介绍了3D堆叠技术及其发展现状,探讨了W2W(Wafer to wafer)及D2W(Die to wafer)等3D堆叠方案的优缺点,并重点讨论了垂直互连的穿透硅通孔TSV(Through silicon via)互连工艺的关键技术,探讨了先通孔、中通孔及后通孔的工艺流程及特点,介...介绍了3D堆叠技术及其发展现状,探讨了W2W(Wafer to wafer)及D2W(Die to wafer)等3D堆叠方案的优缺点,并重点讨论了垂直互连的穿透硅通孔TSV(Through silicon via)互连工艺的关键技术,探讨了先通孔、中通孔及后通孔的工艺流程及特点,介绍了TSV的市场前景和发展路线图。3D堆叠技术及TSV技术已经成为微电子领域研究的热点,是微电子技术及MEMS技术未来发展的必然趋势,也是实现混合集成微系统的关键技术之一。展开更多
We have proposed a TSV （through-silicon-via） alkaline barrier slurry without any inhibitors for barrier CMP （chemical mechanical planarization） and investigated its CMP performance. The characteristics of removal ...We have proposed a TSV （through-silicon-via） alkaline barrier slurry without any inhibitors for barrier CMP （chemical mechanical planarization） and investigated its CMP performance. The characteristics of removal rate and selectivity of Ti/SiO2/Cu were investigated under the same process conditions. The results obtained from 6.2 mm copper, titanium and silica show that copper has a low removal rate during barrier CMP by using this slurry, and Ti and SiO2 have high removal rate selectivity to Cu. Thus it may be helpful to modify the dishing. The TSV wafer results reveal that the alkaline barrier slurry has an obvious effect on surface topography correction, and can be applied in TSV barrier CME展开更多
目的评价特发性黄斑裂孔行微创后部玻璃体切割联合内界膜剥除手术治疗的效果及视功能预后。方法收集2014年1~12月就诊的特发性黄斑裂孔36例（41眼）,均采用微创玻璃体切割和C3F8气体填充,在TA辅助下进行内界膜剥离,术前及术后6个月采用...目的评价特发性黄斑裂孔行微创后部玻璃体切割联合内界膜剥除手术治疗的效果及视功能预后。方法收集2014年1~12月就诊的特发性黄斑裂孔36例（41眼）,均采用微创玻璃体切割和C3F8气体填充,在TA辅助下进行内界膜剥离,术前及术后6个月采用光学相干断层扫描（OCT）,标准对数视力表等对患眼进行检查和随访。结果术后裂孔闭合率达92.7%,术后6个月矫正视力较术前有显著提高（χ2=10.25,P=0.001）,视力提高率达91.2%;视物变形、中心暗点等症状也有明显改善（χ2=35.79,P〈0.001）。并发症情况：术中4眼出现毛细血管性出血,术后1周内9眼患者出现一过性眼压升高（〉30 mm Hg）,9眼出现晶状体后囊下混浊及老年性白内障进展。结论后部微创玻璃体切割联合内界膜剥离可使特发性黄斑裂孔获得较高的闭合率,视功能亦可得到较好恢复。展开更多
针对TSV数量限制下的3D No C测试,如何在功耗约束条件下充分利用有限的TSV资源快速地完成3D No C测试,这属于NP难问题,采用基于云模型的进化算法对有限的TSV资源进行位置寻优,以及对通信资源进行分配研究,在满足功耗约束以及路径不冲突...针对TSV数量限制下的3D No C测试,如何在功耗约束条件下充分利用有限的TSV资源快速地完成3D No C测试,这属于NP难问题,采用基于云模型的进化算法对有限的TSV资源进行位置寻优,以及对通信资源进行分配研究,在满足功耗约束以及路径不冲突条件下调度测试数据,以实现芯核的最大化并行测试,减少测试时间。以ITC’02测试标准电路作为实验对象,实验结果表明,本文方法可以有效地进行TSV的位置寻优以及资源的合理分配,从而提高TSV利用率,减少测试时间。展开更多
文摘介绍了3D堆叠技术及其发展现状,探讨了W2W(Wafer to wafer)及D2W(Die to wafer)等3D堆叠方案的优缺点,并重点讨论了垂直互连的穿透硅通孔TSV(Through silicon via)互连工艺的关键技术,探讨了先通孔、中通孔及后通孔的工艺流程及特点,介绍了TSV的市场前景和发展路线图。3D堆叠技术及TSV技术已经成为微电子领域研究的热点,是微电子技术及MEMS技术未来发展的必然趋势,也是实现混合集成微系统的关键技术之一。
基金Project supported by the Natural Science Foundation of Hebei Province,China(No.E2013202247)the Department of Education Fund of Hebei Province,China(No.2011128)
文摘We have proposed a TSV （through-silicon-via） alkaline barrier slurry without any inhibitors for barrier CMP （chemical mechanical planarization） and investigated its CMP performance. The characteristics of removal rate and selectivity of Ti/SiO2/Cu were investigated under the same process conditions. The results obtained from 6.2 mm copper, titanium and silica show that copper has a low removal rate during barrier CMP by using this slurry, and Ti and SiO2 have high removal rate selectivity to Cu. Thus it may be helpful to modify the dishing. The TSV wafer results reveal that the alkaline barrier slurry has an obvious effect on surface topography correction, and can be applied in TSV barrier CME
文摘目的评价特发性黄斑裂孔行微创后部玻璃体切割联合内界膜剥除手术治疗的效果及视功能预后。方法收集2014年1~12月就诊的特发性黄斑裂孔36例（41眼）,均采用微创玻璃体切割和C3F8气体填充,在TA辅助下进行内界膜剥离,术前及术后6个月采用光学相干断层扫描（OCT）,标准对数视力表等对患眼进行检查和随访。结果术后裂孔闭合率达92.7%,术后6个月矫正视力较术前有显著提高（χ2=10.25,P=0.001）,视力提高率达91.2%;视物变形、中心暗点等症状也有明显改善（χ2=35.79,P〈0.001）。并发症情况：术中4眼出现毛细血管性出血,术后1周内9眼患者出现一过性眼压升高（〉30 mm Hg）,9眼出现晶状体后囊下混浊及老年性白内障进展。结论后部微创玻璃体切割联合内界膜剥离可使特发性黄斑裂孔获得较高的闭合率,视功能亦可得到较好恢复。
文摘针对TSV数量限制下的3D No C测试,如何在功耗约束条件下充分利用有限的TSV资源快速地完成3D No C测试,这属于NP难问题,采用基于云模型的进化算法对有限的TSV资源进行位置寻优,以及对通信资源进行分配研究,在满足功耗约束以及路径不冲突条件下调度测试数据,以实现芯核的最大化并行测试,减少测试时间。以ITC’02测试标准电路作为实验对象,实验结果表明,本文方法可以有效地进行TSV的位置寻优以及资源的合理分配,从而提高TSV利用率,减少测试时间。
文摘对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O)在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O络合剂时,铜的去除速率仅为45.0nm/min,少量FA/O的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O含量为50mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。
