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NBT-Ba(NbO3)2无铅压电陶瓷的压电介电性能 被引量：3
1
作者 孟希敏 刘心宇 周昌荣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第1期75-77,81,共4页
采用传统陶瓷制备方法，制备了一种新的（Na1／2Bi1／2）TiO3基无铅压电陶瓷（1-x）（Na1/2Bi1／2）TiO3-xBa（NbO3）2（摩尔分数x=0～1．4％）。X-射线衍射分析表明，所研究的组成均能够形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体。SEM观察结果表... 采用传统陶瓷制备方法，制备了一种新的（Na1／2Bi1／2）TiO3基无铅压电陶瓷（1-x）（Na1/2Bi1／2）TiO3-xBa（NbO3）2（摩尔分数x=0～1．4％）。X-射线衍射分析表明，所研究的组成均能够形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体。SEM观察结果表明，掺入Ba（NbO3）2促进了长条状晶粒的析出。不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征，且随着Ba（NbO3）x的增加，其弛豫性特征愈明显。检测了不同组成陶瓷的压电性能，发现材料的压电常数d33和平面机电耦合系数女。随着x值的增加先增加后降低，在x=0．6％时，陶瓷的d33=94pC／N，kp=0．171，为所研究组成中的最大值，介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。 展开更多
关键词 (na1/2bi1/2)tio3 Ba(NbO3)2 无铅压电陶瓷 压电介电性能
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Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3-BaTiO_3系陶瓷压电性及弛豫相变研究 被引量：75
2
作者 初宝进 李国荣 +1 位作者 江向平 陈大任 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期815-821,共7页
系统研究了（１－ｘ）Ｎａ１／２Ｂｉ１／２ＴｉＯ３－ｘＢａＴｉＯ３（ｘ＝０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０）无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能，弛豫特性及相变．这个系统的陶瓷材料具有Ｋｔ／Ｋｐ较大，频率... 系统研究了（１－ｘ）Ｎａ１／２Ｂｉ１／２ＴｉＯ３－ｘＢａＴｉＯ３（ｘ＝０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０）无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能，弛豫特性及相变．这个系统的陶瓷材料具有Ｋｔ／Ｋｐ较大，频率常数比较高等特点．Ｘ－ｒａｙ衍射结构分析发现此系统的相界在０．０４＜ｘ＜０．０６之间；材料的一些主要性能在相界附近达到极值．利用介电系数－温度曲线，并结合热激电流曲线对此系统的弛豫性进行研究和分析；初步研究了各配方组成的铁电－顺电的相变过程，发现在一定的组成范围内，材料在由铁电相向顺电相的转变过程中经历了一个过渡相区． 展开更多
关键词 压电陶瓷 准同型相界 钛酸钡 驰豫性相变 NBT
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掺La^(3+)对0.94(Na_(1/2)Bi_(1/2))TiO_3-0.06BaTiO_3陶瓷介电行为和压电性能的影响 被引量：21
3
作者 黎辉东 冯楚德 向平华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期579-585,共7页
对(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3-BaTIO_3压电陶瓷在准同型相界处的组成掺入不同量的La^(3+),研究掺杂对于体系结构、压电与介电性能的影响.结果表明,掺杂使得体系的弛豫铁电体特征更为明显,相变的弥散程度增大,室温下的介电常数增大;当掺杂... 对(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3-BaTIO_3压电陶瓷在准同型相界处的组成掺入不同量的La^(3+),研究掺杂对于体系结构、压电与介电性能的影响.结果表明,掺杂使得体系的弛豫铁电体特征更为明显,相变的弥散程度增大,室温下的介电常数增大;当掺杂量低于1.5％时,材料的d_(33)值增大,但同时介电损耗也相对于基体有所增加.当掺杂量达到 3％以后,陶瓷的压电性能严重降低. 展开更多
关键词 钛酸铋钠 无铅压电陶瓷 弛豫铁电体 弥散相变
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NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的研究进展 被引量：5
4
作者 胡翰宸 朱满康 +1 位作者 侯育冬 严辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1-5,共5页
从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望。研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具... 从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望。研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具有高的退极化温度。今后的研究重点将集中于A位或B位取代对NBT-KBT-BT体系的压电性能和退极化行为的作用,三元系陶瓷粉体烧结活性的提高以及新型陶瓷制备技术,如晶粒定向陶瓷制备工艺等。 展开更多
关键词 无机非金属材料 (na1/2bi1/2)tio3-(K1/2bi1/2)tio3-Batio3 综述 无铅压电陶瓷 压电性能 退极化现象
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新型无铅压电陶瓷NBT-NBSN的研究 被引量：4
5
作者 周昌荣 刘心宇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期196-198,共3页
采用传统陶瓷制备方法，制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料（1-x）（Na1/2Bi1/2）TiO3-x（Na1/2Bi1／2）（Sb1／2Nb1／2）O3（T=0～1．4％，摩尔分数）。研究了（Na1/22Bi1/2）TiO3（NBT）陶瓷B位复合离子（Sb1／2Nb1／2）^4＋取... 采用传统陶瓷制备方法，制备出一种钙钛矿结构无铅新压电陶瓷材料（1-x）（Na1/2Bi1/2）TiO3-x（Na1/2Bi1／2）（Sb1／2Nb1／2）O3（T=0～1．4％，摩尔分数）。研究了（Na1/22Bi1/2）TiO3（NBT）陶瓷B位复合离子（Sb1／2Nb1／2）^4＋取代对介电和压电性能的影响。X射线衍射分析表明，所研究的组成均能形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰，不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征。检测了不同组成陶瓷的压电性能，发现材料的压电常数d33、厚度机电耦合系数kl和介电常数εr随着x值的增加先增加后降低，在x=0．8％时，陶瓷的d33=97pC／N，kr=0．50，为所研究组成中的最大值，介电损耗tan δ则随x值的增加而增加。 展开更多
关键词 (na1/2bi1/2)tio3(NBT) 无铅压电陶瓷 压电介电性能
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Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3基无铅压电体系退极化行为 被引量：1
6
作者 朱满康 段成辉 +3 位作者 雷娜 宋雪梅 侯育冬 严辉 《真空电子技术》 2013年第4期6-12,共7页
本文总结了钛酸铋钠[Na1/2Bi1/2TiO3,BNT]的相变过程,特别是其低温下出现的退极化现象的研究现状。同时,对目前研究的NBT基复合体系的准同型相界及其退极化行为方面的研究进展进行了总结,归纳了关于影响退极化温度的机制的几种观点。
关键词 na1 2bi1 2tio3 无铅压电 退极化行为 bi基钙钛矿
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三方相Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3的电子结构、Born有效电荷张量和Γ声子的第一性原理研究 被引量：1
7
作者 周树兰 赵显 +1 位作者 江向平 韩晓东 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2014年第1期12-16,共5页
采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下,计算了三方相Na1/2Bi1/2TiO3的电子结构,并采用线性响应的密度泛函微扰理论计算了其Born有效电荷张量和布里渊区中心Γ点的声子振动。电子结构和有效电荷的计算结果表明Ti-O和B... 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下,计算了三方相Na1/2Bi1/2TiO3的电子结构,并采用线性响应的密度泛函微扰理论计算了其Born有效电荷张量和布里渊区中心Γ点的声子振动。电子结构和有效电荷的计算结果表明Ti-O和Bi-O键之间存在较强的共价作用;Ti、O和Bi的有效电荷值较大说明Ti、Bi和O之间的相对位移会产生自发极化,从而产生铁电性。对Γ点各振动模进行了指认,计算得到的振动频率与实验结果吻合的很好;同时分析了光学纵模(LO)和光学横模(TO)的分裂。结果表明,TiO6的LO-TO的分裂值较大,说明其振动与电场存在较强的耦合作用,且NBT铁电态对电场及域结构的敏感性与TiO6八面体的振动密切相关。 展开更多
关键词 电子结构 Born有效电荷张量 Γ声子 na1 2bi1 2tio3 第一性原理
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织构化(Na_(1/2)Bi_(1/2))TiO_3-BaTiO_3无铅压电陶瓷晶粒定向生长机制 被引量：2
8
作者 王国勇 刘云飞 +1 位作者 汤威 吕忆农 《南京工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2010年第4期32-37,85,共7页
以熔盐法合成的片状SrTiO3晶粒为模板,利用模板晶粒生长(TGG)技术制备晶粒沿[001]方向为取向的0.94(Na1/2Bi1/2)TiO3-0.06BaTiO3(简写为BNBT6)无铅压电陶瓷,采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对陶瓷试样进行表征,采用透射电子显... 以熔盐法合成的片状SrTiO3晶粒为模板,利用模板晶粒生长(TGG)技术制备晶粒沿[001]方向为取向的0.94(Na1/2Bi1/2)TiO3-0.06BaTiO3(简写为BNBT6)无铅压电陶瓷,采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对陶瓷试样进行表征,采用透射电子显微镜(TEM)观察SrTiO3与BNBT6基体界面的微观结构.结果表明,BNBT6陶瓷晶粒定向生长过程分为2个阶段:首先是异质外延生长阶段,即在片状模板晶粒的诱导下,BNBT6基体粉体在SrTiO3模板晶粒表面外延生长,形成与模板取向完全一致的单晶生长层的过程;其次是同质外延生长阶段,即单晶生长层生成后吞噬BNBT6基体粉体逐步生长得到各向异性的高取向BNBT6陶瓷的过程. 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钛酸铋钠-钛酸钡 模板晶粒生长技术 外延生长
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NBT-BZN无铅压电陶瓷的制备与研究 被引量：1
9
作者 洪燕 涂娜 +2 位作者 廖润华 宋福生 李月明 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2015年第6期623-627,共5页
采用固相法,制备了（1-x）Na（1/2）Bi（1/2）TiO3-x Bi（2/3）（Zn（1/3）Nb（2/3））O3（x=0,0.5%,1%,1.5%,2%,2.5%,3%,3.5%,（1-x）NBT-x BZN）系二元无铅压电陶瓷,研究了不同BZN含量对NBT陶瓷微观结构和形貌以及电性能的影响。实验... 采用固相法,制备了（1-x）Na（1/2）Bi（1/2）TiO3-x Bi（2/3）（Zn（1/3）Nb（2/3））O3（x=0,0.5%,1%,1.5%,2%,2.5%,3%,3.5%,（1-x）NBT-x BZN）系二元无铅压电陶瓷,研究了不同BZN含量对NBT陶瓷微观结构和形貌以及电性能的影响。实验结果表明：（1-x）NBTx BZN（0≤x≤3.5%）陶瓷均形成了钙钛矿（ABO3）型固溶体结构,当2%≤x≤2.5%时,陶瓷处于准同型相界结构,达到三方、四方相共存。一定量BZN的掺杂能促进NBT陶瓷晶粒的生长和提高其致密度,并优化陶瓷的压电性能。当掺杂量x=2%时,压电常数d（33）（d（33）=112 pC/N）比未掺杂时提高80%,陶瓷的平面机电耦合系数kp=21%,介质损耗tanδ=3.59%,相对介电常数ε（33）T/ε0=1006。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钛酸铋钠 准同型相界
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