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ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长 被引量：3
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作者 周昕 顾书林 +7 位作者 叶建东 顺明 秦锋 刘伟 胡立群 张荣 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期804-808,共5页
利用低压金属有机源气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上生长 Zn O纳米岛 ,发现在适当的生长条件下 ,可以生长出规则排列的纳米岛 .实验发现随着生长时间的增加 ,在蓝宝石衬底上沉积的 Zn O晶体颗粒无论是密度还是体... 利用低压金属有机源气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上生长 Zn O纳米岛 ,发现在适当的生长条件下 ,可以生长出规则排列的纳米岛 .实验发现随着生长时间的增加 ,在蓝宝石衬底上沉积的 Zn O晶体颗粒无论是密度还是体积都在增加 ,并出现颗粒之间的交叠现象 .与厚膜材料相比 ,相应的室温 PL 谱上显示出带边蓝移现象 ,随着生长温度的提高将大大增加 Zn O在蓝宝石衬底上成核的困难 .另外 ,所有样品的室温 PL 谱在带边附近均存在一个展宽峰 ,这可能是由表面态或晶体缺陷造成的 .研究表明选择合适的生长时间与生长温度是利用MOCVD生长高质量 Zn 展开更多
关键词 ZnO纳米岛 金属有机源化学气相沉积 光致发光谱 原子力显微镜 PACC 7855 0779
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