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中国城市发展的自组织特征与判据——为什么说所有城市都是自组织的? 被引量:81
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作者 陈彦光 《城市规划》 CSSCI 北大核心 2006年第8期24-30,共7页
城市的发展是一种自组织过程,无论东方城市抑或西方城市概莫例外。自组织是城市演化背后的一只“看不见的手”。城市系统构成可以划分为三种成分:随机成分、可预测成分和受控成分,中央计划和城市规划主要是对控制成分而言。城市或者城... 城市的发展是一种自组织过程,无论东方城市抑或西方城市概莫例外。自组织是城市演化背后的一只“看不见的手”。城市系统构成可以划分为三种成分:随机成分、可预测成分和受控成分,中央计划和城市规划主要是对控制成分而言。城市或者城市体系是否自组织系统,可以借助三个临界指标进行检测:一是时间尺度的1/f涨落,二是空间尺度的分形结构,三是等级尺度的济夫(Zipf)定律。计算表明,中国的城市化过程、城市体系的空间网络和位序-规模分布分别服从这三个定量判据。由此可以得出结论:中国的城市具有自组织系统的演化特征,这对我们今后的城市规划工作具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 中国城市 自组织城市 城市规划 1/f 噪声 分形 位序-规模分布
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城市化:相变与自组织临界性 被引量:58
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作者 陈彦光 《地理研究》 CSCD 北大核心 2004年第3期301-311,共11页
城市化的本质是一种自组织临界相变过程 ,在时间和空间上分别联系着自组织临界性(SOC)和空间复杂性。城市化过程作为SOC有 3个方面的标志 :时间方向的 1/ f涨落、空间方面的分形结构和等级方式的Zipf定律 ,其共性是无标度性。分形中心... 城市化的本质是一种自组织临界相变过程 ,在时间和空间上分别联系着自组织临界性(SOC)和空间复杂性。城市化过程作为SOC有 3个方面的标志 :时间方向的 1/ f涨落、空间方面的分形结构和等级方式的Zipf定律 ,其共性是无标度性。分形中心地景观和位序 -规模分布分别是城市化自组织临界过程在空间和等级两个领域的实证判据。在城市化的临界相变过程中 ,城市体系通常演化为无标度网络 ,而位序 -规模法则乃是空间领域的无标度性在等级领域的结构性“投影”。基于SOC思想研究城市化过程有助于理解自组织城市网络的复杂空间动力学 。 展开更多
关键词 自组织城市网络 1/f涨落 分形 Zipf定律 位序一规模法则 中心地 无标度性 空间复杂性
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基于磁通负反馈结构的高灵敏度感应式磁场传感器研制 被引量:33
3
作者 朱万华 底青云 +3 位作者 刘雷松 闫彬 刘凯 方广有 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期3683-3689,共7页
感应式磁场传感器广泛应用于地球物理电磁勘探仪器,但也是阻碍我国地球物理电磁勘探仪器装备研发和推广应用的瓶颈技术.在我国SinoProbe计划中"地面电磁探测(SEP)系统"项目支持下,我们研制出用于大地电磁测深(the Magnetotell... 感应式磁场传感器广泛应用于地球物理电磁勘探仪器,但也是阻碍我国地球物理电磁勘探仪器装备研发和推广应用的瓶颈技术.在我国SinoProbe计划中"地面电磁探测(SEP)系统"项目支持下,我们研制出用于大地电磁测深(the Magnetotellurics MT)方法的高灵敏度磁场传感器.研制过程中,采用磁通负反馈技术,增强传感器系统工作稳定性;采用斩波稳零放大电路技术,有效降低低频1/f噪声对传感器灵敏度的影响;采用高磁导率合金材料,增加磁场传感器的灵敏度.最终,MT磁场传感器工作频率范围为1 mHz^1kHz,噪声水平0.1Hz时为1.5pT/Hz;1Hz时为0.15pT/Hz;10Hz时为0.03pT/Hz;长度96cm,重量≤6kg.理论和测试结果表明:与同类产品比较,本文研制的感应式磁场传感器在≥10Hz时,平均噪声水平从150fT/Hz,下降至30fT/Hz,噪声水平更优,测量精度更高,能够更好地满足MT方法的需求. 展开更多
关键词 感应式磁场传感器 大地电磁测深 斩波稳零放大电路 1 f噪声 高磁导率磁芯
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互联网络数据包传输的一种简单元胞自动机模型 被引量:19
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作者 刘锋 任勇 山秀明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1175-1180,共6页
提出了一种描述计算机互联网络数据包传输的简单元胞自动机模型 ,并研究了沿着网络固定路径中路由节点数据包队列长度和传输时间的统计特性 .计算机仿真结果表明 ,根据数据包输入速率和路由节点平均最大传输速率的不同 ,系统存在自由流... 提出了一种描述计算机互联网络数据包传输的简单元胞自动机模型 ,并研究了沿着网络固定路径中路由节点数据包队列长度和传输时间的统计特性 .计算机仿真结果表明 ,根据数据包输入速率和路由节点平均最大传输速率的不同 ,系统存在自由流和拥塞两种相态 .在自由流状态 ,路由节点数据包排队长度和传输时间都呈现幂律特性 ;在拥塞状态 ,路由节点数据包排队长度呈现白噪声特征 ,而传输时间在低频段为幂律、高频段为白噪声特征 .仿真结果和已有文献和经验数据得到的结论一致 . 展开更多
关键词 互联网络 数据包传输 简单元胞自动机模型 1/f噪声 幂律 计算机网络 路由器
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发光二极管可靠性的噪声表征 被引量:18
5
作者 胡瑾 杜磊 +2 位作者 庄奕琪 包军林 周江 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期1384-1389,共6页
通过对发光二极管内部结构的研究,发现Nt(界面态陷阱密度)和扩散电流比率是影响发光二极管性能的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.器件内部存在的多种噪声中,低频1/f噪声可表征Nt和扩散电流比率.在深入研究发光二极管工作原理及1/f... 通过对发光二极管内部结构的研究,发现Nt(界面态陷阱密度)和扩散电流比率是影响发光二极管性能的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.器件内部存在的多种噪声中,低频1/f噪声可表征Nt和扩散电流比率.在深入研究发光二极管工作原理及1/f噪声载流子数涨落理论和迁移率涨落理论的基础上,建立了发光二极管的电性能模型及1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声,实验结果与理论模型符合良好.通过对其测量结果分析,深入研究了噪声和发光二极管性能与可靠性的关系,证明了噪声幅值越大,电流指数越接近于2,器件可靠性越差,失效率则显著增大. 展开更多
关键词 1/f噪声 发光二极管 陷阱 光功率
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CMOS读出电路中的噪声及抑制 被引量:14
6
作者 刘成康 袁祥辉 张晓飞 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期170-173,共4页
CMOS读出电路中的噪声严重地制约了读出电路的动态范围 ,进而影响到焦平面阵列甚至成像系统的性能。文章对读出电路中KTC噪声、1/ f噪声以及固定图形噪声的成因及抑制技术进行了分析和讨论 。
关键词 KTC噪声 1/f噪声 固定图形噪声 CMOS读出电路 相关双采样
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n/p沟道MOSFET1/f噪声的统一模型 被引量:14
7
作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 李伟华 万长兴 张萍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期2118-2122,共5页
对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的 1/f噪声特性进行了实验和理论研究 .实验结果表明 ,虽然nMOSFET的 1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级 ,但是其噪声幅值均表现出和有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反... 对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的 1/f噪声特性进行了实验和理论研究 .实验结果表明 ,虽然nMOSFET的 1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级 ,但是其噪声幅值均表现出和有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律 .基于该实验结果 ,认为MOSFET的 1 f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子 ,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道载流子迁移率的涨落 .在这两种涨落机理的基础上 ,引入了氧化层陷阱的分布特征及其与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式 ,建立了MOSFETl/f噪声的统一模型 .实验结果和本文模型符合良好 . 展开更多
关键词 噪声幅值 氧化层陷阱 有效栅压 半导体 载流子
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分形、1/f涨落与旅游风景地的美学实质 被引量:13
8
作者 陈彦光 王义民 《大自然探索》 1999年第3期51-54,共4页
本文运用复杂性科学的混沌边缘和自组织临界性等思想解释了旅游风景地的美学实质:大自然中广泛存在着1/f噪声和分形结构,当它们分布集中到一定程度(形成旅游风景地)以后,易于激发人体的α节律波并诱导其向频谱指数β=1的方向滑动... 本文运用复杂性科学的混沌边缘和自组织临界性等思想解释了旅游风景地的美学实质:大自然中广泛存在着1/f噪声和分形结构,当它们分布集中到一定程度(形成旅游风景地)以后,易于激发人体的α节律波并诱导其向频谱指数β=1的方向滑动,形成相应的1/f涨落,从而增加人体系统的"负熵",娱悦身心,形成美感。 展开更多
关键词 地理分形 1/f噪声 自然美 旅游风景地 美学
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MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究 被引量:14
9
作者 李瑞珉 杜磊 +1 位作者 庄奕琪 包军林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期3400-3406,共7页
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系... 基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系,建立了辐照前的1/f噪声幅值与辐照诱生界面陷阱数量之间的半经验公式,并通过实验予以验证.研究结果表明,由于辐照诱生的氧化层内陷阱通过与分子氢作用而直接参与到界面陷阱的建立过程中,从而使界面陷阱生成数量正比于这种陷阱增加的数量,因此辐照前的1/f噪声功率谱幅值正比于辐照诱生的界面陷阱数量.研究结果为1/f噪声用作MOSFET辐照损伤机理研究的新工具,对其抗辐照性能进行无损评估提供了理论依据与数学模型. 展开更多
关键词 辐照效应 界面陷阱 1/f噪声 氧化层空穴俘获
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光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究 被引量:8
10
作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期857-860,共4页
对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪... 对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射. 展开更多
关键词 1/f噪声 G-R噪声 光电耦合器件 深能级
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光电耦合器电流传输比的噪声表征 被引量:12
11
作者 胡瑾 杜磊 +5 位作者 庄奕琪 何亮 包军林 黄小君 陈春霞 卫涛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期597-603,共7页
光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器... 光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性. 展开更多
关键词 1/f噪声 光电耦合器 电流传输比 陷阱
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网络论坛中发帖行为复杂性研究 被引量:12
12
作者 程葳 钟华 孙娇华 《系统工程学报》 CSCD 北大核心 2009年第4期385-391,共7页
网络论坛是我国互联网舆论形成的重要力量之一,正引起社会各方的广泛关注.通过对大量实际数据的统计分析,发现网络论坛发帖量满足:幂次定律、自相似性、1/f噪声和捷夫定律.说明网络论坛是一个复杂的自组织临界态系统.应用自组织临界理... 网络论坛是我国互联网舆论形成的重要力量之一,正引起社会各方的广泛关注.通过对大量实际数据的统计分析,发现网络论坛发帖量满足:幂次定律、自相似性、1/f噪声和捷夫定律.说明网络论坛是一个复杂的自组织临界态系统.应用自组织临界理论可以分析网络突发事件和舆论形成中的诸多现象.最后提出一种评价网络论坛舆论的定量指标.实验表明,该指标能有效发现网络论坛突发事件. 展开更多
关键词 复杂性 自组织临界态 1/f噪声 自相似性 网络论坛
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光电耦合器件闪烁噪声模型 被引量:10
13
作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 马仲发 胡瑾 周江 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1359-1362,共4页
对电应力前后光电耦合器件的闪烁噪声(1/f噪声)进行了实验和理论研究.实验发现,应力前后1/f噪声幅值随偏置电流均有相同的变化规律:在低电流区,1/f噪声幅值与偏置电流成正比,在高电流区,1/f噪声幅值与偏置电流的平方成正比,且应力后1/f... 对电应力前后光电耦合器件的闪烁噪声(1/f噪声)进行了实验和理论研究.实验发现,应力前后1/f噪声幅值随偏置电流均有相同的变化规律:在低电流区,1/f噪声幅值与偏置电流成正比,在高电流区,1/f噪声幅值与偏置电流的平方成正比,且应力后1/f噪声幅值增大了约7倍.理论分析表明,小电流时该器件的1/f噪声为扩散1/f噪声,大电流时为复合1/f噪声,应力在器件有源区诱生的陷阱是1/f噪声增大的根本原因.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制,建立了一个光电耦合器件1/f噪声的定量分析模型,实验结果和模型符合良好. 展开更多
关键词 1/f噪声 光电耦合器件 涨落 陷阱
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基于小波分析的1/f噪声降噪 被引量:10
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作者 王爱萍 王惠南 《数据采集与处理》 CSCD 北大核心 2006年第2期217-221,共5页
同传统加速度计相比,光纤加速度计具有结构简单、性价比高、输出精度较高等特点,可以满足中等精度的导航制导要求,但输出信号通常受随机噪声的干扰,其中1/f噪声就是影响光纤加速度计精度的一个重要因素。由于小波分析兼具时频分析和尺... 同传统加速度计相比,光纤加速度计具有结构简单、性价比高、输出精度较高等特点,可以满足中等精度的导航制导要求,但输出信号通常受随机噪声的干扰,其中1/f噪声就是影响光纤加速度计精度的一个重要因素。由于小波分析兼具时频分析和尺度分析的功能,加之1/f噪声在小波域呈现出某些特殊的性质,因此小波分析成为研究1/f噪声的良好工具。本文提出一种处理加速度信号中1/f噪声的新方法,即选取适当的阈值对1/f噪声进行滤波处理,仿真结果表明该方法科学有效。 展开更多
关键词 光纤加速度计 随机噪声 1/f噪声 小波变换 多分辨分析 软阈值
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基于多尺度Wiener滤波器的分形噪声滤波 被引量:11
15
作者 胡英 杨杰 周越 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期560-563,共4页
针对淹没在 1/f噪声中的有用信号恢复问题 ,本文提出了一套基于双正交小波变换与Wiener滤波的多尺度滤波算法 ,并设计出多尺度Wiener滤波器 .首先 ,利用双正交小波变换将带有 1/f噪声的信号分解成多尺度的子带信号 ,通过小波变换对 1/f... 针对淹没在 1/f噪声中的有用信号恢复问题 ,本文提出了一套基于双正交小波变换与Wiener滤波的多尺度滤波算法 ,并设计出多尺度Wiener滤波器 .首先 ,利用双正交小波变换将带有 1/f噪声的信号分解成多尺度的子带信号 ,通过小波变换对 1/f噪声的白化作用 ,消除了 1/f噪声的非平稳性、自相似性和长程相关性 .其次 ,在小波域内 ,利用Wiener滤波 ,实现了噪声和有用信号的分离 ,估计出了各子带中的有用信号 .最后 ,利用双正交小波的精确重构性 ,较好地恢复出淹没在 1/f噪声中的有用信号 .仿真实验表明 ,该滤波器能有效的抑制分形噪声 。 展开更多
关键词 1/f噪声 双正交小波变换 多尺度Wiener滤波器
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基于隧穿磁阻效应的宽频微小量程电流传感器设计及噪声分析 被引量:10
16
作者 胡军 王博 +3 位作者 盛新富 赵根 赵帅 何金良 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期2545-2553,共9页
针对电网中微弱电流的测量需求,研制了基于隧穿磁阻效应的百μA级无接触式微电流传感器,并对微电流传感器进行低噪声设计,包括电源模块、放大模块、调零和输出模块。测试了采用不同传感芯片传感器的微弱电流探测能力,其最小可测电流幅值... 针对电网中微弱电流的测量需求,研制了基于隧穿磁阻效应的百μA级无接触式微电流传感器,并对微电流传感器进行低噪声设计,包括电源模块、放大模块、调零和输出模块。测试了采用不同传感芯片传感器的微弱电流探测能力,其最小可测电流幅值为280μA,对应传感器的带宽达10 kHz。并对传感器系统各模块的噪声水平进行了测量分析与计算,结果表明隧穿磁阻芯片的1/f噪声(低频噪声)是限制传感器最小可测电流幅值的主要因素。该微电流传感器可以适应智能电网微弱电流测量需求。 展开更多
关键词 隧穿磁阻效应 电流传感芯片 无接触式 微弱电流传感器 1/f噪声 低频噪声 智能电网
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TMR与GMR传感器1/f噪声的研究进展 被引量:10
17
作者 吴少兵 陈实 +1 位作者 李海 杨晓非 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期550-559,共10页
隧道结磁阻(TMR)传感器及巨磁阻(GMR)传感器的1/f噪声在低频段噪声功率密度较大,是影响其低频下分辨率和灵敏度的主要噪声形式.本文详细介绍了近年来TMR传感器及GMR传感器1/f噪声的特点、来源、理论模型、检测方法及降噪措施等方面的研... 隧道结磁阻(TMR)传感器及巨磁阻(GMR)传感器的1/f噪声在低频段噪声功率密度较大,是影响其低频下分辨率和灵敏度的主要噪声形式.本文详细介绍了近年来TMR传感器及GMR传感器1/f噪声的特点、来源、理论模型、检测方法及降噪措施等方面的研究进展,并就隧道结磁阻传感器1/f噪声的物理模型进行了详细解释.通过纳米模拟软件Virtual NanoLab对不同MgO厚度的Fe/MgO/Fe型磁性隧道结(MTJ)进行了隧穿概率和TMR变化率的模拟计算,得到保守估计与乐观估计的TMR变化率,分别为98.1%与10324.55%,同时通过MTJ的噪声模型分析了MgO厚度对TMR传感器噪声的影响.制备了磁屏蔽系数大于10000的磁屏蔽筒并搭建了磁阻传感器1/f噪声的测试平台,通过测试验证了磁屏蔽系统对环境磁场具有较好的屏蔽效果,为噪声检测提供了稳定的磁场空间.最后分析了TMR与GMR中各种因素对传感器噪声的影响,提出了影响MTJ传感器1/f噪声的因素及一些降噪措施. 展开更多
关键词 隧道结 1/f噪声 磁通聚集器
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1/f噪声的精确测量及其在太阳能电池可靠性筛选中的应用 被引量:10
18
作者 周求湛 张彦创 +1 位作者 周承鹏 吴丹娥 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期625-631,共7页
为了实现对太阳能电池可靠性的筛选分类,建立了一套低频噪声自动测试系统。首先,根据太阳能电池1/f噪声的来源,确定了在大电流密度情况下以1/f噪声功率谱作为太阳能电池可靠性指示的可行性。然后,由测试得到的功率谱曲线明确了通过比较... 为了实现对太阳能电池可靠性的筛选分类,建立了一套低频噪声自动测试系统。首先,根据太阳能电池1/f噪声的来源,确定了在大电流密度情况下以1/f噪声功率谱作为太阳能电池可靠性指示的可行性。然后,由测试得到的功率谱曲线明确了通过比较在f为1Hz频点处的1/f噪声功率谱值大小可以区分太阳能电池的可靠性。最后,根据半导体器件可靠性试验验证的分类标准,给出了确定筛选阈值的方法。实验结果表明:该方法可以在短时间内无损地完成一批太阳能电池3个等级的可靠性分类,平均每个太阳能电池的测试时间只需5min。采用该筛选方法,能精确检测单一器件,解决了传统方法花费大、周期长,易引起器件的损伤,且只能得到一批器件可靠性的统计规律的问题。该方法适用于对太阳能电池可靠性要求高的应用场合。 展开更多
关键词 太阳能电池 1/f噪声 可靠性 筛选方法
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HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究 被引量:8
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作者 孙涛 陈兴国 +1 位作者 胡晓宁 李言谨 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期3357-3362,共6页
在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1... 在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(reciprocal spacemapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流和1f噪声的原因.经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1f噪声增加,而双层钝化器件经过高温烘烤后性能提高.RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1f噪声电流增加的原因. 展开更多
关键词 HGCDTE 表面漏电流 光伏探测器 噪声研究 高分辨X射线衍射 mapping 1/f噪声 长波 高温烘烤 噪声电流 ZnS space 1/f噪声 外延层 隧道电流 倒易点阵 暗电流 钝化 器件 缺陷 单层 原因 RSM 晶片
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一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法 被引量:7
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作者 马仲发 庄奕琪 +2 位作者 杜磊 花永鲜 吴勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1211-1216,共6页
MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题 .实验对比发现 ,MOSFET沟道电流的 1/ f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中 ESD潜在损伤的情况 .在相同的静电应力条件下 ,1/ f噪声的变化要比常规电参数敏感的多 ,其... MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题 .实验对比发现 ,MOSFET沟道电流的 1/ f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中 ESD潜在损伤的情况 .在相同的静电应力条件下 ,1/ f噪声的变化要比常规电参数敏感的多 ,其功率谱幅度的相对变化量比跨导的最大相对退化量大 6倍以上 ,因此可以作为MOSFET ESD潜在损伤的一种敏感的检测方法 .在给出实验结果的同时 。 展开更多
关键词 损伤检测 MOSfET ESD 潜在损伤 1/f噪声 检测方法 抗静电损伤 时退化失效
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