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用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM
被引量：
4
1
作者
董素玲
成立
+1 位作者
王振宇
高平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期44-48,共5页
设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成...
设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。
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关键词
0.
8
μ
m
工艺技术
静态随机存取存储器
BICMOS
SRAM
双极互补金属氧化物半导体器件
输入/输出电路
地址译码器
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职称材料
题名
用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM
被引量：
4
1
作者
董素玲
成立
王振宇
高平
机构
江苏大学电气与信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期44-48,共5页
基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
文摘
设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。
关键词
0.
8
μ
m
工艺技术
静态随机存取存储器
BICMOS
SRAM
双极互补金属氧化物半导体器件
输入/输出电路
地址译码器
Keywords
BiCMOS device
static random access memory(SRAM)
memory unit
input/output circuit(I/O circuit)
address decoder
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM
董素玲
成立
王振宇
高平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
4
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