期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Spontaneous emission rate enhancement of nano-structured silicon by surface plasmon polariton 被引量:1
1
作者 Xue FENG Fang LIU Yidong HUANG 《Frontiers of Optoelectronics》 2012年第1期51-62,共12页
Surface plasmon polariton (SPP) is an attractive candidate to improve internal quantum efficiency (QE) of spontaneous emission (SE) from nano-structured silicon (Si) including nano-porous silicon (NP-Si) and... Surface plasmon polariton (SPP) is an attractive candidate to improve internal quantum efficiency (QE) of spontaneous emission (SE) from nano-structured silicon (Si) including nano-porous silicon (NP-Si) and silicon nanocrystal (Si-NC). Since the SPP resonant frequency of common metals, e.g., gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and aluminum (A1), is too high, the SPP resonance has to be engineered to match the luminescence from nano- structured Si. For this purpose, we have proposed and demonstrated three approaches including metal-rich Au(1-a)-SiO2(a) cermet SPP waveguide (WG), com- pound layer structure WG and metallic grating. In this paper, those approaches are reviewed and discussed. According to the calculated results, such three methods could effectively enhance SE rate from NP-Si or Si-NCs and show potential in developing high efficiency Si based light sources with electric pump. 展开更多
关键词 spontaneous emission (SE) silicon nanocrys-tal si-nc surface plasmon polariton (SPP) Purcell effect
原文传递
硅纳米晶的制备及影响其光致发光因素研究
2
作者 陈家荣 朱江 陆明 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期58-61,共4页
经过大量的实验得出硅纳米晶(Si-nc)的发光波长位置在750nm附近,从而验证了Si-nc的制备成功.其次,研究了在Si-nc的制备过程中制备不同的多层结构,掺杂不同的稀土元素,是否钝化等方法对材料进行处理后的Si-nc的光致发光强度,其实验结果... 经过大量的实验得出硅纳米晶(Si-nc)的发光波长位置在750nm附近,从而验证了Si-nc的制备成功.其次,研究了在Si-nc的制备过程中制备不同的多层结构,掺杂不同的稀土元素,是否钝化等方法对材料进行处理后的Si-nc的光致发光强度,其实验结果表明多层结构对Si-nc的发光强度有一定的影响,掺杂不同的稀土元素后Si-nc的发光强度不同,且猝灭效应会降低Si-nc的发光强度,而钝化方法可提高Si-nc的发光强度. 展开更多
关键词 si-nc 光致发光 退火 H钝化 猝灭效应 量子限制效应
下载PDF
硅氧合金薄膜及其在高效纳米硅薄膜叠层太阳电池中的应用研究 被引量:1
3
作者 俞凤至 胡安红 +6 位作者 郁操 曲铭浩 汪涛 张铭 严辉 张津岩 徐希翔 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期1918-1924,共7页
系统研究两种不同形态的硅氧合金薄膜,用甚高频PECVD系统制备的非晶硅氧和纳米硅氧薄膜的特性,以及其在纳米硅薄膜叠层薄膜太阳电池中的应用。实验中主要通过对不同的气体流量比的优化、沉积功率和沉积压力的优化,分别制备出光学带隙约... 系统研究两种不同形态的硅氧合金薄膜,用甚高频PECVD系统制备的非晶硅氧和纳米硅氧薄膜的特性,以及其在纳米硅薄膜叠层薄膜太阳电池中的应用。实验中主要通过对不同的气体流量比的优化、沉积功率和沉积压力的优化,分别制备出光学带隙约为2.1 e V,折射率约为3的a-SiO_x∶B∶H薄膜,作为非晶硅顶电池的p1层,以及带隙为2.2~2.5 e V,折射率为2.0~2.5,晶化率为20%~50%的nc-SiO_x∶P∶H薄膜,作为非晶硅/纳米硅叠层电池的中间反射层和纳米硅的底电池n2层。最后将优化后的a-SiO_x∶B∶H和nc-SiO_x∶P∶H薄膜应用到非晶硅/纳米硅薄膜叠层电池中,在0.79 m^2的玻璃基板上制备出初始峰值功率为101.1 W、全面积初始转换效率为12.8%、稳定峰值功率为87.3 W、全面积稳定转换效率为11.1%的非晶硅/纳米硅叠层电池。 展开更多
关键词 太阳电池 非晶硅/纳米硅叠层电池 硅氧合金薄膜 p层非晶硅氧薄膜 n层纳米硅氧薄膜
下载PDF
高亮度硅纳米晶发光峰位的调制
4
作者 陈家荣 王东辰 +2 位作者 陆明 张弛 张玉琼 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期479-484,共6页
镶嵌硅纳米晶的SiO_(2)薄膜(Si-nc∶SiO_(2))是目前主要的硅发光材料。Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO_(2)的方法尤为重要。使用氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)热退火方法制备高亮度的Si-nc∶SiO_(2),... 镶嵌硅纳米晶的SiO_(2)薄膜(Si-nc∶SiO_(2))是目前主要的硅发光材料。Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO_(2)的方法尤为重要。使用氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)热退火方法制备高亮度的Si-nc∶SiO_(2),通过控制腐蚀时间改变Si-nc的粒径和发光峰位。采用透射电子显微镜、X射线衍射、光致发光和拉曼光谱等表征Si-nc∶SiO_(2)的结构和性能。将HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO_(2)样品与蒸镀方法制备的Si-nc∶SiO_(2)进行比较,得出采用HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO_(2)样品的性能远高于采用蒸镀方法制备的样品的性能,最终获得了发光波长为570 nm(黄光)、610 nm(橙光)和730 nm(红光)的Si-nc∶SiO_(2)。 展开更多
关键词 si-ncsiO_(2) 氢硅倍半环氧乙烷(HSQ) 光致发光 蒸镀 腐蚀
下载PDF
基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性
5
作者 杨潇楠 王永 +2 位作者 张满红 张博 刘明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期421-424,共4页
硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。... 硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。 展开更多
关键词 硅纳米晶 非挥发存储器 存储特性 耐受性 数据保持
下载PDF
复合光导层液晶光阀的研究 被引量:4
6
作者 于永红 杜丕一 +2 位作者 王瑞春 韩高荣 翁文剑 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第3期305-308,共4页
介绍了一种具有柱状结构的a-Si:H/nc-Si复合光导层的液晶光阀,复合光导层是通过热蒸发和等离子体辉光放电沉积方法,采用Al诱导a-Si:H制成的。经过测试,这种柱状结构薄膜具有电导各向异性,其横向电导率小于纵向电导率。用这种薄膜制成的... 介绍了一种具有柱状结构的a-Si:H/nc-Si复合光导层的液晶光阀,复合光导层是通过热蒸发和等离子体辉光放电沉积方法,采用Al诱导a-Si:H制成的。经过测试,这种柱状结构薄膜具有电导各向异性,其横向电导率小于纵向电导率。用这种薄膜制成的液晶光阀其分辨率达到500lp/inch。 展开更多
关键词 液晶光阀 柱状结构 a-si:H/nc-si 复合光导层 电导率 分辨率
原文传递
H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响 被引量:3
7
作者 程自亮 蒋向东 +2 位作者 王继岷 刘韦颖 连雪艳 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第3期485-488,共4页
研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在... 研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在纳米级厚度的a-Si:H薄膜基础上,随着第二反应气H2/Si H4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高,沉积速率持续下降,薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象,结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。 展开更多
关键词 a-si:H/nc-si:H 氢稀释 RF-PECVD(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能 生长机理
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部