60%;45min水汽测试时间内,复合薄膜的荧光强度降率从94.72%降至33.47%。该复合体系实现了CsPbBr_3量子点表面钝化层的生长,从而实现光照、水汽环境下的稳定性的提升。 展开更多
关键词 钙钛矿量子点 2 苯并噻吩[3 2-b]苯并噻吩 稳定性 荧光强度 横向结晶
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C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究
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作者 黄玲玲 陈幸福 +3 位作者 胡鹏 李博 王向华 胡俊涛 《光电子技术》 CAS 北大核心 2020年第1期28-34,共7页
以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺... 以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 展开更多
关键词 2 苯并噻吩[3 2‐b]苯并噻吩 结晶形貌 结晶度 迁移率 有机薄膜晶体管
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ZnO/C8-BTBT异质结的载流子注入特性研究
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作者 王向华 李博 +2 位作者 胡鹏 黄玲玲 陈幸福 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第6期400-405,共6页
量子点电致发光器件(QLED)中的发光层由钙钛矿量子点构成。由于量子点较深的价带能级,空穴载流子注入效率相对较低,往往成为制约器件性能的重要因素。采用p-型有机半导体,2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为发光层主... 量子点电致发光器件(QLED)中的发光层由钙钛矿量子点构成。由于量子点较深的价带能级,空穴载流子注入效率相对较低,往往成为制约器件性能的重要因素。采用p-型有机半导体,2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为发光层主体材料,与量子点构成的主客体复合薄膜,被证明是一种有效的解决方法,而研究和调控载流子向这类有机主体材料的注入特性是提高这类QLED器件性能的关键。采用场效应薄膜晶体管和单载流子叠层器件结构表征了ZnO/C8-BTBT异质结的载流子传输特性。实验发现通过引入ZnO/C8-BTBT异质结,一方面可提高器件的空穴注入效率,另一方面有利于实现更平衡的载流子注入特性。 展开更多
关键词 氧化锌 2 苯并噻吩[3 2-b]苯并噻吩 异质结 有机薄膜晶体管
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